ETC XN0611FH(XN611FH)

複合トランジスタ
XN0611FH (XN611FH)
シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形
Unit : mm
2.90+0.20
–0.05
1.9±0.1
(0.95) (0.95)
• 1 パッケージに 2 素子内蔵(抵抗内蔵トランジスタ)
• 実装面積とアセンブリコストの半減が可能
2
1
(0.65)
3
0.30+0.10
–0.05
0.50+0.10
–0.05
■ 基本品種
1.1+0.2
–0.1
記号
定格
単位
コレクタ・ベース間電圧
(E 開放時)
項目
VCBO
−50
V
コレクタ・エミッタ間
電圧(B 開放時)
VCEO
−50
V
IC
−100
mA
コレクタ・ベース間電圧
(E 開放時)
VCBO
−50
V
コレクタ・エミッタ間
電圧(B 開放時)
VCEO
−50
V
コレクタ電流
IC
−100
mA
全許容損失
PT
300
mW
接合温度
Tj
150
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +150
°C
コレクタ電流
Tr2
総合
1 : Collector (Tr1)
2 : Base (Tr1)
3 : Collector (Tr2)
EIAJ : SC-74
0 to 0.1
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
1.1+0.3
–0.1
10˚
• UNR211F (UN211F) + UNR211H (UN211H)
Tr1
0.4±0.2
6
1.50+0.25
–0.05
5
2.8+0.2
–0.3
4
■ 特 長
5˚
スイッチング用 / デジタル回路用
0.16+0.10
–0.06
4 : Base (Tr2)
5 : Emitter (Tr2)
6 : Emitter (Tr1)
Mini6-G1 Package
形名表示記号 : 4S
内部接続図
4
5
6
Tr1
Tr2
3
2
1
注 ) 形名の( )内は，従来品番です
発行年月 : 2003年7月
SJJ00099BJD
1
XN0611FH
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
• Tr1部
項目
記号
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
IC = −10 µA, IE = 0
−50
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
IC = −2 mA, IB = 0
−50
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時)
ICBO
VCB = −50 V, IE = 0
− 0.1
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時)
ICEO
VCE = −50 V, IB = 0
− 0.5
µA
エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時)
IEBO
VEB = −6 V, IC = 0
−1.0
mA
hFE
VCE = −10 V, IC = −5 mA
直流電流増幅率
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VCE(sat)
条件
VOH
VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 1 kΩ
出力電圧ローレベル
VOL
VCC = −5 V, VB = −2.5 V, RL = 1 kΩ
R1
抵抗比率
R1 / R 2
トランジション周波数
fT
標準
最大
V
− 0.25
V
− 0.2
V
+30%
kΩ
−4.9
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
µA

30
−30%
単位
V
IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA
出力電圧ハイレベル
入力抵抗
最小
V
4.7
0.47

80
MHz
注 ) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
• Tr2部
項目
記号
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
IC = −10 µA, IE = 0
−50
V
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
IC = −2 mA, IB = 0
−50
V
コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時)
ICBO
VCB = −50 V, IE = 0
− 0.1
µA
コレクタ・エミッタ間遮断電流(B 開放時)
ICEO
VCE = −50 V, IB = 0
− 0.5
µA
エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時)
IEBO
VEB = −6 V, IC = 0
− 0.5
mA
直流電流増幅率
hFE
VCE = −10 V, IC = −5 mA
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
VCE(sat)
条件
VOH
VCC = −5 V, VB = − 0.5 V, RL = 1 kΩ
出力電圧ローレベル
VOL
VCC = −5 V, VB = −2.5 V, RL = 1 kΩ
R1
抵抗比率
R1 / R 2
トランジション周波数
fT
VCB = −10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz
注 ) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2
標準
SJJ00099BJD
最大
単位

30
IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA
出力電圧ハイレベル
入力抵抗
最小
− 0.25
−4.9
V
V
− 0.2
V
−30%
2.2
+30%
kΩ
0.17
0.22
0.27
80

