European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Marketing Information DD 230 S 28,5 35 6 115 80 9 18 M8 18 92 AK K A March 1998 DD 230 S Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Maximum rated values Periodische RückwärtsSpitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage t vj = -40°C...+ 150°C V RRM Rückwärts-Stoßspitzenspannung non-repetitive peak reverse voltage t vj = +25°C...+ 150°C V RSM Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current I FRMSM t c = 100°C 1800 2000 2200 2400 2600 1900 2100 2300 2500 2700 410 I FAVM t c = 91°C Stoßstrom-Grenzwert surge forward current t vj = 25°C, t p = 10 ms I FSM t vj = t vj max, t p = 10 ms Grenzlastintegral ∫I 2 t-value t vj = 25°C, t p = 10 ms V V A 230 A 261 A 9000 A 7500 A 405000 A 2s 281000 A 2s max. 1,74 V ∫I 2 t t vj = t vj max, t p = 10 ms Charakteristische Werte Characteristic values Durchlaßspannung forward voltage t vj = t vj max, i F = 800 A vF Schleusenspannung threshold voltage t vj = t vj max V (TO) 1,0 V Ersatzwiderstand forward slope resistance t vj = t vj max rT 0,8 mΩ Rückwärts-Sperrstrom reverse current t vj = t vj max, v R = V RRM iR max. 160 mA Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. V ISOL 3 kV Thermische Eigenschaften Thermal properties thermal resistance, junction Θ =180°el. sin: pro Modul/per module R thJC to case pro Zweig/per arm Innerer Wärmewiderstand Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink max. 0,075 °C/W max. 0,150 °C/W DC: pro Modul/per module max. 0,072 °C/W pro Zweig/per arm max. 0,144 °C/W pro Modul/per module R thCK pro Zweig/per arm max. 0,02 °C/W max. 0,04 °C/W Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature t vj max Betriebstemperatur operating temperature t c op -40...+150 °C Lagertemperatur storage temperature t stg -40...+150 °C 1) Mechanische Eigenschaften Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellets with pressure contact Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmomente tightening torques 150 °C AIN mechanische Befestigung mounting torque Toleranz/tolerance +/- 15% M1 6 Nm elektrische Anschlüsse terminal connection torque Toleranz/tolerance +5%/-10% M2 12 Nm Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance G f = 50 Hz 1) Gemäß DIN IEC 749 mit 747-1 gilt eine Zeitbegrenzung von 672 h. Für die im Betrieb auftretende Gehäusetemperatur gilt keine zeitliche Begrenzung. 1) According to DIN IEC 749 with 747-1 a time-limit of 672 h is defined. There is no time-limit set for case temperture during operation. typ. 800 g 17 mm 5 ⋅ 9,81 m/s² DD 230 S 3000 600 -diF/dt trr ts IRM [A] iFM= tf 1600 A 800 A 400 A 0 400 3200 A -diF/dt trr ts Qs [µAs] 2000 tf 0 iFM= 200 A 1600A 800A 100 A 200 50 A 0 50 100 150 200 250 -diF/dt [A/µs] DD230F/6 400A 200A 100A 50A 0 50 100 150 0.16 2 1 0.14 ZTH [°C/W] 3 4 5 Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC pro Zweig für DC Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC per arm for DC Pos. n R thn [°C/W] τ n [s] 0.1 0.08 1 2 3 0.06 ZthJC = 0.04 nmax ΣR n=1 0.02 10-2 2 34 6 10-1 2 34 6 100 2 34 6 10 1 2 34 62 10 T [s] DD 230 S/5 Bild / Fig. 3 Transienter innerer Wärmewiderstand ZthJC für einen Zweig 1. Konstantstrom 2. Sinus f= 50 Hz Stromflußwinkel 180° 3. Rechteck f= 50 Hz Stromflußwinkel 180° 4. Rechteck f= 50 Hz Stromflußwinkel 120° 5. Rechteck f= 50 Hz Stromflußwinkel 60° 30 -diF/dt 25 trr trr [µs] 20 ts tf 0 iFM= 15 10 5 3200A 1600A 800A 400A 200A 100A 50A 0 0 50 DD230 S /8 100 150 200 -diF/dt [A/µs] Bild / Fig. 4 Sperrverzögerungszeit trr (Richtwert für obere Streubereichsgrenze) in Abhängigkeit von der abkommutierenden Stromsteilheit bei tvj =150°C, Vr =100V, VRM ≤ 200V. Parameter: Durchlaßstrom vor der Kommutierung. 250 4 5 0,0031 0,0097 0,0257 0,0529 0,0526 0,0009 0,008 0,11 0,61 3,06 Analytische Funktion / Analytical function: 2 34 6 250 Bild / Fig. 2 Sperrverzögerungsladung Qs (Richtwert für obere Streubereichsgrenze) in Abhängigkeit von der abkommutierenden Stromsteilheit bei tvj = 150°C, Vr =100V , VRM ≤ 200V. Parameter: Durchlaßstrom vor der Kommutierung. 0.18 10-3 200 -diF/dt [A/µs] DD230S/7 Bild / Fig. 1 Typische Abhängigkeit der oberen Rückstromspitze IRM von der abkommutierenden Stromsteilheit bei tvj = 150°C VR = 100V, VRM ≤ 200V Parameter: Durchlaßstrom vor der Kommutierung. 0 1000 0 0 3200A - τt n) thn (1-e 6 7