BH3515FV
光ディスク IC
Car CD 用 RF アンプ
BH3515FV
BH3515FV はイコライザ回路内蔵の Car CD 用 RF アンプです。イコライザ回路は×1 倍速、×1.5 倍速、×2 倍速に対応
しています。動作電源電圧範囲も 3V∼5.5V と広くなっています。また、CD−RW 対応のためのゲインアップ用 SW を
内蔵しています。
!用途
用途
CD、CD−R、CD−RW リード対応型 Car CD、音飛び防止機能付き Car CD
!特長
特長
1) マルチリード対応（CD、CD−R、CD−RW）
2) ×1 倍速、×1.5 倍速、×2 倍速対応
3) 動作電源電圧範囲 3V∼5.5V
!絶対最大定格
絶対最大定格（Ta=25°C）
絶対最大定格
Parameter
Symbol
Unit
Limits
電源電圧
VCC
7.0
V
許容損失
Pd
800
mW
動作温度範囲
Topr
−40~+85
°C
保存温度範囲
Tstg
−55~+125
°C
∗Ta=25°C以上で使用する場合は、1°Cにつき8mWを減じる。
!推奨動作条件
推奨動作条件（Ta=25°C）
推奨動作条件
Parameter
電源電圧
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
VCC
3.0
3.3
5.5
V
1/7
BH3515FV
光ディスク IC
!ブロックダイアグラム
ブロックダイアグラム
−
1
PD
26
F
25
E
24
VREF
Balance Control
23
TBAL
Balance Control
22
FBAL
21
GCTL
20
SPDCTL
19
FEN
18
FEO
17
TEN
16
TEO
15
NRFDET
+
3
B
+
VCC
27
−
2
A
+
(Invert)
LD
28
−
+
−
−
+
12k
+
−
−
+
−
VGA
Subtraction
B−A
FBAL⊕→A⊕
14
VGA
OFTR
Subtraction
13
VGA
CSBRT
E−F
TBAL⊕→F⊕
12
VGA
BDO
+
+
11
RF DET
CSBDO
BDO
10
ENV DET
ENVO
+
9
−
CEA
−
8
12k
ARF
+
7
−
CAGC
SPD
6
(Invert)
GND
2k
−
EQ
5
AGC
RFI
+
4
RFO
2k
−
+
−
OFTR
+
!各端子説明
各端子説明
Pin No. Pin name
Functions
Pin No. Pin name
Functions
1
PD
APC入力端子
16
TEO
トラッキングエラーAmp出力端子
2
LD
APC出力端子
17
TEN
トラッキングエラーAmp反転入力端子
3
VCC
電源端子
18
FEO
フォーカスエラーAmp出力端子
4
RFO
RF加算アンプ出力端子
19
FEN
フォーカスエラーAmp反転入力端子
5
RFI
AGC入力端子
6
GND
20
SPDCTL
接地端子
CAGC
8
ARF
AGC出力端子
9
CEA
3Tエンベロープ用容量接続端子
10
ENVO
11
CSBDO
"Hi-Z"=×1.5倍速, "High"=×2倍速)
ゲイン切り換え端子
AGC用容量接続端子
7
倍速切り換え端子 ("Low"=×1倍速,
21
GCTL
("High"=ゲインUP･RW用
"Hi-Z"=ゲインノーマル, "Low"=LD-OFF
AGC-OFF)
3T成分揺れ検出出力端子
22
FBAL
フォーカスバランス用端子
ブラックドット用容量接続端子
23
TBAL
トラッキングバランス用端子
VREF出力端子
12
BDO
ブラックドット検出出力端子
24
VREF
13
CSBRT
オフトラック用容量接続端子
25
E
トラッキング信号入力端子
14
OFTR
オフトラック検出出力端子
26
F
トラッキング信号入力端子
27
B
フォーカス信号入力端子
28
A
フォーカス信号入力端子
15
NRFDET RF信号振幅検出出力端子
2/7
BH3515FV
光ディスク IC
!電気的特性
電気的特性（特に指定のない限り
Ta=25°C, VCC=3.3V）
電気的特性
Parameter
Symbol
無負荷消費電流
IQ
VREF出力電圧
VREF
Min.
Typ.
Max.
