注文コード No.N ※ 6 2 5 4
N6254
N0499
CMOS LSI
LE28BU167
FlashBank (16M Flash + 64K EFPROM)
TM
概要
LE28BU167 は、BANK1(512K × 16 ビット)＋ BANK2(512K × 16 ビット)＋ EEPROM(4K × 16 ビット)の 3 バンク構成で 2.5V 単一電
源で動作するフラッシュメモリである。バンク機能によりリード / ライトの同時動作が可能である。小セクタサイズ(1K ワー
ド)によりデータ書換えが高速である。
特長
● 2.5V 単一電源によるリード / ライト動作可能
●コードやデータ格納に適した分離型メモリバンクを採用
●同時にリード及びライトが可能
●高信頼性
書換え回数：10 万回・・・・・・・・E ２部 1 万回・・・・ フラッシュ部
データ保持期間：10 年以上
●低消費電力
動作時（リード）
10mA（typical)
動作時（リード及びライト）
25mA（typical)
スタンバイ時
2 μ A（typical)
自己電力セーブ時電流
2 μ A（typical)
●高速ライト動作
フラッシュ部：
バンクイレーズﾞ＋プログラム
8 s（typical)
ブロックイレーズ＋プログラム 500 ms（typical)
セクターイレーズ＋プログラム
30 ms （typical)
２
E 部：
ワードライト:
7 ms（typical)
●書き換え回数の影響を受けない一定時間イレーズ
●リードアクセス時間： 90 または 120 ns
●書き換え終了の検知
トグルビット / データポーリング
● E ２部：ワード単位ライト
（プログラム前に自動イレーズ）
セクター（32 ワード構成）単位イレーズ＋ワードプログラム
フラッシュ部：小面積のイレーズサイズ
●フラッシュ
フラッシュ
セクター(1K ワード)単位、またはブロック(32K ワード)単位で、ワードプログラム前にイレーズ
● CMOS I/O とピンコンパチブル
●適用パッケージ
48 ピン TSOP
6 X 8 ボール TFBGA
● ハードウエア及びソフトウエアによる継続データ保護
●この製品は米国 SST 社(Silicon Storage Technology, Inc.)のライセンスを受け三洋電機株式会社で製造・販売するものです。
● FlashBankTM は、三洋電機株式会社と米国 SST 社 Silicon Storage Technology, Inc.)の共同開発品です。
FlashBankTM は、SST 社 (Silicon Storage Technology, Inc.)の商標です．
N0499HK 寿◎古川
No.6254-1/46
LE28BU167
LE28BU167 は 3 つのバンクで構成されている。2 つのメ
複数のバンクが同時に選択された場合、出力はトライス
モリーバンクは 512K × 16bits のセクターモードフラッ
シュ EEPROM であり、加えて 4K × 16bits のワード単位で
テート状態となり、新たなメモリー動作はできない。常
時、バンク 1 つのみライト、イレーズ及びプログラムが
書き換え可能な E ２ PROM からなる。
LE28BU167 は、電源 2.5V の単一電源でライトが可能。
なされる。デバイス I D とコモンフラッシュインター
フェース（CFI）機能は、いずれかのバンクがライト、イ
E ２ PROM の内部イレーズプログラムはユーザーで処理の
内容がわかりやすくなっている。
レーズ及びプログラムされている間アクセスできない。
2つのフラッシュバンクは、主にプログラムコード格納
用であり、512 セクター(1 セクター：1K ワード)、又は
自己電力セーブモードは、LE28BU167をリードデータア
クセスの後、自動的にスタンバイ状態に近い状態にす
16ブロック(1ブロック：32Kワード）で構成されている。
フラッシュバンクはデータの格納にも使用が可能。E２バ
る。これは IDD リード動作電流をティピカル 10mA から
ティピカル2μAに低減させる。この自己電力セーブモー
ンクは、主にデータと起動時のアプリケーション最適化
データの格納用に使われ、全体が 128 セクターで構成さ
ドは、ティピカル IDD リード電流をリードサイクル時間
当たり約 1mA/MHz に減少させる。ライトとリードの同時
れ各セクターは 32 ワードである。
3バンクの内どれかのバンクへデータライト中に残りの
動作が行われている場合、ライト及びリードの合計電流
は、ティピカルで 25mA となる。 このデバイスは、他の
バンクの１つからコード、プログラムのリード実行が可
能。各々のメモリーバンクは、個別のバンクイネーブル
リードサイクルを始めるためのアドレス、又はコント
ロールシグナルの遷移により、アクセスタイムの遅れ無
（BE#）ラインでコントロールされる。
LE28BU167は、消費電力が少ない。消費電力は使用する
しに自己電力セーブモードから抜け出す。
電圧、電流、とアプリケーション時間によるが三洋のフ
ラッシュ技術は他のフラッシュ技術に比べプログラム、
フラッシュバンクのリード
リードは、BE#1、または BE2# と OE# でコントロールさ
及びライト中の消費電力が少ないため、またイレーズ時
間が短いために低消費電力を実現している。 自己電力
れる。出力データを得るにはバンクイネーブルと出力イ
ネーブルの両方が「L」レベルでなければならない。BE#1
セーブモードは、自動的にリード電流をスタンバイ状態
と同程度に減少させ、リードサイクル時間当たり約1mA/
はフラッシュメモリーのバンク−１の選択に使用する。
BE#1 が「H」レベルの場合、バンク１は非選択。BE#2 は
MHz のティピカルリード電流を達成している。
フラッシュ技術は、書き換え回数とは関係なくイレー
フラッシュバンク−２の選択に使われる。BE#2 が「H」
レベルの場合、フラッシュメモリーバンク−２は非選
イレーズ及びプログラム時間が書き換え回数とともに長
くなる他のフラッシュ技術と異なり、システムソフトウ
択。O E # は出力コントロールで出力ピンからデータを
ゲートするのに使われる。OE# が「H」レベルの時、デー
エアを修正したり、ハードウエアの速度を調節する必要
がない。
タバスは高インピーダンスの状態となっている。より詳
しくはタイミングチャート参照（fig. 3a or 3b）
。
デバイス動作
E ２バンクのリード
LE28BU167 は 2 つの独立した 8M ビットワードプログラ
ム、セクターイレーズ構成のフラッシュ EEPROM として
リード動作は、BE#3 と OE# によってコントロールされ
る。システムの出力ピンよりデータを取り出す場合は
動作し、更に 64K ビットのワード単位書き換えが可能な
E ２ PROMの機能を備えている。3つのバンク全てが同じメ
BE#3 と OE# の両方が「L」レベルとなっていなければな
らない。BE#3 は E ２バンク 3（バンク− 3）の選択に使用
モリーアドレス空間に重畳される。 3つのメモリーバン
ク全てがアドレスライン、I/O ライン、WE ＃、OE ＃を共
される。BE#3 が「H」レベルのとき、E2 は非選択。 OE# は
出力ピンからのデータ出力をコントロールするために使
用している。メモリーバンク選択にはバンクイネーブル
を使用する。 BE ＃ 1 は、フラッシュの第 1 バンクを選択
用。 OE#が「H」レベルのとき、データバスは高インピー
ダンスの状態となる。詳しくはタイミングチャート参照
し、BE ＃ 2 は、フラッシュの第 2 バンクを選択、BE ＃ 3
は E ２を選択する。WE ＃は、SDP（ソフトウエアデータプ
（fig. 3c）
。
ロテクション）とともに各メモリーバンクにおけるライ
ト、イレーズ及びプログラム動作を制御するために使わ
ライトモード
LE28BU167 は、E ２とフラッシュのそれぞれ別のライト
れる。
モードがある。内部でプログラム前に自動的にイレーズ
を行うコンベンショナルな E ２ P R O M ワードライトは、
LE28BU167 は 3 つの内のあるメモリーバンクのライト、
イレーズ及びプログラムが始まっても、別のメモリーバ
ユーザーにとって E ２アレイのデータを変更する最も便
利で簡単な方法である。バンクまたはセクターイレーズ
ンクでリードアクセスが可能である。SDP ロードシーケ
ンス中に、一旦 WE ＃と選択された BE ＃が「H」となると
とワードプログラム動作はE２でも可能。LE28BU167はフ
ラッシュの両方のバンク毎にバンク、ブロック、セク
他のメモリーバンクの1つでリードアクセスが可能とな
る。
ターイレーズ、ワードプログラム動作が可能。
No.6254-2/46
LE28BU167
ライト
フラッシュバンクのワードプログラム
すべてのライト動作は SDP（ソフトウェア・データ・プ
ロテクト）のエントリーシーケンスが実行されること
ワードプログラム動作は、SDPワードプログラムを行う
こと、BE#1、または BE#2 と WE# を「L」レベルにするこ
により開始され、選択されたフラッシュ部のバンクまた
はブロック、セクターイレーズの後、ワードプログラム
とと OE# を「H」レベルにすることにより機能する。プロ
グラムされるワードは、プログラムに先立ちイレーズ状
が行われる。E ２においてはワードライト、またはセク
ターイレーズ後にワードプログラムが行われる。ワード
態になければならない。
ワードプログラムコマンドはワード単位で希望アドレ
ライト、ワードプログラム及び全てのイレーズコマンド
は一定の時間で行われデバイスの寿命に影響はなく、ま
スにプログラムができる。ワードプログラムサイクル
中、アドレスは WE# の立ち下がりでラッチされる。デー
たイレーズ / プログラム回数の影響も受けない。
E２のライトサイクル実行時にフラッシュの一方のバン
タは WE# の立ち上がりでラッチされる。WE# コントロー
