BH9598AFP-Y マルチメディア IC SCSI アクティブターミネータ BH9598AFP-Y この SCSI アクティブターミネータは従来のディスクリート型終端抵抗を置き換え、Ultra Fast SCSI に対応したもので す。VM Level (2.60V) と GND Level に対して、良好な整合性を保持しており、消費電力は非常に小さく、待機時にお いては最大 90mW (従来の抵抗型ターミネータでは待機時最大 990mW が必要) を達成しています。また、この SCSI アクティブターミネータにより、SCSI Line を電気的に制御することができ、イネーブル端子により電気的に制御する ことで、終端抵抗の接続・切り離しを行います。 !用途 PC 及び周辺機器､OA 機器､ディスクドライブ機器 !特長 1) 2.60V 電源内蔵。プッシュプル動作のため、どのような信号レベルに対しても、良好な整合性を提供。 2) イネーブル端子により、ターミネータの接続・切り離しが可能。SCSI ネットワークシステムの構築が容易。 3) 消費電力が小さく、システムの低消費電力化に最適。 消費電力 (待機時) 本ターミネータ : 90mW 従来抵抗型 : 990mW 消費電力 (25% Duty) 本ターミネータ : 614mW 従来抵抗型 : 1360mW 本ターミネータを適用することにより、大幅な消費電力の節約が可能。 4) 動作範囲が広い。 TERM Power : 3.8∼5.5V (Transient 6.0V) 5) 超小型・薄型で、省スペース化に最適。 Package Body Size : 13.6×5.4mm, Thickness : 1.9mm 6) 18 SCSI ラインをアクティブ終端可能。 7) サーマルシャットダウン内蔵。 8) SCSI-ΙΙΙ規格に対応。 9) ホットスワップに対応。 BH9598AFP-Y マルチメディア IC !絶対最大定格 (Ta=25°C) Parameter Symbol Limits Unit VDD1 −0.3~+7.0 V ∗1 ISLD −30 mA DC出力電流 ∗2 ISLS 35 mA 入力電圧 Vi −0.3~(VDD1+0.3) V 許容損失 ∗3 Pd 1.45 W 電源電圧 DC出力電流 動作温度範囲 Topr 0~+75 °C 保存温度範囲 Tstg −55~+125 °C ∗1 Drain current (from module to SCSI line) / line ∗2 Sick current (from SCSI line to module) / line ∗3 90mm×50mm×1.6mmガラスエポキシ基板実装時 !推奨動作条件 (Ta=25°C) Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit V VDD1 3.8 4.5 5.5∗ 入力電圧 (High) VIH VDD1−0.6 − VDD1+0.6 V 入力電圧 (Low) VIL −0.3 − 0.8 V SCSI Line 電圧 VSLX −0.3 − VDD1+0.3 V 電源電圧 ∗ Transient 6V BH9598AFP-Y マルチメディア IC !ブロックダイアグラム Not to be used (N.C.) 1 "L" : ENABLE "H" : DISCONNECT EN SCSI LINE 15 TSD Pullup-R 50kΩ 2 25 TSD MODE CONTROL 3 24 VM POW 23 SCSI LINE 14 to SW POW SCSI LINE 16 4 22 SCSI LINE 13 SCSI LINE 17 5 21 SCSI LINE 12 SCSI LINE 18 6 20 SCSI LINE 11 POW (PUSH-PULL) POW (PUSH-PULL) GND GND GND 7 SCSI LINE 1 8 110Ω Resistors SCSI LINE 2 9 19 SCSI LINE 10 POW (PUSH-PULL) POW (PUSH-PULL) SCSI LINE 3 10 18 SCSI LINE 9 17 SCSI LINE 8 SCSI LINE 4 11 16 SCSI LINE 7 (PUSH-PULL) 2.60V SUPPLY SCSI LINE 5 12 POW VDD1 13 2.60V GENERATER 15 SCSI LINE 6 POW (PUSH-PULL) 14 VDD1 (TRMPWR) ショットキー バリア ダイオード SYSTEM POWER 5.0V 0.1µ 2.2µ BH9598AFP-Y マルチメディア IC !端子説明 Pin No. Pin name Pin description 1 (N.C.) Not to be used 2 EN イネーブル端子 3 SCSI Line 15 SCSI ターミネータノード 4 SCSI Line 16 SCSI ターミネータノード 5 SCSI Line 17 SCSI ターミネータノード 6 SCSI Line 18 SCSI ターミネータノード -- GND GND 7 GND GND 8 SCSI Line 1 SCSI ターミネータノード 9 SCSI Line 2 SCSI ターミネータノード 10 SCSI Line 3 SCSI ターミネータノード 11 SCSI Line 4 SCSI ターミネータノード 12 SCSI Line 5 SCSI ターミネータノード 13 VDD1 ターミネータ電源端子 (TO/FROM) 14 VDD1 ターミネータ電源端子 (TO/FROM) 15 SCSI Line 6 SCSI ターミネータノード 16 SCSI Line 7 SCSI ターミネータノード 17 SCSI Line 8 SCSI ターミネータノード 18 SCSI Line 9 SCSI ターミネータノード 19 SCSI Line 10 SCSI ターミネータノード -- GND GND 20 SCSI Line 11 SCSI ターミネータノード 21 SCSI Line 12 SCSI ターミネータノード 22 SCSI Line 13 SCSI ターミネータノード 23 SCSI Line 14 SCSI ターミネータノード 24 VM 2.60Vノード 25 TSD サーマルシャットダウン出力 BH9598AFP-Y マルチメディア IC !