ETC 3DD9

硅 NPN 三重扩散型功率晶体管
3009
~画矗~ι.t..I飞
用途.功率放大g 低速开关;电源调整
~、形: S J 139 - 81
F - 2 钢〉
最大额定值 (Tc =2S C)
0
额
名
称
定
符号
A
集电极-基极电压
VCBO
集电极'发射极电压
D
80
一一VCBO
I 200
150
~
250
, 100 闪了
50
值
200
250
单位
F
G
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600
v
300
400
v
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发射极'基极电压
,
VEBO
-
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集电极挺散功率
、
,咱
,.'时
一
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A
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PCM
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T
贮存度度
,
A
15
F
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v
5
150(Tc = 750C)
w
-55....175
℃
-55-175
℃
.
T UII
'.
,
电喃幢 (Tc =2S C)
0
名
称
符号|
测
试
条
件
集电极'基极截止电流
ICBO
集电极-发射极截止电流
1CBO
vCB-30V
共发射极静态电~传输比
h PE
VCB==10V.Ic ==7.5A
最小|典型
最大
单位
A
2
.
集电极,发射极饱和电压
VCB'...)
Ic=7.5A
集电极'基极饱和电压
V.BC'.')
1c ==
, IB=0.75A
A, 1. ==
A
15
,
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1.5
v
v
特征频率
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MHz
下降时间
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• 229 •
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R
最小
名
称
测试条件
符号
A
集电极-基殷击穿电压
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IC=5mA
80
150
集电极-发射极击穿电压
V(BR)CBO
IC=5mA
50
100
发射极-基极击穿电压
V{BR)BBO
结-壳热阻
I
250.1
300
I
600
I
400
v
二.
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a
引
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150 1 200
V
5
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符号
称
名
,
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大
最
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位
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硅 NPN 三重扩散型大功率晶体管
3DD9-T
用也功率放大;低速开关;电源调整
外形:
S J 139
- 81
F- 2
(铜)
最大额定值 (Tc =2S C)
0
-:二 Ji
pi i;l l;l:
•
电特性 (Tc =2S C)
0
名
称
符号|
集电极-基极截止电流
ICBO
集电极-发射极截止电流
ICBO
测
试
条
件
f
VcE =30V(A) , V cE =50V( 也)
,.
共发射极静态电流,传输比
VcE=IOOV(C-l)
川
VCE=.'i V , Ic;=7.5A (A.-F) .
hPB
→→一
集电极,发射极饱和电压
VCB(.. 。
集电极"基极饱和电压
VBBCS.')
特征领事
tT
下降时间
tf
• 232 •
,
-VcB =IOV , lc=3.5A (G-í)
Icz7.5A , IBZ0.A7f5G (AHF >
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符号
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硅 NPN 大功率晶体管
极限值〈绝对最大额定值)
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C)
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V
5
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•
电特性 (Ta=25 C)
0
1\\
参
V
V (BR)CEO
( V )
V (BR)EBO
( V )
条
型
号
件
Ic= 5mA
IE = 10mA
(mA) 色标分档
①
IVCE=
②
VCE=
Ic=
3DD9A-T
二三 50
红
3ÐD9B-T
二三 100
橙
40--55
;?5
二三 250
3DD9E-T
二三 300
3DD9G-T
;?400
③
一一一一一一
形
Ic =
IB =
一一一一一-一一一一→
'"
25--40
二三 200
3DD9E 四 T
( V )
黄
←一一二一
3DD9D-T
V CE(sat)
15--25
;?150
3DD9C- T
倒.
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主主 1.5
F-2
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80--120
G-4
紫
罔 2
120--180
事
3DD9H-T
,
7--15
;?500
一一一一一,一
3DD9I-T!
注z ①
棕
;?600
~2.0
红二v 蓝
同上
A 档 VCE= 30V , B 档 V CE = 50V , C -- 1 档 VCE = 100V
②
A-F 档 VCE=5V , Ic=7.5A; G--I 档 VCE= 10V , Ic 二 4A
③
A--F 档 IC=7.5A , IB=0.75A; G-- 1 档 Ic=4A , IB=0.8A
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