DK51 硅 NPN 大功率开关晶体管 ■用 途 主要用于节能灯、日光灯电子镇流器电路及其它开关、振荡电路。 BC E BCE TO-92 TO-126 ■极限参数 项 目 符 号 极 限 值 单 位 集电极-发射极电压 VCEO 400 V 集电极-基极电压 VCBO 600 V 发射极-基极电压 VEBO 6 V IC 0.5 A 集电极电流 集电极功耗 T C =25℃ Ptot （1） 10 W 集电极功耗 T a=25℃ Ptot （2） TO-92：0.8 TO-126：1.0 W 结温 T jm 150 ℃ 贮存温度 T stg -55~+150 ℃ ■电 特 性(Ta=25℃) 项目 符号 测试条件 参数值 单位 集电极-基极反向电流 ICBO VCB=600V ≤0.01 mA 发射极-基极反向电流 IEBO VEB=6V ≤0.01 mA 直流电流增益 hFE VCE=10V,IC =0.05A 15~20 fT VCE=10V,IC =0.05A ≥8 IC =0.05A , IB=0.01A IC =0.1A , IB=0.02A IC =0.05A , IB=0.01A IC =0.1A , IB=0.02A IC =1mA ≤0.3 ≤0.6 ≤0.9 ≤1.2 400 VCC =125V,IC =0.05A,IB1=-IB2=0.01A ≤0.6 特征频率 集电集-发射极饱和电压 VCE(sat) 基极-发射极饱和电压 VBE(sat) 集电极-发射极击穿电压 V(BR)CEO 下降时间 tf MHz V V V µs