ETC 74HC573

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74HC573
．
八进制 3 态非反转透明锁存器
74HC573
ｒ
ｍ
高性能硅门 CMOS 器件
ａ
－
ａ
SL74HC573 跟 LS/AL573 的管脚一样。器件的输入是和标准 CMOS 输出兼容
的；加上拉电阻，他们能和 LS/ALSTTL 输出兼容。
当锁存使能端为高时，这些器件的锁存对于数据是透明的（也就是说输出同
步）。当锁存使能变低时，符合建立时间和保持时间的数据会被锁存。
×输出能直接接到 CMOS，NMOS 和 TTL 接口上
×操作电压范围：2.0V~6.0V
×低输入电流：1.0uA
×CMOS 器件的高噪声抵抗特性
ｗ
ｗ
．
ｆ
ｐ
ｇ
管腿安排：
ｗ
功能表：
输出使能
L
L
L
H
X=不用关心
Z＝高阻抗
输入
锁存使能
H
H
L
X
D
H
L
X
X
输出
Q
H
L
不变
Z
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单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
ｒ
ｍ
－
ａ
值
-0.5~+7.0
-1.5~VCC+1.5
-0.5~VCC+0.5
20
35
75
750
500
-65~+150
260
ａ
最大值范围：
符号
参数
VCC
DC 供电电压（参考 GND）
VIN
DC 输入电压（参考 GND）
VOUT
DC 输出电压（参考 GND）
IIN
每一个 PIN 的 DC 输入电流
IOUT
每一个 PIN 的 DC 输出电流
ICC
DC 供电电流，VCC 和 GND 之间
PD
在自然环境下，PDIP 和 SOIC 封装下的
功耗
Tstg
存储温度
TL
引线温度，10 秒（PDIP，SOIC）
℃
℃
ｆ
ｐ
ｇ
*最大值范围是指超过这个值，将损害器件。
操作最好在下面的推荐操作条件下。
＋额定功率的下降——PDIP：－10mW/℃ ，65℃～125℃
SOIC：－7 mW/℃ ，65℃～125℃
ｗ
ｗ
．
参数
DC 供电电压（参考 GND）
DC 输入电压，输出电压（参考 GND）
所有封装的操作温度
输入上升和下降时间 VCC=2.0V
VCC=4.5V
VCC=6.0V
ｗ
推荐操作条件：
符号
VCC
VIN,VOUT
TA
tr，tf
最小
2.0
0
-55
0
0
0
．
74HC573
最大
6.0
VCC
+125
1000
500
400
单位
V
V
℃
ns
这个器件带有保护电路，以免被高的静态电压或电场损坏。然而，对于高阻抗
电路，必须要采取预防以免工作在任何高于最大值范围的条件下工作。VIN 和 VOUT
应该被约束在 GND≤（VIN 或 VOUT）≤VCC。
不用的输入管腿必须连接总是连接到一个适合的逻辑电压电平（也就是 GND
或者 VCC）。不用的输出管腿必须悬空。
DC 电子特性（电压是以 GND 为参考）：
VCC 条件限制
符号 参数
测试条件
单位
V
25
≤85
≤125
℃～
℃
℃
－55
℃
VIH
1.5
1.5
1.5
V
最小高
VOUT=0.1V 或者 VCC- 2.0
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IOZ
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
2.0
4.5
6.0
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
1.9
4.4
5.9
4.5
6.0
3.98
5.48
3.84
5.34
3.7
5.2
2.0
4.5
6.0
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
0.1
高阻抗态下的输出
VIN=VIH 或者 VIL，
VOUT=VCC 或者 GND
VIN=VCC 或者 GND
IOUT＝0uA
－
ａ
ｇ
0.26
0.26
V
V
0.33
0.33
0.4
0.4
±0.1
±0.1
±0.1
uA
6.0
±0.5
±5.0
±10
uA
6.0
4.0
4.0
4.0
uA
ｐ
4.5
6.0
V
ｒ
ｍ
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
ａ
3.15
4.2
0.5
1.35
1.8
6.0
ｗ
ICC
最大输
入漏电
流
最大三
态漏电
流
最大静
态供电
电流
VIN=VIH 或者 VIL，
|IOUT|≤6.0mA
|IOUT|≤7.8mA
VIN=VCC 或者 GND
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
ｆ
IIN
最大低
电平输
出电压
．
VOL
VIN=VIH 或者 VIL，
|IOUT|≤6.0mA
|IOUT|≤7.8mA
VIN=VIH 或者 VIL，
|IOUT|≤20uA
ｗ
VOH
0.1V，
|IOUT|≤20uA
VOUT=0.1V 或者 VCC0.1V，
|IOUT|≤20uA
VIN=VIH 或者 VIL，
|IOUT|≤20uA
ｗ
VIL
电平输
入电压
最大低
电压输
入电压
最大高
电平输
出电压
．
74HC573
AC 电子特性（CL=50pF，输入 tr=tf=6.0ns）：
符号
参数
VCC
V
tPLH，
tPHL
输入 D 到 Q，最大延迟（图 1
和 5）
tPLH，
tPHL
锁存使能到 Q 的最大延迟（图
2 和图 5）
tPLZ，
tPHZ
输出使能到 Q 的最大延迟（图
3 和图 6）
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
条件限制
25℃～
≤85
≤125
－55℃
℃
℃
150
190
225
30
38
45
26
33
38
160
200
240
32
40
48
27
34
41
150
190
225
30
48
45
26
33
38
单
位
ns
ns
ns
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74HC573
CIN
COUT
最大输入电容
最大三态输出电容（在高阻态
下的输出）
功耗电容（使能所有输出）
用于确定没有负载时的动态功
CPD
th
锁存使能到输入 D 最小保持时
间（图 4）
tW
锁存使能的最小脉宽（图 2）
tr ，tf
最大输入上升沿和下降沿时序
（图 1）
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
ｗ
ｗ
ｗ
．
ｆ
输入 D 到锁存使能最小建立时
间（图 4）
ａ
ｇ
限制条件
25℃～－
55℃
50
10
9
5
5
5
75
15
13
1000
500
400
ｐ
）：
VCC
V
tSU
225
45
38
90
18
15
10
15
典型在 25℃，VCC=5V 条件下
23
耗：
时序要求（CL=50pF，输入
符号 参数
190
48
33
75
15
13
10
15
ns
ns
≤85
℃
65
13
11
5
5
5
95
19
16
1000
500
400
．
任何输出的最大输出延迟（图
1 和图 5）
150
30
26
60
12
10
10
15
ｒ
ｍ
tTLH，
tTHL
2.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
－
－
pF
pF
ａ
输出使能到 Q 最大延迟（图 3
和图 6）
pF
－
tPZH，
tPZL
≤125
℃
75
15
13
5
5
5
110
22
19
1000
500
400
单
位
ns
ns
ns
ns
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ｗ
ｗ
ｗ
．
ｆ
ｐ
ｇ
ａ
－
ａ
ｒ
ｍ
．
74HC573
逻辑图：
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ｗ
ｗ
ｗ
．
ｆ
ｐ
ｇ
ａ
－
ａ
ｒ
ｍ
．
74HC573