ETC TF2110

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TF2110/TF2113
高侧和低侧栅极驱动器
特点: Features
描述 Description
ƒƒ 驱动两个N沟道MOSFET或IGBT高侧/低侧配
置浮动高侧驱动器可以驱动的门电压高达
500V/600V
ƒƒ 灌2.5A / 2.5A源的典型输出电流
ƒƒ 负瞬态输出宽容
ƒƒ 栅极驱动器宽电源电压范围：10V到20V
ƒƒ 逻辑输入宽电压范围：3.3V至20V
ƒƒ 宽逻辑电源偏移电压范围：-5V至5V
ƒƒ 10ns（TF2110)/ 20ns (TF2113)的最大延迟匹配
ƒƒ 27 ns（典型值）的上升/ 17 ns（典型值）下降
时间与1000 pF负载
ƒƒ 120 ns（典型值）的导通/ 94 ns（典型值） 的
关断延迟时间
ƒƒ 过低压锁定高侧和低侧驱动器
ƒƒ 逐周期边沿触发关断电路
ƒƒ 扩展温度范围：-40°C至+125°C
ƒƒ 直接替代IR2110 / IR2113
TF2110, TF2113是高电压，高速MOSFET和IGBT驱动器
具有独立的高侧和低侧输出。 高侧驱动器提供浮动电
源高达500V / 600V。10ns（最大值）/20ns（最大值）的
传播延迟匹配之间的高侧驱动器和低侧驱动器允许高
频操作。
而驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲
设计，TF2110和TF2113逻辑的输入兼容标准CMOS电平
（低至3.3V）。
TF2110，TF2113提供16引脚SOIC封装和14引脚PDIP封
装。 他们工作在-40°C至+125°C温度范围。
应用 Applications
ƒƒ
ƒƒ
ƒƒ
ƒƒ
DC-DC 转换器
AC-DC 逆变器
电机控制
D类功率放大器
订购信息 Ordering Information
零件号 (NOTE1)
YY=年份 WW=星期
包/数量
封装
编号
TF2110-3BS
TF2110-TEU
TF2110-TEH
TF2113-3BS
TF2113-TEU
TF2113-TEH
PDIP-14
Tube / 25
YYWW
SOIC-16W Tube / 47
TF2110
Lot ID
SOIC-16W T&R / 2500
PDIP-14
Tube / 25
YYWW
SOIC -16 W Tube / 47
TF2113
Lot ID
SOIC-16W T&R / 2500
NOTE1 REPLACE X with P for 180 mm Tape & Reel Packing (Qty 3,000)
or Q for 330 mm Tape & Reel Packing (Qty 10,000).
典型应用 Typical Application
Up to 500V / 600V
HO
VDD
VDD
HIN
HIN
SD
LIN
VSS
VCC
SD
R3
R4
VB
VS
TF2110 /
TF2113
TO LOAD
LIN
VCC
VSS
COM
LO
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TF2110/TF2113
高侧和低侧栅极驱动器
引脚图 Pin Diagrams
LO
1
16
NC
COM
2
15
VSS
VCC
3
14
LIN
NC
4
13
SD
NC
5
12
HIN
VS
6
11
VDD
VB
7
10
NC
HO
8
9
NC
LO
1
14
NC
COM
2
13
VSS
VCC
3
12
LIN
NC
4
11
SD
VS
5
10
HIN
VB
6
9
VDD
HO
7
8
NC
俯视图: SOIC-16 Wide
引脚名称
VDD
HIN
SD
LIN
VSS
VB
HO
VS
VCC
LO
COM
NC
俯视图: PDIP-14
引脚说明
逻辑电源引脚
逻辑输入为高侧栅极驱动器输出, HIN和HO同相位。.
逻辑输入关断引脚。
逻辑输入为低侧栅极驱动器输出, LIN和LO同相位。
逻辑接地引脚。.
高侧栅极驱动器浮动电源引脚。.
高侧栅极驱动器输出引脚。.
高侧栅极驱动器浮动电源返回引脚。
低侧栅极驱动器电源引脚。
低侧栅极驱动器输出引脚。
低侧栅极驱动电源返回引脚。
“无连接”引脚。
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高侧和低侧栅极驱动器
绝对最大额定值 （注1）
A
VB -高压侧浮动电源电压(TF2110).................................-0.3V to +524V
VB -高压侧浮动电源电压(TF2113).................................-0.3V to +624V
VS-高压侧浮动电源偏移电压....................................VB-24V to VB+0.3V
VHO -高压侧浮动输出电压..........................................VS-0.3V to VB+0.3V
dVs/dt-瞬态偏移电压......................................................................50 V/ns
Vcc-低侧和逻辑固定电源电压...........................................-0.3V to +24V
VLO-低侧输出电压.......................................................-0.3V to VCC+0.3V
VSS-逻辑电源偏移电压..............................................VCC-24V to VCC+0.3
VDD-逻辑电源电压..........................................................-0.3V to VSS+24V
VIN-逻辑输入电压(HIN, LIN and SD).............VSS -0.3V to VDD+0.3V
SOIC-16W 热阻 （注2）
qJC.....................................................................................................45 °C/W
PD - 封装功耗在TA ≤ 25 °C （注2）
SOIC-16W.........................................................................................1.25W
TSSOP-8..............................................................................................1.5W
注1: 在超出“绝对最大额定值”情况下工作，可能会造成设
备永久性损坏。 这些额定值只是最大值，并不意味着在这
些或任何其他条件超出正常的工作范围, 设备还可以正常工
作。 在绝对最大额定值条件下长时间工作可能会影响器件的
可靠性。
qJA.....................................................................................................90 °C/W
PDIP-14 热阻 （注2）
qJC.....................................................................................................35 °C/W
qJA.....................................................................................................75 °C/W
RTHJA .................................................................................................83 °C/W
TJ -结工作温度 ................................................................................+150 °C
TL-焊锡温度（焊接，10s）............................................................+300 °C
Tstg存储温度范围...........................................................-55 °C to +150 °C
注2： 当安装在一个标准的JEDEC 2层FR-4板。
推荐工作条件 Recommended Operating Conditions
符号
VB
VS
参数
高侧浮动电源电压绝对值
高侧浮动电源偏移电压
最小
典型值
最大
单元
VS + 10
-
VS + 20
V
注3
-
500 (TF2110)
600 (TF2113)
V
-
VB
V
VHO
高侧浮动输出电压
VS
VCC
低侧固定电源电压
10
20
V
VLO
低侧输出电压
0
VCC
V
VDD
逻辑电源电压
-5
注4
5
V
VIN
逻辑输入电压（HIN，LIN和SD）
Vss
VDD
V
TA
环境温度
-40
125
°C
NOTE3: 逻辑运算 VS = -4 to +500V.