Unit
15
20
25
mA
VCC∗0.45 VCC∗0.5 VCC∗0.55
Conditions
V
<フォーカスエラーAMP>
出力オフセット電圧
VFEOF
−60
0
60
mV
バランス・クロストーク量
VFEBC
−200
−
200
mV
VFB=VREF±1V印加
ゲイン1（ノーマル時）
ゲイン2（RW時）
GFO1
GFO2
7.2
19
9.2
21
11.2
23
dB
dB
RFE=33kΩ, GCTL=Hi-Z, Low
RFE=33kΩ, GCTL=High
相対ゲイン差
∆GFO
−15
0
15
%
A入力、B入力の差
可変範囲1−H
BF1H
0.2
0.4
0.6
−
VFB=VREF+1V, B入力
可変範囲1−L
BF1L
1.3
1.6
1.9
−
VFB=VREF−1V, B入力
可変範囲2−H
BF2H
1.3
1.6
1.9
−
VFB=VREF+1V, A入力
可変範囲2−L
BF2L
0.2
0.4
0.6
−
周波数特性
GFO
−3.0
0
−
dB
VFB=VREF−1V, A入力
f=1kHz, 30kHz
<トラッキングエラーAMP>
出力オフセット電圧
VTROF
−60
0
60
mV
バランス・クロストーク量
VTRBC
−200
−
200
mV
VTB=VREF±1V印加
ゲイン1（ノーマル時）
GTR1
6.3
8.3
10.3
dB
RTIN=10kΩ, RTE=33kΩ, GCTL=Hi-Z, Low
ゲイン2（RW時）
GTR2
15.5
17.5
19.5
dB
RTIN=10kΩ, RTE=33kΩ, GCTL=High
相対ゲイン差
∆GTR
−15
0
15
%
E入力、F入力の差
可変範囲1−H
BT1H
0.2
0.4
0.6
−
VTB=VREF+1V, E入力
可変範囲1−L
BT1L
1.3
1.6
1.9
−
VTB=VREF−1V, E入力
可変範囲2−H
BT2H
1.3
1.6
1.9
−
VTB=VREF+1V, F入力
可変範囲2−L
BT2L
0.2
0.4
0.6
−
周波数特性
GTR
−3.0
0
−
dB
f=1kHz, 30kHz
<RF加算AMP>
出力直流電圧
VRFDC
−600
−400
−200
mV
A,B=VREF+250mV
ゲイン1（ノーマル時）
GRF1
4
6
8
dB
GCTL=Hi-Z, Low
ゲイン2（RW時）
GRF2
16
18
20
dB
GCTL=High
出力ソース電流
ISORFO
2
−
−
mA
出力シンク電流
ISIRFO
0.8
1.5
−
mA
<RFDET>
RFDET検出レベル
VTB=VREF−1V, F入力
VRFDET
70
100
130
mVP-P
RFDET出力"H"レベル
VRFH
VCC−0.5
−
−
V
無入力
RFDET出力"L"レベル
VRFL
−
−
0.5
V
f=500kHz, 200mVP-P
f=500kHz, RFDET=H→L
<AGC / EQ>
AGC MAXゲイン
GAGCMAX
10
12
14
dB
AGC 動作レベル1
VOPAGC1
580
700
820
mVP-P
AGC 動作レベル2
VOPAGC2
0.95
1.15
1.35
VP-P
VCC=5V, f=500kHz, VIN=500mVP-P
周波数特性1
Gf1
2
3.5
5
dB
f=144k/720k, SPDCTL=Low, CAGC固定電位
周波数特性2
Gf2
2
3.5
5
dB
f=216k/1.08M, SPDCTL=Hi-Z
周波数特性3
Gf3
2
3.5
5
dB
f=288k/1.44M, SPDCTL=High
出力ソース電流
ISOARF
2
−
−
mA
出力シンク電流
ISIARF
2
−
−
mA
<BDO>
BDO検波電流
VCC=3.3V, f=500kHz, VIN=500mVP-P
IBDO
0.8
1.2
1.6
µA
BDO出力"H"レベル
VBDOH
VCC−0.5
−
−
V
f=2kHz
矩形波
BDO出力"L"レベル
VBDOL
−
−
0.5
V
f=2kHz
矩形波
3/7
BH3515FV
光ディスク IC