ルワードプログラムサイクルタイミングチャートは、
クリードが可能。例えば E ２メモリーのライト、イレー
ズ、またはプログラミング時にフラッシュメモリーの一
図 -4a1,-4b1、また BE# コントロールによるサイクルは、
図 -4a2,-4b2 を参照。コマンドシーケンスはテーブル -
方のリードが可能である。更にフラッシュメモリーバン
ク交互に、2 バンクの一方のフラッシュメモリーバンク
3a、フローチャートは図 -21 参照。
フラッシュのイレーズ、またはプログラム動作の間は
のリード動作中に他方、残りのバンクでライトが可能。
ライトステータスコマンドは常時どのバンクがライト
唯一該当バンクからデータポーリングとトグルビットの
リードが可能。フラッシュバンクの他方のバンク、また
を行っているかを検出するために使う。このコマンドは
指定バンクのライト中にタイマーやトグルビット、デー
は E ２バンクのリードは可能。
規定したバンク、ブロック、またはセクターのイレー
タポーリングによるモニターを使わない場合に必要とな
る。 ライトステータスコマンドを使うために E ２アドレ
ズ時間はイレーズに要する時間のみであり、バンク、ブ
ロック、セクターイレーズのために外部、 または内部両
ス“5XXXh”のアドレススペースが準備されている。こ
のアドレスは通常の E ２アドレス空間外であるため通常
方に要求されるプリプログラミングや他のコマンドサイ
クルは無い。
の E ２アドレス空間からのリードの障害にはならない。
E ２バンクのワードライト
２
フラッシュと E
ライト動作中デバイスは常時ソフトウェア保護されて
E ２のライト動作は SDP コマンドを発行すること、BE#3
と WE# を「L」レベル、OE# を「H」レベルにすることで
いる。ライト動作は WE# または BE# のトグルで制御され
る。WE# または BE# の立ち下がりの遅いほうでアドレス
開始される構成であり、LE28BU167 へのワードロードサ
イクルが続く。内部制御ライトサイクルはワードバッ
はラッチされる。WE#、または BE# の立ち上がりの早い
ほうでデータがラッチされイレーズ、プログラム、ライ
ファーにロードされたデータを E ２に記憶保持する。 選
択されたアドレスは内部制御シグナルによってイレー
トサイクルが開始される。
ズ、プログラムされる。 ワードロードサイクルの間アド
レスは WE# の立ち下がりでラッチされる。データは WE#
SDPイレーズ、プログラム、ライトコマンドはすべてBE#
での指定となる。 最初のSDPバスサイクルにいずれかの
の立ち上がりでラッチされる。
BE# が使われた場合（WE# が「H」レベルであるリード動
作は除く）コマンド実行のためその BE# は SDP バスサイ
内部ライトサイクルはWE#の立ち上がりで開始される。
ライトサイクルが一旦立ち上がるとティピカルで7ms以
クル中ずっと使用されねばならない。コマンドシーケン
ス中、WE# が「L」レベルで SDP バスサイクル中、他の BE#
内でライトが終了するまで続けられる。フローチャート
は図 -20 を参照。
にパルスが与えられる場合、デバイスの SDP コマンドは
中止されリードモードに戻る。SDP コマンドシーケンス
ライト動作はワードロードサイクルと内部ライトサイ
クルの 2 つの機能サイクルを持つ。ワードロードサイク
はWE#を「H」レベルにすることで中断保留にすることが
できる。SDP コマンドシーケンスに入っていない 2 つの
ルは、S D P シーケンス実行時に 1 ワードをワードバッ
ファーへローディングすることによってできる。内部ラ
バンクを読み出すために他方のBE#へパルスを与えるこ
とが可能。
イトサイクルは、選択されたアドレスをイレーズ、プロ
グラムするためライトタイマーからなる。ワードはライ
簡略化を目的に、イレーズ、プログラム、ライトを開
ト前にイレーズする必要はない。ライト動作中は、E ２か
らはデータポーリングとトグルビットのみリードが可
始するために以下の記述は WE# のトグルを仮定してい
る。該当 BE# のトグルも同じ機能を持つ。WE# 及びBE# コ
能、また両方のフラッシュバンクの一方から通常リード
が可能。
ントロールによるプログラム、またはライトコマンドを
説明するため別々のタイミングチャートがあることに注
意。
No.6254-3/46
LE28BU167
E ２のワードプログラム
フラッシュバンクのバンクイレーズ
E ２のワードプログラムはBE#3とWE#を「L」レベル、OE#
を「H」レベルとして、SDP ワードプログラムコマンドを
三洋の LE28BU167 は、ユーザーでフラッシュメモリー
アレーを”1”状態にすることのできるバンクイレーズ
発行することで可能。ワードプログラムコマンドは、
ワード単位で希望のアドレスへプログラムする。プログ
モードを有する。この機能はフラッシュメモリー全体を
素早くイレーズせねばならない時に有用である。
ラムされるワードはワードライト動作とは異なりプログ
ラムに先だちのイレーズ状態になければならない。ワー
ソフトウェアフラッシュバンクイレーズはソフトウェ
ドプログラムサイクル中はWE#の立ち下がりによってア
ドレスがラッチされる。
アデータプロテクション時において指定の6ワードロー
ディングシーケンスが出されることによって開始され
WE# コントロールによるデータは WE# の立ち上がりで
ラッチされる。プログラムサイクルのタイミング波形は
る。 ローディングサイクルの後、デバイスは内部タイ
マーによるイレーズサイクルに入る。指定コードはテー
図-4d1、BE#コントロールによるタイミング波形は、図4d2 を参照、コマンドシーケンスは 3b、フローチャート
ブル− 3a を参照、タイミング波形は図− 5a1、5b1、 フ
ローチャートは図―16 参照。
は図 -22 を参照。
フラッシュバンクのブロックイレーズ
E ２のイレーズ、またはプログラム動作中、E ２からは
データポーリングとトグルビットのみリードが可能、ま
三洋の LE28BU167 は、フラッシュの任意のブロックを”
1”状態にすることのできるブロックイレーズモードを
た両方のフラッシュバンクの一方からは通常リードが可
能。
有する。ソフトウェアブロックイレーズのモードはソフ
トウェアデータプロテクト時において指定の 6 ワード
バンクまたはセクターイレーズ時間は、イレーズのみ
ローディングシーケンスを出すことにより開始される。
ローディングサイクルの後、デバイスは内部のタイマー
に要する時間であり、バンク、セクターのイレーズのた
めの内部または外部両方のプリプログラミングや他のコ
によるイレーズサイクルに入る。指定コードはテーブル
3a 参照、タイミング波形は図―5a2、5b2、フローチャー
マンド、サイクルの必要はない。
トは図―17参照。イレーズ動作時は選択したセクターか
らのデータポーリングとトグルビットのリードのみ可能
イレーズ動作
バンクイレーズは指定される 6 ワードロードシーケン
で、他のバンクは通常のリードができる。
スによって開始される。テーブル -3a、-3b 参照。バン
クイレーズはティピカルで 70ms 以下。
フラッシュバンクのセクターイレーズ
LE28BU167 は、フラッシュの任意のセクターを”1”状
フラッシュでのバンクイレーズの代わりとしては、ブ
態にすることができるセクターイレーズモードを有す
る。
ロックとセクターイレーズがある。ブロックイレーズは
ブロック（32K ワード）をティピカル 15ms でイレーズす
ソフトウェアセクターイレーズモードはソフトウェア
る。 セクターイレーズはセクター（1024ワード）をティ
ピカル 15ms でイレーズ。
データプロテクト時において指定される６ワードロー
ディングシーケンスを出すことにより開始される。ロー
セクターイレーズはセクターイレーズモードとワード
プログラムモードを使ってセクター毎にイレーズが可
ディングサイクルの後、デバイスは内部でタイマーによ
るイレーズサイクルに入る。指定コードはテーブル3aを
能。セクターイレーズは指定される 6 ワードロードシー
ケンスに よって開始される。テーブル 3a 参照。
参照、タイミング波形は図− 5a3、5b3、フローチャート
は図―19参照。イレーズ動作中は選択したブロックから
２
E バンクはまた、バンクイレーズの代わりにセクター
のデータポーリングとトグルビットのリードのみ可能
で、他のバンクは通常のリードができる。
イレーズの使用が可能。E ２セクターは32ワードであり、
ティピカル 7ms でイレーズされる。
E ２バンクのバンクイレーズ
セクターイレーズは指定される 6 ワードロードシーケ
ンスで開始される。テーブル3b参照。セクターまたはバ
LE28BU167 は、ユーザーで E ２バンクを”1”状態にする
E ２のバンクイレーズを提供する。
ンクイレーズとワードプログラムは E ２でのワードライ
トの代用である。
E２のバンクイレーズモードはソフトウェアデータプロ
どのバンクにおいてもセクター、ブロック、バンクイ
テクション作動時において指定された6ワードローディ
ングシーケンスを出すことにより開始される。ローディ
レーズ中は他のバンクを読み出すことが可能。E２のワー
ドライト中、2 つのフラッシュの一方を読み出すことが
ングサイクルの後、デバイスは内部タイマーによるイ
レーズサイクルに入る。指定コードはテーブル 3b を参
可能。
照、タイミング波形は図―5c1、フローチャートは図―
16 参照。
No.6254-4/46
LE28BU167
E ２バンクのセクターイレーズ
イレーズ、プログラム、ライト動作が一旦開始される
LE28BU167 は、ユーザーで E ２バンクの任意のセクター
を”1”状態にできるセクターイレーズモードを提供す
と動作を止める方法はない。三洋のフラッシュ技術に
よってイレーズ、プログラム、ライトの時間はシステム
る。ソフトウェアセクターイレーズモードはソフトウェ
