ETC CD668CB

 华晶双极电路
华晶双极电路 单片立体声放音电路
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3
3
3
3
3
3
8
8
8
8
8
3
8
8
8
8
8
3
3
8
8
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3
3
8
3
3
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3
3
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3
8
3
8 8 8
3
3
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3
3
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3
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3
3
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3
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3
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3
8
3
3
73
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7
7
7
7
8
3
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8
8
8
8
3
3
3
3
8
8
8
8
8
8
8
8
3
3
3
3
3
3
3
8
8
8
8
8
3
3
3
8
7
3
8
8
3
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3
3
8
3
7
7
7
3
3
3
3
3
3
8
8
8
3
3
3
8
8
8
3
3
3
8 3
8 8
8 3
3
3
3
3
3
3
3
3
3
7
3
3
8
3
8
3
8
3
3
3
3
7
3
3
8
3
8
3
8
3
3
3
3
7
3
3
8
3
8
3
3
3
3
3
3
7
3
3
3
3
8
3
8 8
3
3
3
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
双极电路
CD668CB
单片立体声放音电路
1. 概述与特点
CD668CB 是一块 3V 单片立体声放音电路 其内部含有双声道前置磁头放大 电子音量控制
双声道耳机功放以及直流电机稳速等电路单元 该电路适用于低压便携式立体声盒式磁带放音机
其特点如下
工作电源电压范围宽 VCC= 2.0 ~ 5.0V
不需输入/输出耦合电容 外围电路简单
电子音量控制平衡性能好
设有 前置切断 开关 当开关接至 VCC 时 前置放大器停止工作 以便与收音机检波
输出连接
设有 电机强制启动 开关和 电机强制停止 开关 当这些开关接至 VCC 时 可实现
电机转/停控制
封装形式 SOP28
2. 功能框图与引脚说明
2. 1 功能框图
27
25
26
24
22
23
21
衰减
19
20
17
16
15
14
13
功放
前置
偏置
控制
1/2
Vcc1
电机
控制
1/2
Vcc2
V/I
功放
前置
功放
衰减
2
1
3
28
4
5
6
7
8
9
10
11
18
12
无锡华润矽科微电子有限公司
地址 江苏省无锡市梁溪路 14 号 电话 0510-85810118-5506 传真 0510-85810118-3093
邮编 214061
网址 http://www. semico.com.cn
电邮 [email protected]
第 1 页 共 8 页
双极电路
CD668CB
2. 2 引脚说明
引脚
符 号
1
VBPRE
2
IN1+
3
IN1-
4
NF1PRE
5
OUT1PRE
6
ATT1
7
功 能
引脚
符 号
15
CONS
速度调整
同向输入 1
16
CONT
转矩控制
反向输入 1
17
VCCMO
电机电源
反馈 1
18
MOOFF
电机强制停止
前置输出 1
19
OUT2P
功放输出 2
衰减 1
20
VCC
CONVOL
音量控制
21
VCCPER
前置电源
8
VREF
参考电压
22
PREOFF
前置断
9
OUT1P
功放输出 1
23
ATT2
衰减 2
10
GNDP
功放地
24
OUT2PRE
11
VBP
25
NF2PRE
12
GNDMO
电机地
26
IN2-
反向输入 2
13
CONM
电机控制
27
