华晶分立器件 3DA92 高频放大管壳额定双极型晶体管 1 概述与特点 3DA92 硅 NPN 型超高频大功率晶体管 主要用于 VHF 电视发射机与差转机以及通讯等其他 电子设备中作射频功率放大 该产品具有良好的电性能和可靠性 其特点如下 工作频率高 电流特性好 14 封装形式 H3a 见图 26max 0.2 二次击穿耐量高 4.6 15 M8 5 2 电特性 2.1 极限值 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符号 2.5 C 单位 E 集电极-发射极电压 VCE0 40 45 V 集电极-基 极电压 VCB0 60 70 V 发射极-基 极电压 VEB0 4 V IC 1.5 A Ptot 20 W 结温 Tj 150 贮存温度 Tstg -55 +150 集电极电流 耗散功率 (Tc=25) E 标 记 L 4.8 C 33min 额定值 B 2.3 33min 2.2 电特性 除非另有规定 Tamb= 25 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 集电极-基极截止电流 发射极-基极截止电流 共发射极正向电流传输比 的静态值 集电极-发射极饱和电压 ICB0 IEB0 VCB=40V IE=0 VEB=3V IC=0 VCE=5V IC=0.5A C L IC=1A IB=0.2A hFE VCE sat 输出功率 VCC=28V Pi=3W PO 功率增益 GP 输出电容 Cob f=400MHz VCC=28V PO=10W f=400MHz 规 范 值 最小 典型 最大 1.5 1.5 15 100 20 60 1 10 12.5 5 6 VCB=28V IE=0 mA mA V W dB 25 f=1MHz 单位 pF 无锡华晶微电子股份有限公司 地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510 5807228-2268 2299 第 1 页 共 2 页 传真 0510 5803016 华晶分立器件 3DA92 3 特性曲线 安全工作区 Ptot - Tcase 关系曲线 Ptot (W) Ic(A) Tcase=25 20 1 15 10 0.1 5 0.01 0.1 0 1 10 VcE(V) 0 hFE - Ic 关系曲线 50 VCEsat - Ic 关系曲线 V CEsat (V) hFE Tcase ( ) 100 Tamb=25 hFE=5 Tamb=25 VCE=5V 1 10 0.1 1 0.01 0.1 1 IC(A) 第 2 页 1 共 2 页 10 IC(A)