アデータプロテクト時において指定の6ワードローディ
リセット時間に比べ非常に速く、動作を中止にさせるよ
うな値ではない。
ングのシーケンスを出すことで開始される。ローディン
グサイクルの後、デバイスは内部タイマーによるイレー
リードは、イレーズ、プログラム又はライト動作を実
ズサイクルに入る。 指定コードはテーブル３を参照、タ
イミング波形は図−5c2、フローチャートは図―18参照。
行していないどのバンクからも常に可能である。
ブートコードが格納されているバンクでブロックまた
イレーズ動作中は E ２内のデータポーリングとトグル
ビットのリードのみ可能で、フラッシュメモリーにおけ
はセクターイレーズ、またはワードプログラムが実行さ
れている間にシステムリセットがあると、そのシステム
る他のバンクは通常のリードができる。
は該当バンクのリード前に動作が完了するまでシステム
は待機しなければならない。ブロックイレーズでシステ
ライト動作状態の検知
三洋の LE28BU167 は、システムのライトサイクル時間
ムが待機しなければならない時間は、最長で 25ms なの
でシステムのブートコードを読む能力に影響はない。
を最適化するため E ２とフラッシュバンクのライトサイ
クル終了を2つのソフトウェアで検知する。 ソフトウェ
フラッシュのデータポーリング（DQ7）
アでの検知は、データポーリング（DQ7）とトグルビッ
ト（DQ6）の二つのステータスビットである。 内部での
LE28BU167が内部フラッシュ部のプログラムサイクル
にある時で、ワードロードサイクルの間にロードされた
ライト、イレーズ、プログラムサイクルを開始するWE＃
の立ち上がり後に、ライト終了検知モードがイネーブル
最後のワードのDQ7を読み込むいかなる試みもトゥルー
データの捕捉を受けることになる。一度ライトサイクル
となる。
が完了すれば、DQ7はトゥルーデータを示す。 デバイス
はその後、次の動作の準備を行う。 図−6a、6bのフラッ
不揮発性ライトの実際の終了は、システムと同期して
いないためデータポーリング、またはトグルビットリー
シュデータポーリングのタイミング波形と図 -23 のフ
ローチャートを参照。
ドの両方がライトサイクルの完了と同時になる場合があ
る。 これが起こるとシステムは、誤った結果を得る可能
E ２のデータポーリング（DQ7）
性がある。有効であるデータが DQ7 または DQ6 両方とか
ち合って現れる。 誤ったデバイスの深刻なリジェクッ
LE28BU167 が E ２部のプログラムサイクルにある時で
ワードロードサイクルの間、ロードされた最後のワード
ションを避けるために、誤動作が起こった場合、ソフト
ウェアのルーティーンにアクセスした場所を2回追加で
のDQ7を読み込むいかなる試みもトゥルーデータの補足
を受けることになる。一度ライトサイクルが完了すれば、
読むループを入れるべきである。両方のリードが有効で
ある場合、デバイスはライト動作を完了しているが、そ
DQ7はトゥルーデータを示す。 デバイスはその後次の動
作の準備状態となる。 図− 6c の E ２ データポーリング
うでないならば、そのリジェクションは正しい。
タイミング波形と図 -23 のフローチャートを参照。
加えて、ライトステータスリードは、いずれかのバン
クがイレーズ、プログラム、ライト動作に入っているか
フラッシュのトグルビット（DQ6）
フラッシュ部が内部ライトサイクルの間、継続的なDQ6
を確認するために実行される。ライトステータスリード
は、システムがあるバンクのイレーズ、プログラム、ラ
を読みだす試みは 0 と 1 を交互に出力し 0 と 1 の間でト
グルとなる。ライトサイクルが完了する時、トグルはと
イト動作の状態を見失っているときに使用できる。しか
し、通常、ワードライト、ワードイレーズ、ワードプロ
まる。その後デバイスは次の動作の準備状態となる。図
7a,7b のトグルビットタイミング波形と図 -23 のフロー
グラム又はブロックイレーズはシステムリセットのリカ
りも前に開始した場合、システムはバンクイレーズがも
チャートを参照。
はや実行中ではないことを確認する必要があるだろう。
システムリセットからリカバリーするときの問題がない
E ２のトグルビット（DQ6）
E ２が内部ライトサイクルの間、継続的に DQ6 を読みだ
ようにバンクイレーズは、ブートコードを格納している
バンクには実行されないように注意すること。
す試みは 0 と 1 を交互に出力し 0 と 1 の間でトグルとな
る。ライトサイクルが完了する時トグルはとまる。その
指定コードはテーブル 3a、3b参照。タイミング波形は
図 -13 参照。
後デバイスは次の動作の準備状態となる。
イレーズ、プログラム、ライト動作が一旦開始される
図−7cのE ２トグルビットタイミング波形と図-23のフ
ローチャートを参照。
と動作を止める方法はない。三洋のフラッシュ技術に
よってイレーズ、プログラム、ライトの時間はシステム
リセット時間に比べ非常に速く、動作を中止にさせるよ
うな値ではない。
No.6254-5/46
LE28BU167
データ保護
SDP ロードシーケンスはバンク指定で、同じBE# は各々
LE28BU167はハードウェアとソフトウェア両方で不慮
のライトから不揮発性データを保護する機能を有する。
のバスサイクルで「L」レベルでなければならない。異
なる BE# が「L」レベル（WE#「H」レベルのリード動作は
ハードウェアデータ保護
除く）
、間違ったアドレスのロード、間違ったデータの
ロードでコマンドシーケンスが中断された場合、tRC
ノイズ／グリッジからの保護；5ns 以下の WE# へのパル
スではライトサイクルは開始されない。
VDD パワーアップ／ダウン検知；
VDD が 1.5V以下の場合はライト動作は禁止される。 ラ
イト禁止モード；OE# を「L」レベル、BE#1 と BE#2 を「H」
以内にリードモードに戻る。
リードとライトの同時動作
LE28BU167 は、一方のバンクでライト、イレーズ、プロ
グラミングを行っている間に他のバンクのリードが同時
に可能という独自の利点を有する。これは、あるバンク
レベル、または WE# を「H」レベルにするとフラッシュメ
モリーへのライト動作が禁止状態となる。 OE#を「L」レ
でデータを書き換えている間に、別のバンクからデータ
書き換えコードをリードすることで達成される。
ベル、BE#3 を「H」レベル、または WE# を「H」レベルに
すると E ２メモリーへのライトが禁止となる。これはパ
以下の表はすべて有効な状態を示す。
ワーアップ、パワーダウン時の不慮のライト回避を行
う。
並行リード / ライトの状況表
Bank1
Bank2
Bank3
E の OTP ライト保護
リード
リード
非動作
ライト
ライト
非動作
E ２の最初のセクターがオプションでOTP（ワンタイム・
プログラマブル）となり、ライトを回避する。最初のセ
ライト
非動作
リード
ライト
非動作
リード
クターはアドレス A5 ∼ A11 が "0" (0000 から 001F 番地
hex)となる。一度 OTP ソフトウェア命令が実行されると
ライト
非動作
非動作
ライト
リード
リード
２
これらの32ワードに対してのライト、イレーズ、プログ
ラム動作が出来なくなる。 また、OTP保護がイネーブル
注： ライトの意味は該当するバンクで適用されるワード
状態になるとE２のバンクイレーズは機能しなくなる。指
定コードはテーブル 3b を参照、タイミング波形は図 12
ライト、ブロック、セクター、またはバンクイレーズ、
ワードプログラムのこと。
を参照。
本デバイスは、 イレーズ、プログラム又はライト動作
ソフトウェアデータプロテクション（SDP）
LE28BU167 は、JEDEC で承認されたライト、イレーズ、
中における全ての SDP コマンドと WE# のトグルを無視す
る。製品識別と CFI エントリーコマンドは、SDP を使用
プログラム動作に入る前の要求であるソフトウェアデー
タプロテクションを有する。いかなるライト動作も、
するので、これらのコマンドはイレーズ、プログラミン
グ又はライト動作中には無視される。
ワードライト、またはワードプログラムの動作に先立ち
一連の 3 ワードロード動作を含むことが要求される。 3
製品識別
ワードシーケンスはライト、またはプログラムサイクル
を開始するために使われ、システムのパワーアップ／ダ
製品識別モードはデバイスの製造者三洋と各々バンク
を識別するコードを提供する。製造者IDは各々バンクで
ウンの間に起こる不慮のライトから最大限の保護を行っ
ている。 6ワードシーケンスがすべてのバンク、ブロッ
同一であるが各々のバンクは独自の ID を持っている。
それぞれのバンクは該当の BE# とソフトコマンドで個
ク、またはセクターのイレーズ動作を開始するために必
要。
別にアクセスができる。ユーザーは、デバイスID機能を
使ってそれぞれのバンクへのライトアルゴリズムの識別
JEDEC の要求に従えば SDP はバイトフォーマットであ
る。 LE28BU167 はワード構成であり、DQ8 ∼ DQ15 は SDP
ができる。ソフトウエア動作にはテーブル 3a 又は 3b を
参照。タイミング波形は図 8a,8b,8c を参照。
コマンドシーケンス（3 ワードまたは 6 ワード）中はド
ントケアとなる。
プロダクト識別 表
ワード
データ
SDP ロードコマンドシーケンス中、WE# が「H」レベルの
製造者 ID
デバイスコード Bank1
0000H
0001H
0062H
2591H
場合 SDP ロードサイクルは保留となる。SDP ロードシー
ケンスの間他のバンクのリードを可能とする。
デバイスコード Bank2
デバイスコード Bank3
0001H
0001H
2592H
2593H
No.6254-6/46
LE28BU167
デバイス ID は、各々のバンクに独自にある。バンク ID
は、チップ IDのように使われる。一方、ソフトウエア ID