入出力回路図 SCSI Line Potential VDD1 Level 2.60V GND Level 5.5V 2.60V 0V tτ=50ns ∆VMTD1 ∆VMTD2 ∆VMTS1 ∆VMTS2 VM τTD1 τTD2 τTS2 SCSI Line No.1 VDD1 + τTS1 SCSI Active Terminator + No.18 − VM Fig.1 Same Voltage as VDD1 − BH9598AFP-Y マルチメディア IC !電気的特性 (Ta=25°C) Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit Conditions 〈〈 DC特性 〉〉 Vi=GND VDD1=5.5V IIL 50 110 200 µA IIH −1 − 1 µA Vi=VDD1 VDD1=5.5V SCSI Line 漏洩電流 ISLZ −1 − 1 µA EN=VDD1 VDD1=5.5V SCSI Line Short 電流 ∗1 SCSI Line Short 電流 ∗2 ISLSS 20 21 24 mA EN=0.0, SCSI Line=0.2V, 3.8 ≤ VDD1 ≤ 5.5V ISLSD 13 22 27 mA EN=0.0, SCSI Line=VDD1, 3.8 ≤ VDD1 ≤ 5.5V 入力漏洩電流 VM電圧 3.8 ≤ VDD1 ≤ 5.5V VM 2.500 2.600 2.700 V IDDSTB − 0.08 1 mA EN=VDD1, 3.8 ≤ VDD1 ≤ 5.5V SCSI Total Sink 電流 ISLS 300 − 430 mA EN=0.0, 18 SCSI Line=0.2V, 3.8 ≤ VDD1 ≤ 5.5V SCSI Total Drain 電流 ISLD 300 − 550 mA EN=GND, 18 SCSI Line=VDD1, 3.8 ≤ VDD1 ≤ 5.5V SCSI 等価抵抗 PIN間容量 ∗3 RSL 105 − 115 Ω EN=GND, SCSI Line : VDD1=4.7V 3.8 4.3 pF EN=VDD1 Stand by 電流 ∗1 PC 〈〈 過渡特性 〉〉 負荷過渡電圧 2.60V → GND 負荷過渡 1/10 遅延時間 2.60V → GND 負荷過渡電圧 GND → 2.60V 負荷過渡 1/10 遅延時間 Gnd → 2.60V 負荷過渡電圧 2.60V → VDD1 負荷過渡 1/10 遅延時間 2.60V → VDD1 負荷過渡電圧 VDD1 → 2.60V 負荷過渡 1/10 遅延時間 VDD1 → 2.60V ∆VMTD1 −100 − +100 mV EN=GND 3.8 ≤ VDD1 ≤ 5.5V 全SCSI Lines : 2.60V→GND Level τTD1 − − +100 µs EN=GND 3.8 ≤ VDD1 ≤ 5.5V 全SCSI Lines : 2.60V→GND Level ∆VMTD2 −100 − +100 mV EN=GND 3.8 ≤ VDD1 ≤ 5.5V 全SCSI Lines : GND→2.60V Level τTD2 − − +100 µs EN=GND 3.8 ≤ VDD1 ≤ 5.5V 全SCSI Lines : GND→2.60V Level ∆VMTS1 −100 − +100 mV EN=GND 3.8 ≤ VDD1 ≤ 5.5V 全SCSI Lines : 2.60V→VDD1 Level τTS1 − − +100 µs EN=GND 3.8 ≤ VDD1 ≤ 5.5V 全SCSI Lines : 2.60V→VDD1 Level ∆VMTS2 −100 − +100 mV EN=GND 3.8 ≤ VDD1 ≤ 5.5V 全SCSI Lines : VDD1→2.60V Level τTS2 − − +100 µs EN=GND 3.8 ≤ VDD1 ≤ 5.5V 全SCSI Lines : VDD1→2.60V Level ∗1 Drain Current (from Module to SCSI Line) / Line ∗2 Sink Current (from SCSI Line to Module) / Line ∗3 設計保証値 BH9598AFP-Y マルチメディア IC !応用例 System System TERMPWR Line Power Power SCSI Line SCSI Line No.1 No.1 SCSI DATA LINES 2.2µ VDD1 EN GND 2.2µ SCSI SCSI Active Active Terminator Terminator No.18 No.18 VM VM Fig.2 VDD1 EN GND BH9598AFP-Y マルチメディア IC !使用上の注意 1. 実装設計要件 (1) 熱特性 Pd [W] DUTY [%] 1.45W 1.50 64 64% 1.00 0.50 0 25 50 75 100 125 150 Ta [°C] ∗ 90×50×1.6 (mm) ガラスエポキシ基板実装時 ∗ Ta=25°C以上で使用する場合は、11.6mW/°Cで減ずる。 Fig.3 1) 25°C では 64%の Duty の連続使用に耐える。 (2) 電気的特性 1) 本ターミネータは高周波領域にまで動作するため、グランド・インピーダンスは極力小さくなるように実装設 計にご注意ください。 2) VDD1 pin (TERMPWR) に、2.2µF のバイパス・コンデンサを対 GND で接続してください。 3) VM pin にコンデンサをつける必要はありません。 4) EN pin には、PULL UP-R (50kΩ) が内蔵されています。 応用例を参照してください。 2. 保護回路 (1) サーマルシャットダウン 1) 175°C (Typ.) で全出力をオープン状態にします。 2) 約 20°C の温度ヒステリシスがあります。 3) サーマルシャットダウン出力表 Condition Level Nomal "Low" Shutdown "High" !外形寸法図 (Units : mm) 13.6±0.2 2.75±0.1 0.3Min. 7.8±0.3 14 5.4±0.2 25 1 13 0.25±0.1 1.9±0.1 0.11 1.95±0.1 0.8 0.1 0.36±0.1 HSOP25