Parameter
<OFTR>
OFTR検波電流
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
IOFTR
0.6
1.0
1.4
µA
OFTR出力"H"レベル
VOFTRH
VCC−0.5
−
−
V
f=2kHz
矩形波
OFTR出力"L"レベル
VOFTRL
−
−
0.5
V
f=2kHz
矩形波
<LD−APC>
LD設定電圧
VLD
155
170
185
mV
VLDOFF
3.2
3.3
−
V
<3T ENV>
CEA−ENV伝達特性
GENV
21
23
25
dB
CEA入力インピーダンス
RCEA
8
10
12
KΩ
LD_OFF時LD端子電圧
RENV
8
10
12
KΩ
ENV−AMPオフセット電圧
VENVOF
−100
0
100
mV
ENV波形入力時出力振幅
VENVO
−14
−11
−8
dBV
<GCTL/SPDCTL端子>
Highスレッショルド電圧
VCTLH
VCC∗0.7
−
−
V
Lowスレッショルド電圧
VCTLL
−
−
VCC∗0.2
V
Hi−Z時出力電圧
VCTLZ
VCC∗0.35 VCC∗0.4 VCC∗0.45
V
<PU信号入力端子>
A/B入力端子インピーダンス
RABIN
8
10
12
kΩ
E/F入力端子インピーダンス
REFIN
1.4
1.8
2.2
kΩ
ENV出力インピーダンス
GCTL=Low
!電気的特性測定方法
電気的特性測定方法
測定方法
Parameter
無負荷消費電流
VREF出力電圧
<フォーカスエラーAMP>
出力オフセット電圧
VCC=3.3V時のIC消費電流を測定
VREF(24pin)のDC電圧を測定
FEO(18pin)のDC電圧を測定
バランス・クロストーク量
VFB=VREF+1V時とVREF−1V時とでのFEO(18pin)端子出力電圧の変化量
ゲイン1（ノーマル時）
ゲイン2（RW時）
A端子(28pin)[B端子(27pin)]にDC電圧を入力しFEO(18pin)の電圧変化より求める
GCTL="High"にし、「ゲイン1」と同様に測定
相対ゲイン差
A入力時のゲインとB入力時のゲインの比
可変範囲1−H
B入力時、測定回路図中のVFBをVREF+1Vにし、VFB=VREF時のゲインとのゲイン比を求める
可変範囲1−L
B入力時、測定回路図中のVFBをVREF−1Vにし、VFB=VREF時のゲインとのゲイン比を求める
可変範囲2−H
A入力時、測定回路図中のVFBをVREF+1Vにし、VFB=VREF時のゲインとのゲイン比を求める
可変範囲2−L
A入力時、測定回路図中のVFBをVREF−1Vにし、VFB=VREF時のゲインとのゲイン比を求める
A端子(28pin)にf=1kHz、300mVP-P、DCバイアス=VREF+200mVの信号入力時と、
f=30kHzの信号入力時とのFEO(18pin)のゲイン差を測定
周波数特性
<トラッキングエラーAMP>
出力オフセット電圧
TEO(16pin)のDC電圧を測定
バランス・クロストーク量
VTB=VREF+1V時とVREF−1V時とでのTEO(16pin)のDC電位差を測定
ゲイン1（ノーマル時）
ゲイン2（RW時）
F端子(26pin)[E端子(25pin)]にDC電圧を入力しTEO(16pin)の電圧変化より求める
GCTL="High"にし、「ゲイン1」と同様に測定
相対ゲイン差
F入力時のゲインとE入力時のゲインの比
可変範囲1−H
E入力時、測定回路図中のVTBをVREF+1Vにし、VFB=VREF時のゲインとのゲイン比を求める
可変範囲1−L
E入力時、測定回路図中のVTBをVREF−1Vにし、VFB=VREF時のゲインとのゲイン比を求める
可変範囲2−H
F入力時、測定回路図中のVTBをVREF+1Vにし、VFB=VREF時のゲインとのゲイン比を求める
可変範囲2−L
F入力時、測定回路図中のVTBをVREF−1Vにし、VFB=VREF時のゲインとのゲイン比を求める
F端子(26pin)にf=1kHz、300mVP-P、DCバイアス=VREF+200mVの信号入力時と、
f=30kHzの信号入力時とのTEO(16pin)のゲイン差を測定