または CFI リードにおいては、これらモードから抜ける
までは他の動作は受け付けない。
製造者 ID モードからの抜け出し
通常のリードモードへ戻るためには、ソフトウェアの
プロダクト識別モードから抜け出さねばならない。
ソフトウェアの ID 抜け出しコマンドを実行することに
よってIDモードからの抜け出しができ､デバイスは通常
動作に戻る。このコマンドはまた、明らかにデバイスの
原因で不慮の一時的な不具合（例えば正確にリードがで
きない）の後のライトモードのリセットに使われる。
ソフトウエア動作にはテーブル3a又は3bを参照。タイ
ミング波形は図 9a,9b,9c を参照。
コモン・フラッシュ・インターフェース（CFI）
LE28BU167は、また、各々バンクでそれらバンクの特性
を記述するための CFI 情報を保持している。各バンクの
CFI 内容は表 a 乃至 c を参照。各バンクが同じに動作す
るように 2 つのフラッシュバンクは同じ情報を使用す
る。E ２バンクは、そのバンクの選択情報を含む。
CFI 情報を得る目的で、CFI メモリー領域は、CFI エン
トリーコマンドを使ってアクセスされる。詳細にはソフ
トウエア動作にはテーブル 3a 又は 3b を参照。タイミン
グ波形は図 10a,10b,10c を参照。
CFI モードからの抜け出し
通常のリードモードへ戻るためには、CFIモードから抜
け出さねばならない。
CFI抜け出しコマンドを実行することによって抜け出す
事ができ､デバイスは通常動作に戻る。このコマンドは
また、明らかにデバイスの原因で不慮の一時的な不具合
（例えば正確に読出しができない）の後にデバイスを
リードモードにリセットするのに使われる。ソフトウエ
ア動作にはテーブル 3a 又は 3b を参照。タイミング波形
は図 11a,11b,11c を参照。
CFI は、バイトワイドの情報規定がされている。
LE28BU167 はワードワイドで構成されるので、各 CFI
ワードの第 1 バイト（2nibbles）は、いつも”0”である。
No.6254-7/46
LE28BU167
A B C D E F
1
A3
A7
NC
WE#
A9
A13
A4
A17
NC
BE#2
A8
A12
A2
A6
A18
BE#3
A10
A14
A1
A5
NC
NC
A11
A15
2
3
4
5
A0
DQ0 DQ2
DQ5
DQ7 A16
6
7
8
BE#1 DQ8 DQ10 DQ12 DQ14 NC
OE# DQ9 DQ11 VDD DQ13 DQ15
VSS DQ1 DQ3
DQ4
DQ6 VSS
TOP VIEW
327 ILL F01a.3
図図 1a: ピン配置
： TFBGA
（6 × 8 グリッド ,0.8mm ピッチ）
ピン配置：
TFBGA（
図図 1b: ピン配置
： TSOP タイプ I (10mm × 14mm)
ピン配置：
No.6254-8/46
LE28BU167
表 1: 端子説明
ピン名
記号
A18-A0
フラッシュバンクアドレス
A11-A0
E2バンクアドレス
A18-A15
フラッシュバンクブロックアドレス
A18-A10
フラッシュバンクセクターアドレス
A11-A5
DQ15-DQ0
E2バンクセクターアドレス
データ入出力
BE#1
フラッシュバンクイネーブル1
BE#2
フラッシュバンクイネーブル2
BE#3
OE#
WE#
VDD
Vss
NC
E2バンクイネーブル
アウトプットイネーブル
ライトイネーブル1
電源
接地
ノーコネクション
機能説明
フラッシュバンクにアドレスを供給する
E2バンクにアドレスを供給する
イレーズ用にフラッシュバンクブロックを選択
する
イレーズ用にフラッシュバンクセクターを選択
する
イレーズ用にE2バンクを選択する
リードサイクルではデータを出力しライトサイ
クルではデータを入力するOE#が「H」又は
BE#1,BE2#,BE#3が「H」の時出力は高インピー
ダンスである
BE#1が「L」の時フラッシュバンク1をアクティ
ブにする
BE#2が「L」の時フラッシュバンク2をアクティ
ブにする
BE#3が「L」の時E2バンクをアクティブにする
データ出力バッファをアクティブにする
ライト，イレーズ，又はプルグラムを制御する
2.5V±0.3Vを供給する
内部チップと接続されていない
327 PGM T1.2
図 2:
機能ブロックダイヤグラム
327 ILL F02.1
No.6254-9/46
LE28BU167
表 22a
a:フラッシュバンクの動作モード選択
アレイ動作モード
リード
フラッシュバンク1
フラッシュバンク2
ブロックイレーズ
フラッシュバンク1
フラッシュバンク2
セクターイレーズ
フラッシュバンク1
フラッシュバンク2
プログラム
フラッシュバンク1
フラッシュバンク2
スタンバイ
ライトインヒビット
フラッシュバンク1
フラッシュバンク2
フラッシュバンク
イレーズ
フラッシュバンク1
フラッシュバンク2
BE#1
BE#2
BE#3
VIL
VIH
VIH
VIL
VIH
VIH
VIL
VIL
VIH
VIH
DOUT
DOUT
AIN
AIN
VIL
VIH
VIH
VIL
VIH
VIH
VIH
VIH
VIL
VIL
DIN
DIN
表3参照
表3参照
VIL
VIH
VIH
VIL
VIH
VIH
VIH
VIH
VIL
VIL
DIN
DIN
表3参照
表3参照
VIL
VIH
VIH
VIH
VIL
VIH
VIH
VIH
VIH
VIH
VIH
X
VIL
VIL
X
DIN
DIN
High Z
表3参照
表3参照
X
VIH
X
X
VIH
X
X
VIL
VIL
VIH
VIH
X
X
X
X
VIL
VIH
VIH
VIL
VIH
VIH
VIH
VIH
VIL
VIL
DIN
DIN
表3参照
表3参照
ステータス動作モード
ライト状態リード
イリーガル状態
イリーガル状態
イリーガル状態
イリーガル状態
製品識別
フラッシュバンク1
フラッシュバンク2
BE#1
VIH
VIL
VIL
VIL
X
BE#2
VIH
VIL
VIL
X
VIL
BE#3
VIL
VIL
X
VIL
VIL
OE#
VIL
X
X
X
X
WE#
VIH
X
X
X
X
DQ
DOUT
HIGH
HIGH
HIGH
HIGH
VIL
VIH
VIH
VIL
VIH
VIH
VIL
VIL
VIH
VIH
DOUT
DOUT
A18-A1=VIL
A0=VIL or VIH
表3参照
VIL
VIH
VIH
VIL
VIH
VIH
VIL
VIL
VIH
VIH
DOUT
DOUT
表3参照
表3参照
コモンフラッシュ
インターフェース
フラッシュバンク1
フラッシュバンク2
OE#
WE#
DQ
注：1
Z
Z
Z
Z
アドレス
アドレス
5XXXXH
X 注2
X 注2
X 注2
X 注2
327 PGM
T2a.2
注1:
もし、フラッシュバンク1がライトをしていればDQ1は「L」, もし、フラッシュバンク2がライトをしていればDQ2は
「L」,
注2:
もし、E2バンクがライトをしていればDQ3は「L」となる。
イレーズ、プログラム、またはライトの期間にイリーガル状態に入ってもその動作には影響を与えない。つまり、
イレーズ、プログラム、またはライト動作は正常に完了する。
No.6254-10/46
LE28BU167
表
2b: E2 バンクの動作モード選択
アレイ動作モード
リードE2バンク
ライトE2バンク
セクタイレーズE2バンク
プログラムE2バンク
スタンバイ
ライトインヒビット
E2バンク
バンクイレーズﾞE2
バンク
OTPイネーブルE2バンク
ステータス動作モード
ライトステータスリード
イリーガル状態
イリーガル状態
イリーガル状態
イリーガル状態
BE#1
VIH
VIH
VIH
VIH
VIH
X
BE#2
VIH
VIH
VIH
VIH
VIH
X
BE#3 OE#
VIL VIL
VIL VIH
VIL VIH
VIL VIH
VIH
X
VIH VIL
WE#
VIH
VIL
VIL
VIL
X
VIH
DQ
DOUT 注1
DIN
DIN
DIN
High Z
X
アドレス
VIH
VIH
VIL
VIH
VIL
DIN
表3参照
VIH
BE#1
VIH
VIL
VIL
VIL
X
VIH
BE#2
VIH
VIL
VIL
X
VIL
VIL VIH
BE#3 OE#
VIL VIL
VIL
X
X
X
VIL
X
VIL
X
VIL
WE#
VIH
X
X
X
X
DIN
DQ
DOUT
High
High
High
High
表3参照
アドレス
5XXXXH
X 注3
X 注3
X 注3
X 注3
VIH
VIH
VIL
VIL
VIH
DOUT
A18-A1=VIL
A0=VIL or VIH
表3参照
VIH
VIH
VIL
VIL
VIH
DOUT
表3参照
注2
Z
Z
Z
Z
表3参照
表3参照
表3参照
表3参照
X
製品識別
E2バンク
コモンフラッシュ
インターフェイス
E2バンク
327 PGM T2b.3
注1:
A11-A0は有効アドレスである。 A15-A12はドントケアである。 A18-A16を16進表記で”5”にしてはならない。
注2:
もし、フラッシュバンク1がライトをしていればDQ1は「L」, もし、フラッシュバンク2がライトをしていればDQ2は
「L」, もし、E2バンクがライトをしていればDQ3は「L」となる。
注3:
イレーズ、プログラム、またはライトの期間にイリーガル状態に入ってもその動作には影響を与えない。つまり、
イレーズ、プログラム、またはライト動作は正常に完了する。
No.6254-11/46
LE28BU167
表 3a
: フラッシュバンクのソフトウエアコマンドコード設定
3a:
ｺﾏﾝﾄﾞ
ｺｰﾄﾞ
1ﾊﾞｽｻｲｸﾙ
2ﾊﾞｽｻｲｸﾙ
3ﾊﾞｽｻｲｸﾙ
4ﾊﾞｽｻｲｸﾙ
5ﾊﾞｽｻｲｸﾙ
6ﾊﾞｽｻｲｸﾙ
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
注 5
注 1,4
注 5
注 1,4