NOTE4: 当 VDD < 5V, 最小 VSS 偏移电压被限制为 - VDD
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高侧和低侧栅极驱动器
直流电气特性 (注5) DC Electrical Characteristics
VBIAS (VCC, VBS, VDD ) = 15V, TA = 25 °C, 和 VSS = COM （除非另有规定。）
符号
参数
VIH
逻辑“1”输入电压
VIL
逻辑“0”输入电压
VOH
高电平输出电压, VBIAS - VO
低电平输出电压, VO
VOL
ILK
IBSQ
ICCQ
IDDQ
IIN+
条件
最小
典型值
最大
9.5
单元
V
6.0
V
IO = 0A
1.2
V
IO = 0A
0.1
V
偏置电源漏电流
VB = VS = 500V/600V
50
mA
静态VBS电源电流
VIN = 0V or VDD
125
230
mA
静态VCC电源电流
VIN = 0V or VDD
180
340
mA
静态VDD电源电流
VIN = 0V or VDD
15
30
mA
20
40
mA
1
mA
逻辑 “1” 输入偏置电流
IIN-
VIN = VDD
逻辑“0” 输入偏置电流
VBSUV+
VIN = 0V
VBS电源欠压正向阈值
7.5
8.6
9.7
V
VBS 电源欠压负向阈值
7.0
8.2
9.4
V
VCC 电源欠压正向阈值
7.4
8.5
9.6
V
VCC电源欠压负向阈值
7.0
8.2
9.4
V
VBSUVVCCUV+
VCCUVIO+
IO-
输出高电平短路脉冲电流
VO = 0V, VIN = VDD PW ≤
10 ms
2.0
2.5
A
输出低电平短路脉冲电流
VO = 15V, VIN = 0V PW ≤
10 ms
2.0
2.5
A
交流电气特性 AC Electrical Characteristics
VBIAS (VCC, VBS, VDD ) = 15V, TA = 25 °C, 和 CL = 1000pF（除非另有规定。）
符号
参数
条件
最小
典型值
最大
单元
tON
打开传输延迟
VS = 0V
9.5
120
150
ns
tOFF
关闭传输延迟
VS = 500/600V
94
125
ns
tSD
关断传输延迟
VS = 500/600V
110
140
ns
tr
开启上升时间
25
35
ns
tf
关断下降时间
17
25
ns
10 (TF2110)
20 (TF2113)
ns
tDM
延时匹配
NOTE 5: VIN, V TH, 和 IIN参数，请参考VSS，并适用于所有三个逻辑引脚: HIN, LIN 和 SD. VO 和 IO 参数
参考COM，并适用于各自的输出引脚: HO and LO.
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高侧和低侧栅极驱动器
时序和波形定义 Timing and Waveform Definitions
HIN
LIN
SD
HO
LO
图 1. 输入/输出时序图
HIN
LIN
50%
50%
tON
HO
LO
tr
tOFF
90%
90%
tf
10%
10%
图 2. 开关时间波形定义
SD
50%
tSD
90%
HO
LO
图 3. 关断波形定义
HIN
LIN
50%
LO
50%
HO
10%
tDM
tDM
90%
LO
HO
图 4. 延迟匹配波形定义
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高侧和低侧栅极驱动器
功能框图 Functional Block Diagram
VDD
R
VB
Q
S
HIN
VDD/VCC
Level
Shift
UV
Detect
Pulse
Gen
HV Level
Shift
Pulse
Filter
SD
R
Q
HO
R
S
High Voltage Well
Vs
Vcc
UV
Detect
VDD/VCC
Level
Shift
LIN
LO
S
VSS
Delay
R Q
COM
封装尺寸(PDIP-14) Package Dimensions
ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES UNLESS OTHERWISE NOTED
unisem
Jalan S. Parm an Kav. 201
Batam indo Industrial Park, M uka Kuning
Batam Island 29433, Indonesia
Telp:(62)-770-611888 Fax:(62)-770-611555
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封装尺寸 (SOIC-16W) Package Dimensions
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