ASEMI MDS100A

MDS100A
三相整流模块
特性
应用
IO
100A
1). 芯片与底板电气绝缘, 2500V交流电压
1). 仪器设备的直流电源
VRRM
600~1600V
2). 全压接结构,优良的温度特性和功率循环能力
2). PWM 变频器的输入整流电源
IFSM
1.2 KA
2
3). 逆变焊机
3). 体积小, 重量轻
7.2 A2S*103
It
外形尺寸图
参数
符号
参数
测试条件
结温
Tj(℃)
IO
直流输出电流
三相全波整流电路, TC=100℃
150
VRRM
反向重复峰值电压
VRRM tp=10ms VRSM= VRRM+200V
150
IRRM
反向重复峰值电流
at VRRM
150
IFSM
正向不重复浪涌电流
10ms 正弦半波
I2t
浪涌电流平方时间积
VR=0.6VRRM
VFO
门槛电压
rF
斜率电阻
VFM
正向峰值电压
IFM=100A
Rth(j-c)
热阻抗(结至壳)
Rth(c-h)
Viso
Fm
Tstg
www.asemi.tw
参数值
最小
典型
单位
最大
100
A
1600
V
8
mA
1.2
KA
7.2
A2s*103
0.8
V
4.5
mΩ
1.30
V
单面散热
0.20
℃ /W
热阻抗(壳至散热器)
单面散热
0.07
℃ /W
绝缘电压
50Hz,R.M.S,t=1min,Iiso:1mA(max)
600
150
150
25
2500
V
安装扭矩(M5)
4
N·m
安装扭矩(M6)
6
N·m
贮存温度
-40
125
℃
1/2
MDS100A
性能曲线图
Peak forward Voltage
Vs.Peak forward Current
0'46
Thermai Impedance Vs.Time
Max. junction To case
Tj=150e
C
ⶀᗕ⛁䰏ᡫZth,e
C/W
ℷ৥ዄؐ⬉य़VFM,V
ℷ৥ዄؐ⬉⌕IFM,A
Fig.1 ℷ৥ӣᅝ⡍ᗻ᳆㒓
Max. case Temperature
Vs.Mean forward Current
0'6
3Ⳍ
ㅵ໇⏽ᑺTc(max),e
C
᳔໻ℷ৥ࡳ㗫PF(AV)(max),W
3Ⳍ
ℷ৥ᑇഛ⬉⌕IF(AV),A
Fig.3 ᳔໻ℷ৥ࡳ㗫Ϣᑇഛ⬉⌕ⱘ݇㋏᳆㒓
ℷ৥ᑇഛ⬉⌕ IF(AV) ,A
Fig.4 ㅵ໇⏽ᑺϢᑇഛ⬉⌕ⱘ݇㋏᳆㒓
Surge Current Vs.Cycles
1.2
2
8
7
⬉⌕ᑇᮍᯊ䯈⿃I2t,104A2S
ℷ৥⌾⍠⬉⌕IFSM,KA
Fig.2 ⶀᗕ⛁䰏ᡫ᳆㒓
Max. Power Dissipation
Vs.Mean forward Current
0'6
1.2
I t 7.2
Vs.Time
6
5
4
3
2
਼⊶᭄n,@ 50Hz
Fig.5 ℷ৥⌾⍠⬉⌕Ϣ਼⊶᭄ⱘ݇㋏᳆㒓
www.asemi.tw
ᯊ䯈tˈS
1
10
ᯊ䯈t,ms
Fig.6 I2t⡍ᗻ᳆㒓
2/2