注 5
注 1,4
注 5
注 1,4
注 5
注 1,4
注 5
注 1,4
ｿﾌﾄｳｴｱ ID ｴﾝﾄﾘ
5555
AA
2AAA
55
5555
90
注 2
ｿﾌﾄｳｴｱ ID 終了
5555
AA
2AAA
55
5555
F0
注 3
ﾌﾗｯｼｭﾊﾞﾝｸ
ﾜｰﾄﾞﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ
5555
AA
2AAA
55
5555
A0
Word
Addr
Data
In
ﾌﾗｯｼｭﾊﾞﾝｸ
ｾｸﾀｰｲﾚｰｽ
5555
AA
2AAA
55
5555
80
5555
AA
2AAA
55
ｾｸﾀｰ
Addr
30
ﾌﾗｯｼｭﾊﾞﾝｸ
ﾌﾞﾛｯｸｲﾚｰｽﾞﾞ
5555
AA
2AAA
55
5555
80
5555
AA
2AAA
55
ｾｸﾀｰ
Addr
50
ﾌﾗｯｼｭﾊﾞﾝ
ﾊﾞﾝｸｲﾚｰｽﾞ
5555
AA
2AAA
55
5555
80
5555
AA
2AAA
55
5555
10
CFI ｴﾝﾄﾘ
5555
AA
2AAA
55
5555
98
注 6
CFI 終了
5555
AA
2AAA
55
5555
F0
注 3
327 PGM
T3a.2
ソフトウエア製品
ID
コマンドコードの注意事項
ソフトウエア製品ID
IDコマンドコードの注意事項
1. コマンドコードアドレスフォーマット:A14-A0は16進表記である。
2. A14-A1=0の条件の基：
A0=0で三洋の製造者コード”00BFH”が読まれる。
A0=1で3つのバンクのいずれか（BE#により選択）を示すデバイスコード 2591H,2592H,2593Hが読まれる。
3. 電源が落ちた場合、本デバイスは、ソフトウエア製品ID又はCFIモードから脱する。
4. A14より大のアドレスは、コマンドシーケンスとしてドントケアになる。
5. データフォーマット: DQ0 から DQ7 は16進表記であり、DQ8 から DQ15 はドントケアになる。
6. 各バンクには分離されたCFIがある。表 4,5,6を参照。
No.6254-12/46
LE28BU167
表 33b
b: E2 ﾊﾞﾝｸ
のｿﾌﾄｳｴｱｺﾏﾝﾄﾞ
コード
ﾊﾞﾝｸの
ｿﾌﾄｳｴｱｺﾏﾝﾄﾞコード
ｺﾏﾝﾄﾞ
ｺｰﾄﾞ
1ﾊﾞｽｻｲｸﾙ
2ﾊﾞｽｻｲｸﾙ
3ﾊﾞｽｻｲｸﾙ
4ﾊﾞｽｻｲｸﾙ
5ﾊﾞｽｻｲｸﾙ
6ﾊﾞｽｻｲｸﾙ
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
Addr
Data
注 5
注 1,4
注 5
注 1,4
注 5
注 1,4
注 5
注 1,4
注 5
注 1,4
注 5
注 1,4
ｿﾌﾄｳｴｱ ID ｴﾝﾄﾘ
5555
AA
2AAA
55
5555
90
注 2
ｿﾌﾄｳｴｱ ID 終了
5555
AA
2AAA
55
5555
F0
注 3
E2 ﾊﾞﾝｸ
ﾜｰﾄﾞ ﾗｲﾄ
5555
AA
2AAA
55
5555
A0
ﾜｰﾄﾞ
Addr
Data
In
E2 ﾊﾞﾝｸ
ﾜｰﾄﾞﾌﾟﾛｸﾞﾗﾑ
5555
AA
2AAA
55
5555
A5
ﾜｰﾄﾞ
Addr
Data
In
E2 ﾊﾞﾝｸ
ｾｸﾀｰｲﾚｰｽﾞ
5555
AA
2AAA
55
5555
80
5555
AA
2AAA
55
ｾｸﾀｰ
Addr
30
E2 ﾊﾞﾝｸ
ﾊﾞﾝｸｲﾚｰｽﾞ
5555
AA
2AAA
55
5555
80
5555
AA
2AAA
55
5555
10
E2 ﾊﾞﾝｸ OTP
ｲﾈｰﾌﾞﾙ
5555
AA
2AAA
55
5555
80
5555
AA
2AAA
55
5555
70
CFI ｴﾝﾄﾘ
5555
AA
2AAA
55
5555
98
注 6
CFI 終了
5555
AA
2AAA
55
5555
F0
注 3
327 PGM T3b.2
ソフトウエア製品
ID
コマンドコードの注意事項
ソフトウエア製品ID
IDコマンドコードの注意事項
1. コマンドコードアドレスフォーマット:A14-A0は16進表記である。
2. A14-A1=0の条件の基：
A0=0で三洋の製造者コード”00BFH”が読まれる。
A0=1で3つのバンクのいずれか（BE#により選択）を示すデバイスコード 2591H,2592H,2593Hが読まれる。
3. 電源が落ちた場合、本デバイスは、ソフトウエア製品ID又はCFIモードから脱する。
4. A14より大のアドレスは、コマンドシーケンスとしてドントケアになる。
5. データフォーマット: DQ0 から DQ7 は16進表記であり、DQ8 から DQ15 はドントケアになる。
6. 各バンクには分離されたCFIがある。表 4,5,6を参照。
No.6254-13/46
LE28BU167
表 4a: CFI Query Identification String for Flash Bank 1
Address
Data
Data
10H
0051H
11H
0052H
Query Unique ASCII string "QRY"
12H
0059H
13H
0108H
Primary OEM command set
14H
0000H
15H
0000H
Address for Primary Extended Table (00H = none exists)
16H
0000H
17H
0000H
Alternate OEM command set (00H = none exists)
18H
0000H
19H
0000H
Address for Alternate OEM extended Table (00H = none exits)
1AH
0000H
327 PGM T4a.1
表 4b: System Interface Information for Flash Bank 1
Address
Data
Data
1BH
0022H
VDD Min. (Program/Erase)
DQ4-DQ7: Volts, DQ3-DQ0: millivolts
1CH
0028H
VDD Max. (Program/Erase)
DQ4-DQ7: Volts, DQ3-DQ0: millivolts
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
0000H
0000H
0004H
0000H
0003H
0006H
0001H
0000H
0001H
0001H
Vpp min. (00H = no Vpp pin)
Vpp max. (00H = no Vpp pin)
Typical time out for Word Program 2N us
Typical time out for min. size Page Write 2N us (00H = not supported)
Typical time out for individual Sector Erase 2N ms
Typical time out for Bank Erase 2N ms
Maximum time out for Word Program 2N times typical
Maximum time out for Page Write 2N times typical
Maximum time out for individual Sector Erase 2N times typical
Maximum time out for Bank Erase 2N times typical
327 PGM T4b.2
表 4c: Device Geometry Information
Address
27H
28H
Data
0014H
0001H
29H
2AH
0000H
0000H
2BH
2CH
2DH
2EH
2FH
30H
31H
32H
33H
34H
0000H
0002H
00FFH
0001H
0008H
0000H
000FH
0000H
0000H
0001H
Data
Bank size = 2N Byte (‘14H’ > 220 = 1Megabyte = 8 Megabit)
Flash Bank Device Interface description (Refer to CFI publica
tion 100)
(x16 asynchronous)
Maximum number of bytes in Page Write = 2N (00H = not
supported)
Number of Erase Block Regions within device
Erase Block Region 1 Information (Sector)
(refer to the CFI specification or publication 100)
y = 511 +1 = 512 sectors (01FFH = 511)
z = 2 KByte/sector = 8 x 256 Bytes
Erase Block Region 2 Information (Block)
(refer to the CFI specification or publication 100)
y = 15 + 1 = 16 blocks
z = 64 KByte/block = 256 x 256 Bytes (0100H = 64K)
No.6254-14/46
LE28BU167
表 5a: CFI Query Identification String for Flash Bank 2
Address
10H
11H
12H
13H
14H
15H
16H
17H
18H
19H
1AH
Data
0051H
0052H
0059H
0108H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
0000H
Data
Query Unique ASCII string "QRY"
Primary OEM command set
Address for Primary Extended Table (00H = none exists)
