ETC CSC6562A

CSC6562A
高效率功率因子校正控制器
产品概述
CSC6562A 是一个标准的功率因子校正控
制器,内部集成了一个启动时钟,模拟乘法器、
零电流检测电路、LEB 前沿触发电路,输出采
用图腾柱结构来驱动功率 MOS。CSC6562A 采
用了很好的电路保护,其中包括:电源电压欠压
锁存,电源电压过压保护,过流保护,输出电压
典型应用
电子整流器。
开关电源。
引出端排列
钳位用于保护外部功率 MOS。
主要特点
SOP 8
� 低的启动电流和工作电流。
� 逐周期限流保护。
� 内部前沿触发 LEB。
� 内部模拟乘法器。
� 内部 1.5%的带隙基准电压。
� 电源 UVLO 和过压保护。
� 临界工作模式。
FB
COMP
VCC
GD
MULT
GND
CS
ZCD
� 图腾柱输出并输出高电位钳压
� 对音频不干扰
引出端功能
序号
符号
功能描述
1
FB
2
COMP
误差放大器的输出
3
MULT
乘法器输入
4
CS
电流采样.
5
ZCD
过零检测
6
GND
地
7
GD
8
VCC
误差放大器输入
驱动外部 MOSFET 的栅
电源电压
V. 1.0
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CSC6562A
电路结构方框图
最大额定值
项目
符号
范围
单位
VCC
VZ
V
CS/FB/COMP/MULT
-0.3~7.0
V
工作温度
Topt
-45~+85
℃
贮存温度
Tstg
-55~+150
℃
260
℃
电源电压
其它端口电压
回流温度(焊接 10 秒)
V. 1.0
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CSC6562A
电气参数
(除特别说明外,TA = +25°C)
符号
参数说明
条
件
最小
典型
最大
单位
输入电源电压
UVLO (OFF)
UVLO 开启电压
15.5
16.5
17.5
V
UVLO (ON)
UVLO 关闭电压
8.0
8.8
9.6
V
HYS
迟滞
VZ
电源钳位电压
Vcc_ovp
VCC 过压保护
ICC=5mA
7.7
V
-
38
V
-
36.5
V
输入电流
Icc_star
t
启动电流
VCC=15
5
15
uA
Iq
静态电流
VCC=18
1.8
3
mA
ICC
工作电流
[email protected]
5
7
mA
VERF
误差放大器基准
VCC=18
2.45
2.5
2.55
V
GV
电压增益
开环
60
80
dB
Gb
增益带宽
1.2
MHZ
误差放大器
拉电流
COMP=3.6,FB=2.4V
-2
-6
-10
mA
灌电流
COMP=3.6,FB=2.6V
2
6
10
mA
高压钳位
Isource = 0.5mA
低压钳位
Isink = 0.2mA
-
Vmult
线性操作范围
COMP=3.0V
0
ΔVcs/
ΔVmult
输出最大斜率
Vmult=0 ~ 0.5v
COMP=4.9V
Vmult=1v
COMP=3.5V
ICOMP
VCOMP
4.9
V
2.25
V
乘法器
3.5
V
0.95
1.1
0.28
0.36
0.44
1/ V
0.94
1.0
1.06
V
延时到输出
200
450
ns
Vzcd
上升开启电压
0.25
V
vzcd_hys
ZCD 触发迟滞
0.75
V
K
增益
V/ V
电流灵敏比较器
Vcs
Td(H-L)
钳位电压
Vmult=2.5V
COMP=4.9V
零电流检测
V. 1.0
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Vzcd
高电位钳位电压
Izcd = 2.5mA
Vzcd
低电位钳位电压
Izcd =-2.5mA
Izcd
拉电流能力
-3
-5
mA
Izcd
灌电流能力
3
10
mA
重启周期
45
65
μs
1.5
V
5.1
5.7
6.3
0
V
V
启动时间
Tstart
55
驱动
VoL
输出低电位
Vcc=14.5V, Io=100mA
VoH
输出高电位
Vcc=14.5V, Io=100mA
Tr
上升时间
Cl=1000pF, 10~90%
80
150
ns
Tf
下降时间
Cl=1000pF, 10~90%
30