IN2+
同向输入 2
14
MOON
电机强制启动
28
GNDPRE
1/2 VCC 前置偏置电
压
1/2VCC 功放偏置电
压
功 能
电源
前置输出 2
反馈 2
前置地
3. 电特性
3. 1 极限参数
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
符 号
额 定 值
单 位
电源电压
VCC
7.5
V
功耗
PD
450
mW
工作环境温度
Tamb
-20 ~ 65
贮存温度
Tstg
-40 ~125
工作电压
VOP
2.0~5.0
无锡华润矽科微电子有限公司
V
第 2 页 共 8 页
双极电路
CD668CB
3. 2 电特性
除非另有规定 Tamb= 25
参 数 名 称
静态电流
VCC=3V 信号放大部分: f=1kHz RL=16
符 号
测 试 条 件
SW4
B
规 范 值
最小
典型
最大
25
ICCQ
Vin= 0V Im=0mA
18
开环电压增益
AVO
VO= -10dBm RL
72
闭环电压增益
AvF
VO= -10dBm
最大输出电压
VOM
THD=10%
全谐波失真度
THD
VO = 400mV
输出噪声电压
Vno
输入电阻
Rin
VO= -10dBm
18
串音
C.T
Rg=2.2k ,VO= -10dBm
30
单 位
mA
前置放大器
前置级断时
电压增益
前置级断时
输出电阻
前置断端子的
输入电阻
VOOFF
40
42
0.45
0.6
Vin = 0V Rg=2.2k
BPF(30Hz – 20kHz)
dB
44
dB
V
0.05
0.5
%
150
300
uV
22
k
dB
Vin=100mV
-50
dB
ROOFF
10
k
RIOFF
10
k
衰减器
最大输入电压
Vimax
最大衰减量
Vamax
VR Min
衰减量误差
Vaeir
VR Max
输入电阻
Ria
200
k
Ricot
100
k
控制端输入电
阻
0.2
V
66
dB
0
dB
功率放大器
电压增益
通道电压增益
差
最大输出功率 I
AV
AV
PO= 5mW
36
VR Max
Pom1
THD=10%
RL=32
20
Pom2
THD=10%
RL=16
30
全谐波失真度
THD
PO=5mW
串音
C.T
PO=5mW
最大输出功率
II
38
40
dB
0
3
dB
28
mW
0.5
20
mW
30
2.0
%
dB
接下表
无锡华润矽科微电子有限公司
第 3 页 共 8 页
双极电路
CD668CB
续上表
参 数 名 称
符 号
纹波抑制比
R.R
输出噪声电压
VNO
前置+功放输出
噪声电压
电机驱动部分
Vonpre
IMC
启动电流
IMS
基准电压
VREF
基准电压特性 I
VREF1
II
基准电压特性
III
VCC=3V frip=100Hz
Vrip=100mV
Rg=2.2k
规 范 值
最小
典型
31
37
VR Max
Vin=0V Rg=2.2k
VR Max
最大
单 位
dB
1.0
2.0
mV
3.0
6.0
mV
IM = 100mA 直流电机 M25E – 7
消耗电流
基准电压特性
测 试 条 件
3.0
5.0
500
15 – 16 端间电压
0.72
VCC=2.1 ~ 5.0V
13~17 端间电压变化
mA
mA
0.80
0.87
V
0.5
%/V
VREF2
IM=25 ~ 250 mA
0.01
%/mA
VREF3
Tamb= -10 ~ 50
0.01
%/
电流比例系数
K
电流比特性 I
K1
VCC=2.1 ~ 5.0V
0.5
%/V
电流比特性 II
K2
IM=25 ~ 250 mA
0.05
%/mA
电流比特性 III
K3
Tamb= -10 ~ 50
0.02
%/
强制启动端
输出电压
强制启动端
输入电阻
强制停止时
泄漏电流
强制停止端
输入电阻
VCesa
32
38
IM=200mA
0.6
14 脚接电源
Rion
5.6
IML
Ricon
无锡华润矽科微电子有限公司
43
k
200
33
V
uA
k
第 4 页 共 8 页
V
V
F
+
33
+
33
~
F
SW2
SW1
a
b
b
mc
mc
a
22k
22k
27
2
1
220
28
+
a
a
SW12
b
4
0.022
SW13
b
3
25
0.022
b
SW13
26
a
b
0.1
5.1k
F
SW3
SW3
a
6
23
c a
c
33k
F
5
24
F
33k
5.1k
F
200k
21
VR
b 30k
7
8
CD668CB
22
b a
b
SW4
9
20
A
18
11
19
10
SW5
a
a
12
17
A
32
32
16
16
b
SW8
b
SW7
13
16
V
150
SW6
b
a
a
b
14
15
b
a
V
1k
0.1
200k