MHz
XN0611FH
共通特性図
PT  Ta
500
全許容損失 PT (mW)
400
300
200
100
0
0
40
80
120
160
周囲温度 Ta (°C)
Tr1 部特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
IB = −1.0 mA
− 0.9 mA
− 0.8 mA
− 0.7 mA
− 0.6 mA
コレクタ電流 IC (mA)
−200
−160
−120
− 0.5 mA
−80
− 0.4 mA
− 0.3 mA
−40
0
− 0.2 mA
0
−2
−4
−6
− 0.1 mA
−10 −12
−8
120
−1
Ta = 75°C
25°C
− 0.1
25°C
80
− 0.01
− 0.1
−1
−10
0
−1
−100
コレクタ電流 IC (mA)
−104
VO = −5 V
Ta = 25°C
入力電圧 VIN (V)
2
−1 000
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−10
−102
3
−100
VIN  IO
−100
−103
4
−10
コレクタ電流 IC (mA)
IO  VIN
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
−25°C
−25°C
出力電流 IO (µA)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
Ta = 75°C
40
Cob  VCB
5
VCE = −10 V
−10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
160
IC / IB = 10
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
−100
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−240
−1
− 0.1
−10
1
0
− 0.1
−1
−10
−100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
−1
− 0.4
− 0.6
− 0.8
−1.0
−1.2
入力電圧 VIN (V)
SJJ00099BJD
−1.4
− 0.01
− 0.1
−1
−10
−100
出力電流 IO (mA)
3
XN0611FH
Tr2 部特性図
IC  VCE
VCE(sat)  IC
−100
コレクタ電流 IC (mA)
−100
−80
IB = − 0.5 mA
− 0.4 mA
−60
− 0.3 mA
−40
− 0.2 mA
−20
− 0.1 mA
0
0
−2
−4
−6
−8
−10
−12
−1
Ta = 75°C
25°C
−0.01
−1
2
−100
−1 000
−100
VO = − 0.2 V
Ta = 25°C
−1
− 0.1
−10
−100
コレクタ・ベース間電圧 VCB (V)
25°C
80
−25°C
− 0.01
− 0.1
−1
−10
出力電流 IO (mA)
SJJ00099BJD
0
−0.1
−1
−10
コレクタ電流 IC (mA)
1
0
−1
4
−10
コレクタ電流 IC (mA)
入力電圧 VIN (V)
コレクタ出力容量(入力開放時) Cob (pF)
3
Ta = 75°C
120
40
−25°C
−10
4
160
−0.1
VIN  IO
f = 1 MHz
IE = 0
Ta = 25°C
VCE = −10 V
200
Cob  VCB
5
IC / IB = 10
−10
コレクタ・エミッタ間電圧 VCE (V)
6
hFE  IC
240
直流電流増幅率 hFE
Ta = 25°C
コレクタ・エミッタ間飽和電圧 VCE(sat) (V)
−120
−100
−100
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項
(1)
本資料に記載の製品および技術で、
「外国為替及び外国貿易法」に該当するものを輸出する時、
ま
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(2)
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弊社もし
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ません。
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ありません。
(4)
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通信機器、
計測機器、
家電
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特別な品質、
信頼性が要求され、
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人体に危害を及ぼす
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(5)
本資料に記載しております製品および製品仕様は、
改良などのために予告なく変更する場合があ
りますのでご了承ください。
したがって、
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ご使用に際しましては、
事前に最新
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(6)
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特に最大定格、
動作電源電圧範囲、
放熱特性については保証範囲内でご使用いただ
きますようお願い致します。
保証値を超えてご使用された場合、
その後に発生した機器の欠陥につ
いては弊社として責任を負いません。
また、
保証値内のご使用であっても、
半導体製品について通常予測される故障発生率、
故障モード
をご考慮の上、
弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故、
火災事故、
社会的な損害などを生じ
させない冗長設計、
延焼対策設計、
誤動作防止設計などのシステム上の対策を講じて頂きますよう
お願い致します。
(7)
防湿包装を必要とする製品につきましては、
個々の仕様書取り交わしの折、
取り決めた条件 (保存
期間、
開封後の放置時間など)を守ってご使用ください。
(8)
本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに、
転載または複製することを堅くお断り
いたします。
2002 JUL