2CL4509H、2CL4512H 微波爐用高壓二極管 High Voltage Diodes for Micro-Wave Oven ■特徵 Features ● IF（AV） 450mA 9kV ,12kV ● VRRM High reliability ● 高可靠性 ■外形尺寸和印記 Outline Dimensions and Mark 單位 Unit：mm 代號、批號 Code、Lot No. φ7.5±0.5 負極標誌 Cathode Mark ■用途 Applications ● 微波爐及其他電子設備高壓電源整流用 Rectification for high voltage power supply of magnetron in Micro wave oven and others 22min . φ1.2±0.03 22min 22±0.5 型號 Type 代號 Code 2CL4509H T4509H 2CL4512H T4512H 負極標誌 Cathode Mark .■極限值（絕對最大額定值） Limiting Values（Absolute Maximum Rating） 符號 Symbol 單位 Unit 2CL4509H 2CL4512H 反向重復峰值電壓 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM kV 9 12 正向平均電流 Average Forward Current IF(AV) mA 450 （正弦半波 50HZ，電阻負載，Ta≤60℃﹡） (50HZHalf-sine wave, Resistance load, Ta≤60℃) IFSM A 30 （正弦半波 50HZ，一個周期，Ta=25℃） （50HZ Half-sine wave, 一個周期，Ta=25℃） IRSM mA 100 (方波、WP=1ms, 單脈衝，Ta=25℃) (WP=1ms, Rectangular-wave, One-shot, Ta=25℃) T(vj) ℃ 130 Tstg ℃ -40 ~ +130 參數名稱 Item 正向浪湧電流 Forward Surge Current 反向浪湧電流 Reverse Surge Current 有效結溫 Virtual Junction Temperature 貯存溫度 Storage Temperature ﹡散熱方式：將負極端子固定在厚度為 0.6mm,面積為 50mm×50mm 以上的散熱片上，風冷條件：0.5m/s Cooling Requirement: Cathode terminal is fastened to radiating fin that size is more than 50mm×50mm×0.6mm Wind-cooled velocity is more than 0.5m/s ■電特性 （Ta=25℃ 除非另有規定） Electrical Characteristics（Ta=25℃ 參數名稱 符號 Item Symbol 正向峰值電壓 VFM Peak Forward Voltage 反向峰值電流 IRRM1 Peak Reverse Current 雪崩擊穿電壓 V（BR） Avalanche Breakdown Voltage Unless otherwise specified） 單位 測試條件 2CL4509H Unit Test Condition V IFM=450mA μA VRM=VRRM kV IR=100μA 2CL4512H ≤10 ≤12 ≤5 ≥9.5 ≥12.5 天津中環半導體股份有限公司 TIANJIN ZHONGHUAN SEMICONDUCTOR JOINT-STOCK CO., LTD. 1 2CL4509H、2CL4512H 600 Ta =25℃ 2CL4512H 450 IRRM（μA） IFM（mA） ■特性曲綫（典型） Characteristics(Typical) 1.0 Ta =25℃ 2CL4509H 0.1 2CL4512H 2CL4509H 300 0.01 150 0.001 0 0 3 6 9 12 0 15 18 VFM（V） 6 9 12 15 VRM（kV） 反向特性 Reverse Characteristics N（pcs.） IF(AV)（mA） 正向特性 Forward Characteristics 3 600 450 100 2CL4509H 2CL4512H Ta =25℃ IR=100μA N=100pcs. 80 60 300 40 150 20 0 0 0 20 40 60 80 100 120 140 12 14 16 18 20 Ta（℃） 24 26 V(BR)（kV） 正向平均電流降額曲綫 IF（AV）—Ta Derating ● 22 擊穿電壓分佈 Breakdown Voltage Distribution 安全試驗 Safety Test 寬 3mm 金屬箔卷在管體中央 3mm Wide metal film is rolled on the surface middle of diode body 1.絕緣電阻試驗：AB 之間施加 500V 直流電壓，用絕 緣電阻表測，絕緣電阻大於 1000MΩ。 2.耐壓強度試驗：在絕緣油中進行，AB 之間施加峰值 為 15kV 的正弦半波電壓、1 分鐘，無擊穿或飛弧。 1.Insulation Resistance Test:500V DC voltage is added between A and B. The measurement by insulation resistance meter is big than 1000MΩ. 2.Resistance To Voltage Strength Test: 15kV halfsine wave voltage is added between A and B for one minute and no breakdown or arc in insulation oil. 天津中環半導體股份有限公司 TIANJIN ZHONGHUAN SEMICONDUCTOR JOINT-STOCK CO., LTD. 2