IM
a
SW9
V
A
b
SW10
V
V
+
F
220
SW12
F
0.1
Vcc 3V
a
5.0V
无锡华润矽科微电子有限公司
2.1
a
50
b
SW11
+
F
~ 100mVp-p
100Hz
100
+
-
15V
5k
20k
双极电路
CD668CB
4. 测试线路
4. 1 测试线路
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双极电路
CD668CB
4. 2 测试说明
条件
参数名称
符号
VCC = 3V f = 1kHz
RL= 16
SW
1
2
3
3
4
5
6 7
8 9 10 11
12 13
12 13
静态电流
ICCQ
IM = 0mA
c
c
a
b
b
a
b
b b
a
a
a
a
闭环电压增益
AVO
VO= -10dBm
b
b
b
b
b
a
b
b b
a
a
b
b
最大输出电压
VOM
THD = 10%
b
b
b
b
b
a
b
b b
a
a
b
b
全谐波失真度 THD
VO= 400mVrms
b
b
b
b
b
a
b
b b
a
a
b
b
输出噪声电压
Vno
B.P.F (30-20000Hz)
c
c
b
b
b
a
b
b b
a
a
b
b
通道隔离度
C.T
VO= -10dBm
b-c c-b b
b
b
a
b
b b
a
a
b
b
前置级断时
b
b
b
a
b
a
b
b b
a
a
b
b
a
a
c
a
b
a
b
b b
a
a
b
a
a
a
c
a
b
a
b
b b
a
a
b
a
Pout = 5mW
a
a
c
a
b
a
b
b b
a
a
b
a
VR = MAX
a
a
c
a
b
a
b
b b
a
a
b
a
Pom1
RL= 32 , THD = 10% a
a
c
a
b
b
a
b b
a
a
b
a
Pom2
RL= 16 , THD = 10% a
a
c
a
b
a
b
b b
a
a
b
a
全谐波失真度 THD
Pout= 5mW
a
c
a
b
a
b
b b
a
a
b
a
通道隔离度
C.T
Pout= 5mW
a-c c-a c
a
b
a
b
b b
a
a
b
a
输出噪声电压
VNO
VR = MIN
c
c
c
b
b
a
b
b b
a
a
b
a
纹波抑制比
R.R
VR = MAX
c
c
b
a
b
a
b
b b
a
b
b
b
Vonpre
VR = MAX,BB ON
c
c
a
b
b
a
b
b b
a
a
b
a
c
a
a
b
a
b
a
b
a
a
a
a
c
c
a
a
b
a
b
a
b
b
a
a
a
c
c
a
a
b
a
b
a
b
a
a
a
a
c
c
a
a
b
a
b
a
b
a
a
a
a
输出电压
VOOFF VIN = 100mVrms
最大输入电压
Vimax
最大衰减量
Vamax
电压增益
通道电压
增益差
最大输出
功率 I
最大输出
功率 II
前置+功放级
输出噪声电压
AV
AV
消耗电流
IMC
启动电流
IMS
基准电压
VREF
基准电压
特性 I
VREF1
VR = MIN
THD = 10% VIN 电压
VR = MAX 时 Vo 对
VR = MIN 时 Vo
a
IM = 0mA
IM= 100mA
IM = 100mA
VCC= 2.1 5.0V
接下表
无锡华润矽科微电子有限公司
第 6 页 共 8 页
双极电路
CD668CB
续上表
条件
参数名称
符号
SW
VCC = 3V f = 1kHz
RL= 16
基准电压
VCC= 3V
VREF2
特性 II
强制启动
IM = 25 250mA
Vcesa
输出电压
强制停止
IM= 200mA
IML
泄漏电流
3
12 13
4
5
6 7
8 9 10 11
a
a
b
a
b
a
b
a
a
a
a
c
a
a
b
a
b
a
a
a
a
a
a
c
a
a
a
a
b
a
b
b
a
a
a
1
2
c
c
c
c
3
12 13
注 a 为 ON b 为 OFF
0.1
SW2
1000pF
磁头
28
27
26
SW4
SW3
F
SW5
+
M
220
SW6
33k
0.022
+
5.1k
200k
33 F
+
F
220
F
5. 应用线路
F
25
150
23
24
22
21
20
19
18
17
16
15
5k
Vcc
磁头
1000pF
CD668CB
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.1
30k
12
13
14
F
F
33k
SW1
0.1
无锡华润矽科微电子有限公司
200k
33 F
0.022
5.1k
+
11
CK
F
第 7 页 共 8 页
双极电路
CD668CB
6. 外形尺寸
无锡华润矽科微电子有限公司
第 8 页 共 8 页