Alternate OEM command set (00H = none exists)
Address for Alternate OEM extended Table (00H = none exits)
327 PGM T5a.1
表 5b: System Interface Information
Address
Data
1BH
0022H
1CH
0028H
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
0000H
0000H
0004H
0000H
0003H
0006H
0001H
0000H
0001H
0001H
Data
VDD Min. (Program/Erase)
DQ4-DQ7: Volts, DQ3-DQ0: millivolts
VDD Max. (Program/Erase)
DQ4-DQ7: Volts, DQ3-DQ0: millivolts
Vpp min. (00H = no Vpp pin)
Vpp max. (00H = no Vpp pin)
Typical time out for Word Program 2Nus
Typical time out for min. size Page Write 2Nus (00H = not supported)
Typical time out for individual Sector Erase 2N ms
Typical time out for Bank Erase 2N ms
Maximum time out for Word Program 2N times typical
Maximum time out for Page Write 2N times typical
Maximum time out for individual Sector Erase 2N times typical
Maximum time out for Bank Erase 2N times typical
表 5c: Device Geometry Information for Flash Bank 2
Address
27H
28H
29H
2AH
2BH
2CH
2DH
2EH
2FH
30H
31H
32H
33H
34H
Data
0014H
0001H
0000H
0000H
0000H
0002H
00FFH
0001H
0008H
0000H
000FH
0000H
0000H
0001H
Data
Bank size = 2N Byte (‘14H’ > 220 = 1Megabyte = 8 Megabit)
Flash Bank Device Interface description (Refer to CFI publication 100)
(x16 asynchronous)
Maximum number of bytes in Page Write = 2N (00H = not supported)
Number of Erase Block Regions within device
Erase Block Region 1 Information (Sector)
(refer to the CFI specification or publication 100)
y = 511 +1 = 512 sectors (01FFH = 511)
z = 2 KByte/sector = 8 x 256 Bytes
Erase Block Region 2 Information (Block)
(refer to the CFI specification or publication 100)
y = 15 + 1 = 16 blocks
z = 64 KByte/block = 256 x 256 Bytes (0100H = 64K)
No.6254-15/46
LE28BU167
表 6a: CFI Query Identification String for E2 Bank
Address
Data
Data
10H
0051H
11H
0052H
Query Unique ASCII string "QRY"
12H
0059H
13H
0109H
Primary OEM command set
14H
0000H
15H
0000H
Address for Primary Extended Table (00H = none exists)
16H
0000H
17H
0000H
Alternate OEM command set (00H = none exists)
18H
0000H
19H
0000H
Address for Alternate OEM extended Table (00H = none exits)
327 PGM T6a.1
表 6b: System Interface Information for E2 Bank
Address
1BH
Data
0022H
1CH
0028H
1DH
1EH
1FH
20H
21H
22H
23H
24H
25H
26H
0000H
0000H
0005H
0012H
0002H
0006H
0001H
0001H
0001H
0001H
Data
VDD Min. (Program/Erase)
DQ4-DQ7: Volts, DQ3-DQ0: millivolts
VDD Max. (Program/Erase)
DQ4-DQ7: Volts, DQ3-DQ0: millivolts
Vpp min. (00H = no Vpp pin)
Vpp max. (00H = no Vpp pin)
Typical time out for Word Program 2Nus
Typical time out for min. size Page Write 2Nus
Typical time out for individual Sector Erase 2N ms
Typical time out for Bank Erase 2N ms
Maximum time out for Word Program 2N times typical
Maximum time out for Page Write 2N times typical
Maximum time out for individual Sector Erase 2N times typical
Maximum time out for Bank Erase 2N times typical
327 PGM T6b.2
表 6c: Device Geometry Information for E2 Bank
Address
27H
28H
Data
000DH
0001H
29H
2AH
0000H
0001H
2BH
2CH
2DH
2EH
2FH
30H
0000H
0001H
007FH
0000H
0001H
0000H
Data
Device size = 2N Byte ("D"> 213 = 8 KBytes = 64 Kbits)
Flash Bank Device Interface description (Refer to CFI publica
tion 100)
(x16 asynchronous)
Maximum number of bytes in Page Write = 2N (00H = not
supported)
Number of Erase Block Regions within device
Erase Block Region 1 Information (Sector)
(refer to the CFI specification or publication 100)
y = 127 +1 = 128 sectors (007FH = 127)
z = 32 Bytes/sector = 1 x 256 Bytes
No.6254-16/46
LE28BU167
絶対最大定格
下記の絶対最大定格以上のストレスが印加された場合、破壊を起こす恐れがある。
保存周囲温度・・・・・・・・・・-65℃ ∼ +150℃
D.C.端子電圧・・・・・・・・・・-0.5V ∼ VDD + 0.5V
端子に対する瞬時電圧(<20 ns)・・-1.0V ∼ VDD + 1.0V
許容消費電力 (Ta = 25℃)・・・・1.0W
動作範囲
範囲
商業用
産業用
AC
試験入力
AC試験入力
周囲温度
0℃ ∼ +70℃
-40℃ ∼ +85℃
VDD
2.5V ± 0.3V
2.5V ± 0.3V
入力立ち上がり/立ち下がり時間・・・・5ns
出力端子負荷・・・・・・・・・・・・ CL=30pF
図14、15を参照
DC
電気的特性
DC電気的特性
記号
項目
IDD
動作電流
リード
ISB
IALP
ILI
ILO
VIL
VILC
VIH
VIHC
VOL
VOH
Min
ライト:フラッシュバンク
又は E2バンク
リード:フラッシュバンク
＋ライト/イレーズ/
プログラム:E2又は
フラッシュバンク
TTLスタンバイ電流
(CMOS inputs)
自己電力セーブモード
(CMOS inputs)
入力リーク電流
出力リーク電流
入力「L」レベル電圧
入力「L」レベル電圧(CMOS)
入力「H」レベル電圧
入力「H」レベル電圧(CMOS)
出力「L」レベル電圧
出力「H」レベル電圧
Limits
Max
Units
20
mA
30
mA
50
mA
10
10
μA
μA
1
1
VDD*0.3
0.2
μA
μA
V
V
V
V
V
V
VDD*0.7
VDD-0.2
0.2
VDD-0.2
条件
BE#1,BE#2,又はBE#3= VIL,WE#=VIH,
全てのDQはオープン,アドレス入力 =VIL/
VIH,動作周波数 f=1/TRC (Min）VDD=VDD
Max
BE#1/2=WE#=VIL,OE#=VIH,VDD = VDD Max.