70
ns
Voclamp
输出钳位
Vcc=28V
16
18
V
8
ns
功能说明
1 启动电流和启动控制
当 VCC 电压小于 VCC 的 UVLO 的开启电压,则 CSC6562A 典型的启动电流时 5uA,这样的话
VCC 就能启动整个芯片。一个低功率大电阻,就能启动整个系统,同时在正常工作的时候,减
小功率损耗。
2 PWM 控制器
CSC6562A采用峰值电流控制反馈系统来实现功率因素校正。PWM比较器用COMP信号(误差
放大器输出)和CS脚的电压来产生PWM脉冲。PWM信号产生是有ZCD控制的,当CS电压超过
COMP电压则PWM信号关闭。
3 误差放大器
误差放大器的反相端内部接2.5V的基准,额外的补偿环路接在FB和COMP之间来使误差放大器
稳定。COMP减去2.5V电压然后接到乘法器的一端。如图所示。
V. 1.0
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4 模拟乘法器
模拟乘法器的输出电压是受到MULT脚输入的AC全桥整流半波决定的。乘法器的输出是一个正
弦半波包络,和CS比较,来限制功率MOSFET的封值电流,是其电流同样是一个正弦半波包络,
这样可以得到一个正炫半波的平均电流,是电压和电流同相位,实现了几乎是1的功率因素。模
拟乘法器输入有非常好的动态范围和线性度,内部特殊处理使输入全电压范围(85V~265V),
都能得到很好的功率因素。乘法器的输出电压内部钳位到1V。
5 电流灵敏比较器和前沿触发 LEB
CSC6562A是采用逐周期限流保护的。电流检测是由CS脚接一个电阻到地完成的,内部LEB电
路模块来屏蔽有MOSFET导通一瞬间的电流脉冲,所以可以节省外部的RC电路。PWM占空比
是由CS和COMP电压来决定的。
6 零电流检测
CSC6562A完成零电流检测是通过检测ZCD脚的电压完成的,ZCD接一个电阻到辅助绕组,当
电路正激,ZCD电压减小为0,当电路反激,则ZCD脚电压上升,并比例于初级绕组。ZCD电压
慢慢下降,当减小到0.25V,则开启下一个PWM周期。如果没有ZCD信号来触发下个周期,则
CSC6562A内部会产生一个典型值为55us的时钟,来启动芯片。ZCD的最大和最小钳位电压为
5.8V和0V。
7 输出驱动
输出级采用零交叉设计,用于减小热损耗、提高效率和增强可靠性。控制输出上升斜率可以有
效的减小EMI,内建16V钳位电压用于保护功率MOSFET的栅。
8 保护
CSC6562A采用了多种保护以确保电路的可靠性。VCC欠压保护(UVLO)
,VCC过压保护,逐
周期限流保护,输出高电位钳压。
V. 1.0
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应用线路图
1、典型应用图(80W,宽范围)
2、LED 应用方案(18W)
V. 1.0
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封装外形图和尺寸
SOP 8
符号
单位(mm)
单位(inch)
最小值
最大值
最小值
最大值
A
1.350
1.750
0.053
0.069
A1
0.100
0.250
0.004
0.010
A2
1.350
1.550
0.053
0.061
b
0.330
0.510
0.013
0.020
c
0.170
0.250
0.006
0.010
D
4.700
5.100
0.185
0.200
E
3.800
4.000
0.150
0.157
E1
5.800
6.200
0.228
0.244
e
1.270 (BSC)
0.050(BSC)
L
0.400
1.270
0.016
0.050
θ
0º
8º
0º
8º
θ
0º
8º
0º
8º
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注意:
注意:本产品为静电敏感元件,
本产品为静电敏感元件,请注意防护!
请注意防护!ESD 损害的范
围可以从细微的性能下降扩大到设备故障。精密集成电路可能更
容易受到损害,因此可能导致元件参数不能满足公布的规格。
感谢您使用本公司的产品,建议您在使用前仔细阅读本资料。
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