Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 12 KL4C Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current VCES 1200 V TC = 80 °C IC,nom. 600 A TC = 25 °C IC 950 A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 1200 A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 3,9 kW VGES +/- 20V V IF 600 A IFRM 1200 A I2 t 80 kA2s VISOL 2,5 kV Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP = 1 ms Grenzlastintegral der Diode I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. Charakteristische Werte / Characteristic values min. typ. max. - 2,1 2,6 V - 2,4 2,9 V VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V Transistor / Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage IC = 600A, VGE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat IC = 600A, VGE = 15V, Tvj = 125°C Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage IC = 48mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung gate charge VGE = -15V...+15V QG - 6,5 - µC Eingangskapazität input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 45 - nF Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres - 2,9 - nF VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 25°C ICES - 0,01 1 mA - 1 - mA - - 600 nA Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current VCE = 1200V, VGE = 0V, Tvj = 125°C Gate-Emitter Reststrom gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C prepared by: Mark Münzer date of publication: 02.09.1999 approved by: M. Hierholzer revision: 2 1(8) IGES Seriendatenblatt_FF600R12KL4C.xls Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 12 KL4C Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 1,6Ω, T vj = 25°C Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) IC = 600A, VCE = 600V Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) IC = 600A, VCE = 600V td,on VGE = ±15V, RG = 1,6Ω, T vj = 25°C tr VGE = ±15V, RG = 1,6Ω, T vj = 125°C VGE = ±15V, RG = 1,6Ω, T vj = 25°C td,off VGE = ±15V, RG = 1,6Ω, T vj = 125°C VGE = ±15V, RG = 1,6Ω, T vj = 25°C - 0,58 - µs - 0,6 - µs - 0,16 - µs - 0,16 - µs - 0,83 - µs - 0,99 - µs tf - 0,09 - µs - 0,1 - µs Eon - 100 - mWs Eoff - 90 - mWs ISC - 4000 - A LsCE - 20 - nH RCC‘+EE‘ - 0,18 - mΩ min. typ. max. - 1,8 2,3 V - 1,7 2,2 V - 360 - A - 480 - A - 50 - µAs - 108 - µAs - 15 - mWs - 35 - mWs IC = 600A, VCE = 600V, VGE = 15V RG = 1,6Ω, T vj = 125°C, LS = 70nH IC = 600A, VCE = 600V, VGE = 15V Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse RG = 1,6Ω, T vj = 125°C, LS = 70nH Kurzschlußverhalten SC Data T Vj≤125°C, VCC=900V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V, RG = 1,6Ω Modulinduktivität stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse – Chip module lead resistance, terminals – chip max. IC = 600A, VCE = 600V VGE = ±15V, RG = 1,6Ω, T vj = 125°C Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse typ. IC = 600A, VCE = 600V VGE = ±15V, RG = 1,6Ω, T vj = 125°C Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) min. T C=25°C Charakteristische Werte / Characteristic values Diode / Diode Durchlaßspannung forward voltage IF = 600A, VGE = 0V, Tvj = 25°C Rückstromspitze peak reverse recovery current IF = 600A, - diF/dt = 3700A/µsec VF IF = 600A, VGE = 0V, Tvj = 125°C VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C IRM VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C Sperrverzögerungsladung recovered charge IF = 600A, - diF/dt = 3700A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C Qr VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy IF = 600A, - diF/dt = 3700A/µsec VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 25°C VR = 600V, VGE = -15V, Tvj = 125°C 2(8) Erec Seriendatenblatt_FF600R12KL4C Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 12 KL4C Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Transistor, DC, pro Modul / per module min. typ. max. - - 0,016 RthJC Transistor, DC, pro Zweig / per arm - - 0,032 K/W Diode/Diode, DC, pro Modul / per module - - 0,032 K/W - - 0,064 K/W - 0,006 - K/W - 0,012 - K/W Diode/Diode, DC, pro Zweig / per arm Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink K/W RthCK pro Modul / per module pro Zweig / per arm; λ Paste / λ grease = 1 W/m*K Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature T vj - - 150 °C Betriebstemperatur operation temperature T op -40 - 125 °C Lagertemperatur storage temperature T stg -40 - 125 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Innere Isolation internal insulation Al2O3 Kriechstrecke creepage distance 17 mm Luftstrecke clearance 10 mm CTI comperative tracking index 275 Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque terminals M4 M1 4,25 5 5,75 Nm M2 1,7 2 2,3 Nm 10 Nm terminals M8 Gewicht weight 8 G 1500 g Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. 3(8) Seriendatenblatt_FF600R12KL4C Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 12 KL4C Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE) VGE = 15V 1200 1000 Tj = 25°C Tj = 125°C IC [A] 800 600 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 VCE [V] Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) IC = f (VCE) Tvj = 125°C 1200,00 VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V 1000,00 VGE = 11V VGE = 9V VGE = 7V IC [A] 800,00 600,00 400,00 200,00 0,00 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 VCE [V] 4(8) Seriendatenblatt_FF600R12KL4C Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 12 KL4C Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) IC = f (VGE) VCE = 20V 1200 Tj = 25°C 1000 Tj = 125°C IC [A] 800 600 400 200 0 5 6 7 8 9 10 11 12 VGE [V] Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) IF = f (VF) 1200 Tj = 25°C 1000 Tj = 125°C IF [A] 800 600 400 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VF [V] 5(8) Seriendatenblatt_FF600R12KL4C Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 12 KL4C Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC) Switching losses (typical) VGE = +15V, Rgon = Rgoff =1,6 Ω , VCE = 600V, Tj = 125°C 350 Eoff 300 Eon Erec E [mJ] 250 200 150 100 50 0 0 200 400 600 800 1000 1200 IC [A] Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG) VGE = +15V, IC = 600A , VCE = 600V , Tj = 125°C 400 Eoff Eon 350 Erec 300 E [mJ] 250 200 150 100 50 0 0 2 4 6 8 10 12 RG [Ω Ω] 6(8) Seriendatenblatt_FF600R12KL4C Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 12 KL4C Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance ZthJC = f (t) 0,01 Zth:Diode pro Zweig / per arm Zth:IGBT pro Zweig / per arm 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [sec] i ri [K/kW] : IGBT τi [sec] : IGBT ri [K/kW] : Diode τi [sec] : Diode 1 2 3 4 14,6 12,6 2,2 2,4 0,004 0,04 0,19 0,5 27,2 15 17,2 4,6 0,003 0,03 0,05 0,5 Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE = +15V, Rg = 1,6Ohm, Tvj= 125°C 1400 1200 1000 IC [A] ZthJC [K / W] 0,1 IC,Modul 800 IC,Chip 600 400 200 0 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 VCE [V] 7(8) Seriendatenblatt_FF600R12KL4C Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FF 600 R 12 KL4C 8(8) Seriendatenblatt_FF600R12KL4C