BE#3=WE#=VIL,OE#=VIH,VDD = VDD Max.
BE#1,BE#2,or BE#3 = VIL,OE#=WE#=VIH
アドレス入力=VIL/VIH,動作周波数
f=1/TRC（Min）WE#=VIH,VDD = VDD Max
BE#1=BE#2=BE#3=VIHC
VDD = VDD Max.
BE#1,BE#2, or BE#3= VILC,WE#=VIHC,
全てのDQはオープン,アドレス入力 =
VILC/VIHCとスタテックVDD = VDD Max
VIN =GND ∼ VDD,VDD = VDD Max
VOUT =GND ∼ VDD,VDD = VDD Max.
IOL= 100μA,VDD = VDD Min.
IOH = -100μA,VDD = VDD Min.
No.6254-17/46
LE28BU167
電源投入タイミング
記 号
項 目
TPU-READ(1)
TPU-WRITE(1)
電源投入からリード動作までの時間
電源投入からライト動作までの時間
入出力容量 (Ta = 25
℃ , f=1 MHz, 他のピンはオープン
)
25℃
他のピンはオープン)
項目
記号
CDQ(1)
CIN(1)
入出力容量
入力容量
信頼性特性
項 目
記 号
NEND
(1)
TDR(1)
注:
(1)
書換回数-フラッシュ部
書換回数-E2部
データ保持
Minimum
Units
200
200
μs
μs
条件
Maximum
VDQ = 0V
VIN = 0V
12 pF
6 pF
Min. Spec.
Units
10,000
100,000
10
Cycles/Sector
Cycles/Word
Years
テスト方法
JEDEC Standard A117
JEDEC Standard A103
この特性は、デバイスの初期条件に基づき測定されたもので、仕様が変更するとその特性も変わる。
No.6254-18/46
LE28BU167
ＡＣ電気的特性
リードサイクル
記 号
TRC
TBE
TAA
TOE
TCLZ(1)
TOLZ(1)
TCHZ(1)
TOHZ(1)
TOH(1)
項 目
ﾘリードサイクル時間
BE#アクセス時間
アドレスアクセス時間
OE#アクセス時間
BE#からの出力低インピーダンス時間
OE#からの出力低インピーダンス時間
BE#からの出力高インピーダンス時間
OE#からの出力高インピーダンス時間
アドレスからの出力有効時間
LE28BU166-90
Max
Min
90
90
90
35
0
0
20
20
0
イレーズ
/ プログラミングサイクル
イレーズ/
項目
記号
TWC
ワードライトサイクル時間
（イレーズ＋プログラム）
TBPE
ワードプログラム時間 - E2バンク
TBPF
ワードプログラム時間 - フラッシュバンク
TSEF
セクターイレース時間 フラッシュバンク
TLEF
ブロックイレース時間 フラッシュバンク
TBEF
バンクイレース時間 フラッシュバンク
TSEE
セクターイレース時間 E2バンク
TBEE
バンクイレース時間 E2バンク
TWS
アドレスセットアップ時間
TAH
アドレスホールド時間
TBES
BE# セットアップ時間
TBEH
BE# ホールド時間
TOES
OE# 「H」レベル セットアップ時間
TOEH
OE# 「H」レベル ホールド時間
TWP
WE# パルス幅
TWPH
WE# 待機パルス幅
TDS
データセットアップ時間
TDH
データホールド時間
(1)
TVDDR
VDD立ち上がり時間
TDBR
データ#ポーリングリード時間
TTBR
トグルビットリード時間
TIDA
ID又はCFI Read/Exit サイクル
注:
(1)
LE28BU166-120
Min
Max
120
120
120
50
0
0
30
30
0
Min
0
50
0
0
0
0
50
30
50
0
0.1
35
35
150
Units
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Max
10
Units
ms
40
20
25
25
100
10
100
μs
μs
ms
ms
ms
ms
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
50
この特性は、デバイスの初期条件に基づき測定されたもので、仕様が変更するとその特性も変わる。
No.6254-19/46
LE28BU167
TRC
TAA
ADDRESS A18-0
TBE
BE#1
TOE
OE#
VIH
TOHZ
TOLZ
BE#2, BE#3, WE#
DQ15-0
HIGH-Z
TOH
TCLZ
DATA VALID
TCHZ
HIGH-Z
DATA VALID
327 ILL F03a.2
TRC
TAA
ADDRESS A18-0
TBE
BE#2
TOE
OE#
VIH
TOHZ
TOLZ
BE#1 , BE#3, WE#
DQ15-0
HIGH-Z
TCLZ
TOH
DATA VALID
TCHZ
HIGH-Z
DATA VALID
327 ILL F03b.2
No.6254-20/46
LE28BU167
TAA
TRC
ADDRESS A11-0
TBE
BE#3
TOE
OE#
TOHZ
TOLZ
VIH
BE#1 , BE#2, WE#
HIGH-Z
DQ15-0
TCHZ
TOH
TCLZ
HIGH-Z
DATA VALID
DATA VALID
327 ILL F03c.2
TBPF
5555
TAH
ADDRESS A18-0
2AAA
5555
ADDR
TDH
TWP
WE#
TAS
TDS
TWPH
BE#2, BE#3, OE#
TBEH
BE#1
TBES
DQ15-0
AA
SW0
55
SW1
A0
SW2
DATA
WORD
(ADDR/DATA)
327 ILL F04a1.3
No.6254-21/46
LE28BU167
TBPF
5555
TAH
ADDRESS A18-0
2AAA
5555
ADDR
TDH
TWP
BE#1
TAS
TDS
TWPH
BE#2, BE#3, OE#
TWEH
WE#1
TWES
DQ15-0
AA
SW0
55
A0
SW1
SW2
DATA
WORD
(ADDR/DATA)
327 ILL F04a2.3
TBPF
5555
TAH
ADDRESS A18-0
2AAA
5555
ADDR
TDH
TWP
WE#
TAS
TDS
TWPH
BE#1, BE#3, OE#
TBEH
BE#2
TBES
DQ15-0
AA
SW0
55
SW1
A0
SW2
DATA
WORD
(ADDR/DATA)
327 ILL F04b1.3
No.6254-22/46
LE28BU167
TBPF
5555
TAH
ADDRESS A18-0
2AAA
5555
ADDR
TDH
TWP
BE#2
TAS
TDS
TWPH
BE#1, BE#3, OE#
TWEH
WE#
TWES
DQ15-0
AA
SW0
55
A0
SW1
SW2
DATA
WORD
(ADDR/DATA)
327 ILL F04b2.3
TWC
5555
TAH
ADDRESS A14-0
2AAA
5555
ADDR
TDH
TWP
WE#
TAS
TDS
TWPH
BE#1, BE#2, OE#
TBEH
BE#3
TBES
DQ15-0
AA
SW0
55
SW1
A0
SW2
DATA
WORD
(ADDR/DATA)
327 ILL F04c1.3
No.6254-23/46
LE28BU167
TWC
5555
TAH
ADDRESS A14-0
2AAA
5555
ADDR
TDH
TWP
BE#3
TAS
TDS
TWPH
BE#1, BE#2, OE#
TWEH
WE#
TWES
DQ15-0
AA
SW0
55
A0
SW1
SW2
DATA
WORD
(ADDR/DATA)
327 ILL F04c2.3
TBPE
5555
TAH
ADDRESS A14-0
2AAA
5555
ADDR
TDH
TWP
WE#
TAS
TDS
TWPH
BE#1, BE#2, OE#
TBEH
BE#3
TBES
DQ15-0
AA
SW0
55
SW1
A5
SW2
DATA
WORD
(ADDR/DATA)
327 ILL F04d1.3
No.6254-24/46
LE28BU167
TBPE
5555
TAH
ADDRESS A14-0
2AAA
5555
ADDR
TDH
TWP
BE#3
TAS
TDS
TWPH
BE#1, BE#2, OE#
TWEH
WE#
TWES
DQ15-0
AA
SW0
55
SW1
A5
DATA
SW2
WORD
(ADDR/DATA)
326 ILL F04d 2.3
TBEF
ADDRESS A18-0
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
TAH
TAS
BE#1
BE#2, BE#3, OE#
TDS
TWPH
TWP
TDH
WE#
DQ15-0
AA
55
80
AA
55
SW0
SW1
SW2
SW3
SW4
10
SW5
327 ILL F05a1.2
No.6254-25/46
LE28BU167
TLEF
ADDRESS A18-0
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
BAX
TAH
TAS
BE#1
BE#2, BE#3, OE#
TDS
TWPH
TWP
TDH
WE#
DQ15-0
AA
55
80
AA
55
SW0
SW1
SW2
SW3
SW4
50
SW5
327 ILL F05a2.3
TSEF
ADDRESS A18-0
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
SAX
TAH
TAS
BE#1
BE#2, BE#3, OE#
TDS
TWPH
TWP
TDH
WE#
DQ15-0
AA
55
80
AA
55
SW0
SW1
SW2
SW3
SW4
30
