Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 401 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Tvj = 25°C VCES 1700 V TC = 80 °C IC,nom. 400 A TC = 25 °C IC 650 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 800 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 3,1 kW VGES +/- 20V V IF 400 A IFRM 800 A 2 I t 45 kA2s VISOL 4 kV Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP = 1 ms Grenzlastintegral der Diode 2 I t - value, Diode VR = 0V, t p = 10ms, T Vj = 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 2,6 3,1 V - 3,1 3,6 V VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC = 400A, V GE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat IC = 400A, V GE = 15V, Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC = 30mA , VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung gate charge VGE = -15V ... +15V QG - 4,8 - µC Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V Cies - 27 - nF Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,V CE = 25V, V GE = 0V Cres - 1,3 - nF VCE = 1700V, V GE = 0V, Tvj = 25°C ICES - - 5 mA Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE = 0V, V GE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 400 nA prepared by: Alfons Wiesenthal date of publication:28.03.2001 approved by: Christoph Lübke; 12.04.2001 revision: 2 (preliminary) Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current 1(8) FF401R17KF6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 401 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten preliminary data Charakteristische Werte / Characteristic values min. Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 1,8 W, Tvj = 25°C td,on VGE = ±15V, RG =1,8 W, Tvj = 125°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) VGE = ±15V, RG =1,8 W, Tvj = 25°C Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 400A, V CE = 900V Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) IC = 400A, V CE = 900V tr VGE = ±15V, RG = 3,6W, Tvj = 25°C td,off VGE = ±15V, RG = 3,6W, Tvj = 125°C VGE = ±15V, RG = 3,6W, Tvj = 25°C tf - 0,4 - µs - 0,4 - µs Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse IC = 400A, V CE = 900V, V GE = 15V Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse IC = 400A, V CE = 900V, V GE = 15V RG,on = 1,8 W, Tvj = 125°C, LS = 60nH RG = 3,6W, Tvj = 125°C, LS = 60nH - 0,15 - µs - 0,15 - µs - 1,1 - µs - 1,1 - µs - 0,1 - µs - 0,11 - µs Eon - 190 - mWs Eoff - 150 - mWs ISC - 1600 - A LsCE - 58 - nH RCC´+EE´ - 0,78 - mW min. typ. max. VGE = ±15V, RG = 3,6W, Tvj = 125°C tP £ 10µsec, V GE £ 15V TVj£125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt Modulinduktivität stray inductance module Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip module lead resistance, terminals - chip max. IC = 400A, V CE = 900V VGE = ±15V, RG =1,8 W, Tvj = 125°C Kurzschlußverhalten SC Data typ. IC = 400A, V CE = 900V pro Zweig / per arm Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage IF = 400A, V GE = 0V, Tvj = 25°C Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 400A, - diF/dt =2400 A/µsec VF IF = 400A, V GE = 0V, Tvj = 125°C VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25°C IRM VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge 2,1 2,5 V 2,1 2,5 V - 270 - A - 320 - A - 75 - µAs - 145 - µAs - 35 - mWs - 70 - mWs IF = 400A, - diF/dt =2400 A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25°C Qr VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy - IF = 400A, - diF/dt =2400 A/µsec VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 25°C VR = 900V, VGE = -10V, T vj = 125°C 2(8) Erec FF401R17KF6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FD 401 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten preliminary data Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max. - - 0,04 K/W - - 0,068 K/W RthCK - 0,04 0,02 Tvj - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature Tvj op -40 - 125 °C Lagertemperatur storage temperature Tstg -40 - 125 °C Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Transistor / transistor, DC RthJC Diode/Diode, DC pro Zweig / per arm pro Modul / per module lPaste = 1 W/m*K / lgrease = 1 W/m*K Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature K/W Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation AlN Kriechstrecke creepage distance 32 mm Luftstrecke clearance 19 mm CTI comperative tracking index >400 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque terminals M5 M1 5 Nm M2 4 Nm Nm Gewicht weight G 500 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) FD401R17KF6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 401 R 17 KF6C B2 Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE) vorläufige Daten preliminary data V GE = 15V 900 800 Tvj = 25°C 700 Tvj = 125°C IC [A] 600 500 400 300 200 100 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 4,5 5,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE) T vj = 125°C 900 800 vGE = 20V vGE = 15V 700 vGE = 12V vGE = 10V 600 vGE = 9V IC [A] vGE = 8V 500 400 300 200 100 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE [V] 4(8) FF401R17KF6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 401 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten preliminary data Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) IC = f (VGE) VCE = 20V 900 800 Tj = 25°C Tj = 125°C 700 IC [A] 600 500 400 300 200 100 0 5 6 7 8 9 10 11 12 13 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) IF = f (VF) 900 800 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 700 IF [A] 600 500 400 300 200 100 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) FF401R17KF6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 401 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten preliminary data Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) Rgon = 1,89 9, Rgoff =3,6 9, VCE = 900V, T j = 125°C, V GE = ± 15V Switching losses (typical) 900 Eoff 800 Eon Erec 700 E [mJ] 600 500 400 300 200 100 0 0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) IC = 400A , V CE = 900V , T j = 125°C, V GE = ± 15V 600 Eoff Eon 500 Erec E [mJ] 400 300 200 100 0 0 4 8 12 16 20 RG [9 9] 6(8) FF401R17KF6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 401 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten preliminary data Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) 0,01 Zth:Diode Zth:IGBT 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [sec] i ri [K/kW] : IGBT Ji [sec] : IGBT ri [K/kW] : Diode Ji [sec] : Diode 1 2 3 4 3,76 18,86 5,7 11,6 0,027 0,052 0,09 0,838 31,39 14,05 4,477 18,08 0,0287 0,0705 0,153 0,988 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) Rg = 3,6 Ohm, T vj= 125°C 900 800 700 600 IC [A] ZthJC [K / W] 0,1 IC,Modul 500 IC,Chip 400 300 200 100 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800 VCE [V] 7(8) FF401R17KF6CB2_V.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 401 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten preliminary data Äußere Abmessungen / external dimensions 9,75 for M5 C1 (K1) screwing depth max. 16 E1/C2 (A1/K2) 73 57 E2 (A2) DD... E1/C2 C1 E2 C1 C1 C1 C2/E1 G1 C1 C1 G1 G1 C2/E1 C2/E1 G2 E2 G2 5,5 2,8x0,5 E1/C2 E1/C2 (K2) 4 deep 26,4 E2 5 7 27,15 E2 (A2) 27,15 FD... 8(8) E2 FF... FF401R17KF6CB2_V.xls