国营第丿 八厂 `七 DG4oo1A DG4oo1B 四 2输 人 或 非 门 亻 ~l-L-∶ l∶ !￡ | 」 lIJ:LJ ~ 外引线排列 简≡说 明 1 Α 1 `△ DG0001B是 单片CMOs小 规槟集成电路,该 电路由P沟 道、 其电珞结构和性 N沟 道增强型MOs管 以 方式组成基本单元。 =补 CD000!B相 、高抗干 司 致。在要求有低功耗 能与关国R0^公 一 ⅤDD B 扰的场合中憷用尤为适宜。 硅B 硅 Λ 1Ι Y 4 3 3 3 'YYΒ ’~ ￥ 2 人 2 B ss Ⅱ : 特点 BV正 常工作 ▲ 宽的工 作电压范围 :B~亠 5~阝 V保 讧参数规范值 ▲ 小的静态电源电流 ‘0。 01uA(常 温 ,典 型值 ) ▲ 离的噪声容限 :V刀 D的 45豸 (典 型值 ) ▲ 工 作速 度 :在 VDDˉ IOV,传 输延迟时饲为60ns ▲ 驱动能力 :2个 低功耗 TTL;1个 低功耗 肖特 基 TTL 或2个 HT△ 负载 ▲ 所有的输入端 皆有保护 网络 Α Ⅴ 封装形 式 :A、 C、 D、 E 逻辑 表达式 Y=A十 B ′ 扭 限伍 推扛 作婊 件 电源 电压 VDD 电源 电压 ⅤDD ・ ¨ … Ⅱ … :+4Ⅴ ~+12V … …冖 … … 15V 0.5V~十 Λ系列 ・ ∷A系 列 ・ … … B系 列 ……… ¨ +丛 V~+15Ⅴ B系 列 ¨… … ¨0.5V~+18V ・ … … …0.5V~VDD+0.5Ⅴ 揄 入 电压 Ⅴr… …… …… ………・ 0~VDD 输 入 电压 Ⅴ【 … ・ … 65・ C~+150° C 工 作 环 境 温 庋 TΛ 贮 存 湿 度 范 围 Ts・ ・ ・ … ………・ 300° C I类 … …… ¨-55° C~+125° C 焊 接 涅 庋 (10秒 ) T△ I^类 …… ……ˉ55° c~+85° C Ⅱ、Ⅲ类 ¨ … …J硅 0° C~+85° C :・ 艹态佥嫩 试 测 条 件 |vtN|voD V° -55 Ⅱ卩 (V) 流 0。 IoL 输出低电平电流 (最 小 ) I。 4 0.5 1.5 硅。6 H榆 出高电平电流 2.5 9.5 13.5 (最 小 ) 出低电平电压 (最 大 ) H输 出∷ 高电平电压 (最 小 ) VⅡ L输 入低电平电压 s/0 10/o 1s/0 s/0 10/0 丛。 s/0.5 g/1 (最 大 ) 13.5/1.5 丛。 s/0.5 V:Ⅱ 输入高电平电压 g/1 (最 大 ) 13.5/1.5 (最 电流 大 输入 ) C) 25 0.5 o。 10 15 5 10 15 5 7。 1 0.6姓 0。 5 | 1.3 厶 |8。 硅 1.6 丛。2 -0.6压 o。 o。 5 丛 05 05 05 丛。θ5 10 9.・ 95 15 14.θ 5 5 1.5 10 15 3.5 5 10 15 18 11 ± 0。 1 米 -55° C,+25° C,+125° C的 规 范值 适用于 I类 电路 -55° C,+25° C,+85° C的 规范值适用于 I▲ 类电路 -40° C,+25° C,+85° C的 规范值适 用于 Ⅱ、 Ⅲ类电路。 ; ; ⅤDD=15Ⅴ 的范规值不适用于DG4001A 动 态 参效 (TΛ =25° C) 测 试 条 数 参 tPHL 传 tPLH 输链 迟时间 R△ =zO0KΩ C.=50pF tTH・ 输 出转 换 时 间 tT△ H C: 榆 米 】o 入 电 tf=20ns 容 VDD=15Ⅴ 的规范 值 不 适 用 于 DG4001A 件 7.5 15 30 0.86 0.9 2.4 -0.36 -1.8 -1.15 -1.1 -0.9 ¨2.8 -2。 过 。0。 丛2 -1.6 -1.3 10 15 硅2 1.1 2.8 1。 -3。 10/0 15/0 s/o 1Q/o 1s/o 5/0 10/0 15/0 5/0 10/0 15/0 1s/0 5 15 80 o。 V。 L榆 V。 (° 印~帅 源 电 最大 ) l +:5|+125 +25 -遮 o