SW5
327 ILL F05a3.3
No.6254-26/46
LE28BU167
TBEF
ADDRESS A18-0
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
TAH
TAS
BE#2
BE#1, BE#3, OE#
TDS
TWPH
TWP
TDH
WE#
DQ15-0
AA
55
80
AA
55
SW0
SW1
SW2
SW3
SW4
10
SW5
327 ILL F05b1.2
TLEF
ADDRESS A18-0
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
BAX
TAH
TAS
BE#2
BE#1, BE#3, OE#
TDS
TWPH
TWP
TDH
WE#
DQ15-0
AA
55
80
AA
55
SW0
SW1
SW2
SW3
SW4
50
SW5
327 ILL F05b2.3
No.6254-27/46
LE28BU167
TSEF
ADDRESS A18-0
5555
2AAA
5555
5555
SAX
2AAA
TAH
TAS
BE#2
BE#1, BE#3, OE#
TDS
TWPH
TWP
TDH
WE#
DQ15-0
AA
55
80
AA
55
30
SW0
SW1
SW2
SW3
SW4
SW5
327 ILL F05b3.3
TBEE
ADDRESS A14-0
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
TAH
TAS
BE#3
BE#1, BE#2, OE#
TDS
TWPH
TWP
TDH
WE#
DQ15-0
AA
55
80
AA
55
SW0
SW1
SW2
SW3
SW4
10
SW5
327 ILL F05c1.2
No.6254-28/46
LE28BU167
TSEE
ADDRESS A14-0
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
SAX
TAH
TAS
BE#3
BE#1, BE#2, OE#
TDS
TWPH
TWP
TDH
WE#
DQ15-0
AA
55
80
AA
55
SW0
SW1
SW2
SW3
SW4
30
SW5
327 ILL F05c2.3
ADDRESS A18-0
BE#2, BE#3
TBE
BE#1
TOES
TOEH
OE#
TOE
WE#
DQ7
Data
Data#
Data#
Data
326 ILL F06a.3
No.6254-29/46
LE28BU167
ADDRESS A18-0
BE#1, BE#3
TBE
BE#2
TOES
TOEH
OE#
TOE
WE#
DQ7
Data
Data#
Data#
Data
327 ILL F06b.2
ADDRESS A14-0
BE#1, BE#2
TBE
BE#3
TOES
TOEH
OE#
TOE
WE#
DQ7
Data
Data#
Data#
Data
327 ILL F06c.3
No.6254-30/46
LE28BU167
ADDRESS A18-0
BE#2, BE#3
TBE
BE#1
TOEH
TOE
TOES
OE#
WE#
DQ6
327 ILL F07a.3
ADDRESS A18-0
BE#1, BE#3
TBE
BE#2
TOEH
TOE
TOES
OE#
WE#
DQ6
327 ILL F07b.3
No.6254-31/46
LE28BU167
ADDRESS A14 -0
BE#1, BE#2
TBE
BE#3
TOES
TOE
TOEH
OE#
WE#
DQ6
326 ILL F07c.3
ADDRESS A14-0
5555
2AAA
5555
0000
0001
BE#1
BE#2, BE#3
OE#
TIDA
TWP
WE#
TWPH
DQ15-0
AA
55
SW0
SW1
TAA
90
00BF
2591
SW2
327 ILL F08a.3
No.6254-32/46
LE28BU167
ADDRESS A14-0
5555
2AAA
5555
0000
0001
BE#2
BE#1, BE#3
OE#
TIDA
TWP
WE#
TWPH
DQ15-0
AA
55
SW0
SW1
TAA
00BF
90
2592
SW2
327 ILL F08b.3
ADDRESS A14-0
5555
2AAA
5555
0000
0001
BE#3
BE#2, BE#3
OE#
TIDA
TWP
WE#
TWPH
DQ15-0
AA
55
SW0
SW1
TAA
90
00BF
2593
SW2
327 ILL F08c.3
No.6254-33/46
LE28BU167
ADDRESS A14-0
5555
2AAA
DQ15-0
AA
5555
55
F0
TIDA
BE#1
BE#2, BE#3, OE#
TWP
WE#
T WPH
SW0
ADDRESS A14-0
DQ15-0
5555
SW1
2AAA
AA
327 ILL F09a.3
SW2
5555
55
F0
TIDA
BE#1
BE#1 , BE#3, OE#
TWP
WE#
T WPH
SW0
SW1
SW2
327 ILL F09b.4
No.6254-34/46
LE28BU167
ADDRESS A14 -0
DQ15-0
5555
2AAA
AA
5555
55
F0
TIDA
BE#1
BE#1 , BE#3, OE#
TWP
WE#
T WPH
SW0
SW1
SW2
327 ILL F09c.4
No.6254-35/46
LE28BU167
ADDRESS A14-0
5555
2AAA
5555
0010
0011
BE#1
BE#2, BE#3
OE#
TIDA
TWP
WE#
TWPH
DQ15-0
AA
55
SW0
SW1
TAA
0051
98
0052
SW2
327 ILL F10a.2
ADDRESS A14-0
5555
2AAA
5555
0010
0011
BE#2
BE#1, BE#3
OE#
TIDA
TWP
WE#
TWPH
DQ15-0
AA
55
SW0
SW1
TAA
98
0051
0052
SW2
327 ILL F10b.3
No.6254-36/46
LE28BU167
ADDRESS A14-0
5555
2AAA
5555
0010
0011
BE#3
BE#2, BE#3
OE#
TIDA
TWP
WE#
TWPH
DQ15-0
AA
55
SW0
SW1
TAA
98
0051
0052
SW2
327 ILL F10c.3
ADDRESS A14-0
DQ15-0
5555
2AAA
AA
5555
55
F0
TIDA
BE#1
BE#2, BE#3, OE#
TWP
WE#
T WPH
SW0
SW1
SW2
327 ILL F11a.2
No.6254-37/46
LE28BU167
ADDRESS A14-0
5555
DQ15-0
2AAA
AA
5555
55
F0
TIDA
BE#1
BE#1 , BE#3, OE#
TWP
WE#
T WPH
SW0
ADDRESS A14 -0
DQ15-0
5555
SW1
2AAA
AA
SW2
327 ILL F11b.3
5555
55
F0
TIDA
BE#1
BE#1 , BE#3, OE#
TWP
WE#
T WPH
SW0
SW1
SW2
327 ILL F11c.3
No.6254-38/46
LE28BU167
TBPE
ADDRESS A14 -0
5555
2AAA
5555
5555
2AAA
5555
TAH
TAS
BE#3
BE#1, BE#2, OE#
TDS
TWPH
TWP
TDH
WE#
DQ15-0
AA
55
80
AA
55
SW0
SW1
SW2
SW3
SW4
70
SW5
327 ILL F12.2
TRC
ADDRESS A18-0
5XXXX
TAA
TBE
BE#3
TOE
OE#
VIH
TOLZ
BE#1, BE#2, WE#
DQ15-0
HIGH-Z
TCLZ
TOH
DATA VALID
327 ILL F13.3
No.6254-39/46
LE28BU167
VIHT
VHT
VHT
VLT
VLT
VILT
327 ILL F14.2
AC 試験入力は、
”1”については VIHT(VDD*0.9),”0”については VILT(VDD*0.1)で駆動される。入出力の測定基準点
*
は VHT(VDD 0.7)、VLT(VDD*0.3)である。入力立ち上がり / 立ち下がり時間（10% ⇔ 90%)は 10ns 以下である。
図 14
： AC 入出力リファレンス波形
14：
VDD
RL HIGH
CL
図 14 ： 試験用負荷
RL LOW
327 ILL F15.2
No.6254-40/46
LE28BU167
327 ILL F16.2
図 16 ： バンクイレーズフローチャート
327 ILL F17.4
図 17
： フラッシュバンクブロックイレーズフローチャート
17：
No.6254-41/46
LE28BU167
327 ILL F18.4
図 18 ： E ２バンクセクターイレーズフローチャート
327 ILL F19.4
図 19 ：
フラッシュバンクセクターイレーズフローチャート
No.6254-42/46
LE28BU167
327 ILL F20.3
図 20 ： E ２バンクワードライトフローチャート
No.6254-43/46
LE28BU167
327 ILL F21.3
図 21 ：
フラッシュバンクワードプログラムフローチャート
No.6254-44/46
LE28BU167
327 ILL F22.3
図 22 ： E ２バンクワードプログラムフローチャート
No.6254-45/46
LE28BU167
No
No
Yes
327 ILL F23.1
図 23 ： ライト、
イレーズ、
又はプログラム待ち動作終了のフローチャート
ライト、イレーズ、
イレーズ、又はプログラム待ち動作終了のフローチャート
Y368 PS No.6254-46/46