European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Marketing Information FZ 800 R 12 KF 4 61,5 18 M8 screwing depth max. 8 130 114 31,5 C C E E E G C 16,5 7 M4 28 2,5 18,5 external connection to be done C C C G E E E external connection to be done A15/97 Mod-E/ 21.Jan 1998 G.Schulze FZ 800 R 12 KF4 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung collector-emitter voltage DC-collector current repetitive peak collctor current total power dissipation gate-emitter peak voltage DC forward current repetitive peak forw. current insulation test voltage tp=1 ms tC=25°C, Transistor /transistor tp=1ms RMS, f=50 Hz, t= 1 min. VCES IC ICRM Ptot VGE IF IFRM VISOL Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Gate-Schwellenspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom gate threshold voltage input capacity collector-emitter cut-off current Gate-Emitter Reststrom Emitter-Gate Reststrom Einschaltzeit (induktive Last) gate leakage current gate leakage current turn-on time (inductive load) Speicherzeit (induktive Last) Fallzeit (induktive Last) iC=800A, vGE=15V, t vj=25°C iC=800A, vGE=15V, t vj=125°C iC=32mA, vCE=vGE, tvj=25°C fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V, vGE=0V vCE=1200V, vGE=0V, t vj=25°C vCE=1200V, vGE=0V, t vj=125°C vCE=0V, vGE=20V, t vj=25°C vCE=0V, vEG=20V, t vj=25°C iC=800A,vCE=600V vL= ± 15V, R G=1,8 , tvj=25°C vCE sat vGE(th) Cies iCES iGES iEGS ton storage time (inductive load) vL= ± 15V, R G=1,8 , tvj=125°C iC=800A,vCE=600V vL= ± 15V, R G=1,8 , tvj=25°C ts fall time (inductive load) vL= ± 15V, R G=1,8 , tvj=125°C iC=800A,vCE=600V vL= ± 15V, R G=1,8 , tvj=25°C tf Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energie loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energie loss per pulse vL= ± 15V, R G=1,8 , tvj=125°C iC=800A,vCE=600V,Ls=70nH vL= ± 15V, R G=1,8 , tvj=125°C iC=800A,vCE=600V,Ls=70nH vL= ± 15V, R G=1,8 , tvj=125°C max. 3,2 3,9 6,5 400 400 V V V nF mA mA nA nA min. 4,5 - typ. 2,7 3,3 5,5 55 11 65 - - 0,7 - µs - 0,8 - µs - 0,9 1,0 - µs - µs - 0,10 0,15 - µs - µs - 130 - mWs - 120 - mWs - 2,2 2,0 2,7 V 2,5 V - 280 480 - A - A - 35 100 - µAs - µAs Eoff Charakteristische Werte / Characteristic values Inversdiode / Inverse diode forward voltage vF Rückstromspitze peak reverse recovery current iF=800A, vGE=0V, t vj=25°C iF=800A, vGE=0V, t vj=125°C iF=800A,-di/dt = 4kA/µs vRM=600V, vGE=10V, t vj=25°C vRM=600V, vGE=10V, t vj=125°C iF=800A,-di/dt = 4kA/µs vRM=600V, vGE=10V, t vj=25°C vRM=600V, vGE=10V, t vj=125°C Transistor / transistor, DC Diode /diode, DC pro Modul / per Module pro Modul / per Module Transistor / transistor RthJC recovered charge V A A W V A A kV Eon Durchlaßspannung Sperrverzögerungsladung 1200 800 1600 5400 ± 20 800 1600 2,5 IRM Qr Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand Höchstzul. Sperrschichttemperatur Betriebstemperatur Lagertemperatur thermal resistance, case to heatsink max. junction temperature operating temperature storage temperature RthCK tvj max tc op tstg 0,023 0,044 0,01 150 -40...+125 -40...+125 °C/W °C/W °C/W °C °C °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage Innere Isolation Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse case, see appendix internal insulation mounting torque terminal connection torque Gewicht weight terminals M6 / tolerance +/-15% terminals M4 / tolerance +/-15% terminals M8 M1 M2 G Bedingung für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection tfg = 10 µs VCC = 750 V vL = ±15 V vCEM = 900 V iCMK1 7000 A RGF = RGR = 1,8 tvj = 125°C iCMK2 6000 A Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions v CEM = VCES - 15nH x |dic/dt| Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. Seite/page 1 AI2O3 5 2 8...10 ca. 1500 Nm Nm Nm g FZ 800 R12 KF4 1600 1600 15V VGE=20V 12V 1400 1400 iC [A] 1200 iC [A] 1200 1000 1000 800 800 600 600 400 400 200 200 10V 9V 8V 0 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 0 1.0 5.0 v CE [V] FZ800R12KF4 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 v CE [V] FZ800R12KF4 Bild/Fig. 2 Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) Tvj = 125 °C Bild/Fig. 1 Kollektor-Emitter-Spannung im Sättigungsbereich (typisch) Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) VGE = 15V ----- Tvj = 25 °C ___ T = 125 °C vj 1600 2000 t vj = 125 °C 25 °C 1400 iC [A] iC 1600 [A] 1200 1000 1200 800 800 600 400 400 200 0 5 6 7 8 FZ800R12KF4 Bild/Fig. 3 Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) VCE = 20 V 9 10 v GE [V] 11 12 0 0 200 400 600 FZ800R12KF4 Bild/Fig. 4 Rückwärts-Arbeitsbereich Reverse biased safe operating area tvj = 125 °C, vLF = vLR = 15 V, RG = 1,8 800 1000 1200 v CE [V] 1400 FZ 800 R12 KF4 10-1 1600 6 Z(th)JC [°C/W] Diode 3 1400 iF [A] 1200 IGBT 2 1000 10-2 800 600 5 400 3 2 200 10-3 -3 10 2 4 10-2 2 4 10-1 2 4 FZ800R12KF4 Bild/Fig. 5 Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig (DC) Transient thermal impedance per arm (DC) 100 2 t [s ] 4 101 0 0.5 1.0 1.5 2.0 FZ800R12KF4 Bild/Fig. 6 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of the inverse diode (typical) tvj = 25 °C tvj = 125 °C 2.5 v F [V] 3.0