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2选
1数
据 选择器
四
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低
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▲ 驱动能力:2个 低功耗
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▲ 左/右 移位寄存钳
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▲ 原P。 /反 码选择
▲ 与或/异 或选择
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应用
▲ 与或逸择 门
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封装形式:A、 C、 D、 E
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5V~VDD+0?5V
电 源:屯 压
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测 试:条 件
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电幻
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〓
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巳
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(最 小 )
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5
∶
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∶(最
小)
一
5
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硅。
V:t输 入低电平电压
0:61
5
亠Oj64 △0。 61
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一犭
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05
05
4。 95
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0。
10
15
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5
g/1
△0/0
⒊s/1。 5 1s/0
《最大 )
硅
o。 64
1.6
4.2
一
:榴 出高电平电压
s/o
10
15
5
】o
3.5
△上
榆八高申平电压
g/1
10/0∷
(最 小 )
13.s/1.5 I5/o
1s/o
输入电流C最 大)
h
5
4
~"~一
5
(最 大 )
ο 一
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10/0
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10/o
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V。 △ 抬出低电平电压
VI“
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C)
5
10/0 | 10
4-s
+:5|+125
硅
⒈一
一
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(°
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I0H
-p5|一 压
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值
15
± 0.1
米 -55° C,+25° C,+125° C的 规范值适用于 I类 电路
c,+25° C,+85:q” 坍难值适钼于I A类 电路
∷ˉ”∶
0:C,+卩 5° C,+80° C的 规范值适用于 Ⅲ、Ⅱ类 电路。
∶△硅
∴
5V的 规范值不适用于DG硅 019A
∷ VDD△ 主
;
;
饣 (TA干 25° C)
1耐 宙查
Ⅲ
规
参
数
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R1=200KΩ
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5
出
间
时
转
换
∶
扌
;,呷
输 入 电 溶
米
36
VDD=15V的 规 范 值 不 适 用 于 GD硅 019A
范
∵
蕞 小|典 型
值
来
∷
蕞 大
300
120
80 ∷
7.5
°
15
革位
典型应用
:
(a)与 或选择器
A裔 存狩
△△矽
B寄 存器
DG士 013B
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「
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:
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型
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犭i
选 择 B寄 存 器
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2【
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当A。 =H时 选 A寄 存 器
当A:=H时 选 B寄 存 器
(b)右 /左 移位寄存器
右移输 八
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在移辖入
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右移选挣
左移选择
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左移输扭
H时 执行左移
当
A:〓 H时 执行右移
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h时 选抒焦沌
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轧户H时 违抒原玛
(d)与 或/异 或选择器
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A+B