周波数特性
4/7
BH3515FV
光ディスク IC
測定方法
Parameter
<RF加算AMP>
出力直流電圧
A・B端子にVREF+250mVのDC電圧を入力し、RFO(4pin)のDC電圧を測定
ゲイン1（ノーマル時）
ゲイン2（RW時）
A端子(B端子)にDC電圧を入力し、RFO(4pin)の電圧変化より求める
GCTL="High"にし、「ゲイン1」と同様に測定
出力ソース電流
RFO出力に外部から2mAの電流を引き出し、RFO出力がLow側に張り付かないことを確認
出力シンク電流
RFO出力に外部から0.8mAの電流を流し込み、RFO出力がHigh側に張り付かないことを確認
<RFDET>
RFDET出力"H"レベル
RFI(5pin)にf=500kHzの正弦波を入力し、
RFDET出力(15pin)がHigh→Lowに切り替わるときの入力振幅レベル
RFI入力に信号を入力しないときのRFDET出力のDC電圧を測定
RFDET出力"L"レベル
RFI入力にf=500kHz、200mVP-Pの正弦波を入力し、RFDET出力のDC電圧を測定
RFDET検出レベル
<AGC/EQ>
AGC MAXゲイン
AGC 動作レベル1
AGC 動作レベル2
周波数特性1
RFI(5pin)にDC電圧を直接入力し(VREF±50mV)、ARF(8pin)の電圧変化より求める
VCC=3.3V設定にし、RFI(5pin)にf=500kHz、500mVP-Pの正弦波を入力し、
ARF(8pin)の出力振幅を測定
VCC=5V設定にし「AGC動作レベル1」と同様の測定を行なう
SPDCTL端子(20pin)="Low"(1倍速モード)にし、CAGC端子(7pin)に外部電圧印加を行い
AGCのゲインを固定させる。RFI(5pin)にf=144kHzの正弦波を入力したときと、
f=720kHzの正弦波を入力したときとの、ARF端子の出力の振幅変化を求める。
出力ソース電流
SPDCTL端子(20pin)="OPEN"(1.5倍速モード)にし「周波数特性1」と同様の測定を行う。
[入力周波数がf=216kHzと1.08MHzとでの差を見る。]
SPDCTL端子(20pin)="High"(2倍速モード)にし「周波数特性1」と同様の測定を行う。
[入力周波数がf=288kHzと1.44MHzとでの差を見る。]
ARF出力に外部から2mAの電流を引き出し、ARF出力がLow側に張り付かないことを確認
出力シンク電流
ARF出力に外部から2mAの電流を流し込み、ARF出力がHigh側に張り付かないことを確認
周波数特性2
周波数特性3
<BDO>
BDO検波電流
BDO出力"H"レベル
BDO出力"L"レベル
<OFTR>
OFTR検波電流
OFTR出力"H"レベル
OFTR出力"L"レベル
CSBDO端子(11pin)にDC電圧(2.8V)を印加し、流出する電流値を測定
RFI(5pin)に、f=2kHz、500mVP-Pの矩形波を入力したときの
BDO出力(12pin)の"High"レベルと"Low"レベルを測定
CSBRT端子(13pin)にDC電圧(2.8V)を印加し、流出する電流値を測定
RFI(5pin)に、f=2kHz、500mVP-Pの矩形波を入力したときの
OFTR出力(14pin)の"High"レベルと"Low"レベルを測定
<LD−APC>
LD設定電圧
PD端子(1pin)にDC電圧を印加し、LD端子(2pin)の出力が
High/Lowに切り替わるスレッショルドを測定
LD_OFF時LD端子電圧
GCTL端子(21pin)="Low"にしたときの、LD端子電圧を測定
<3T ENV>
CEA入力インピーダンス
CEA(9pin)−ENVO(10pin)間のゲインを測定。
CEA端子に電流を流し込み(±2µA)、CEA端子とENVO端子の電圧変化より求める
CEA端子に電流を流し込み(±2µA)、CEA端子の電圧変化より求める
ENV出力インピーダンス
ENVO端子(10pin)に電流を流し込み、ENVO端子の電圧変化より求める
ENV−AMPオフセット電圧
ENV波形入力時出力振幅
ENVO端子(10pin)の電圧を測定
RFI端子(5pin)に下記のエンベロープ波形を入力し、ENVO端子(10pin)の出力振幅を測定
CEA−ENV伝達特性
5pin入力信号
100mVP-P
f=10kHz
f=700kHz
500mVP-P
100mVP-P
<GCTL/SPDCTL端子>
Highスレッショルド電圧
GCTL/SPDCTL端子の入力電圧がVCC×0.7以上のとき"High"入力となること
Lowスレッショルド電圧
GCTL/SPDCTL端子の入力電圧がVCC×0.2以下のとき"Low"入力となること
Hi−Z時出力電圧
GCTL/SPDCTL端子をオープンにしたときのDC電圧値
<PU信号入力端子>
A/B入力端子インピーダンス
A端子(B端子)にDC電圧(VREF+1V)を印加し、端子に流入する電流値より求める
E/F入力端子インピーダンス
E端子(F端子)にDC電圧(VREF+0.2V)を印加し、端子に流入する電流値より求める
5/7
BH3515FV
光ディスク IC
!測定回路図
測定回路図
2
2
VREF
1
1
V
1µ
SW25A
SW26A
VTB
VFB
2
10k
A
V
1
1
V V
33k
33k
18
17
NRFDET
19
TEO
20
TEN
21
FEO
22
FEN
23
GCTL
24
FBAL
25
TBAL
E
26
16
V
15
+
−
+
−
−
+
+
−
Balance Control
2k
+
−
Balance Control
2k
27
VREF
SW25B
B
A
28
V
68k
68k
2
2
SW26B
V V
SW20
1
10k
A
F
A
2
SW21
1
−
+
12k
+
−
VGA
Subtraction
−
+
12k
+
−
B−A
FBAL⊕→A⊕
VGA
−
+
VGA
Subtraction
−
E−F
TBAL⊕→F⊕
VGA
+
−
+
SPD
−
+
RF DET
OFTR
(Invert)
+
−
(Invert)
AGC
EQ
BDO
V
2
0.1µ
V
OFTR
12
CSBRT
BDO
11
13
14
V V
V
2200p
V
SW7
1
10
2200p
IQ
A
SW5B
2
9
CSBDO
8
ENVO
CEA
7
V
1
VLD
6
ARF
5
CAGC
4
GND
RFI
RFO
3
330p
A
2
VCC
1
LD
ENV DET
PD
A
SPDCTL
2
1
SW27A
V
V
1µ
SW5A
1
2
4
3
MOD
AS5
0.033µ
2
1
SW28
2
IBDO
PS5
1
2
1
SW13
SW11
A
IS9
A
IOFTR
6/7
BH3515FV
光ディスク IC
!応用例
応用例
68k
22
Balance Control
RFE
RTE
17
18
19
NRFDET
20
TEN
21
FEO
SPDCTL
FBAL
23
CTE
16
15
2k
+
−
−
+
−
+
+
+
−
−
2k
24
0.1µ
Balance Control
25
0.1µ
1µ
TBAL
VREF
RTIN
26
27
28
E
RTIN
F
B
A
A+C
FEN
GCTL
F
E
CFE
B+D
TEO
68k
B C
A D
12k
12k
−
+
+
−
VGA
Subtraction
−
+
+
−
B−A
FBAL⊕→A⊕
VGA
−
+
VGA
Subtraction
−
VGA
−
+
+
E−F
TBAL⊕→F⊕
SPD
−
+
RF DET
OFTR
(Invert)
+
−
(Invert)
AGC
EQ
BDO
ENV DET
2200p
13
2200p
14
OFTR
0.01µ
12
CSBRT
0.033µ
11
BDO
CEA
ARF
CAGC
GND
0.1µ
10
9
8
7
CSBDO
1µ
6
ENVO
10µ
5
4
RFI
VCC
LD
PD
3
RFO
2
1
10
2.2k
!外形寸法図
外形寸法図（Units
: mm）
外形寸法図
10.0±0.2
15
1
14
1.15±0.1
0.1
0.3Min.
7.6±0.3
5.6±0.2
28
0.65
0.15±0.1
0.1
0.22±0.1
SSOP-B28
7/7