DTC114TKA 硅NPN双极晶体管 ■■ 主要用途：开关、倒相、驱动电路等。 ■■ MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) 最大额定值 符号 CHARACTERISTIC 特性参数 SYMBOL 集电极-发射极电压 Collector-Emitter Voltage 集电极-基极电压 Collector-Base Voltage 发射极-基极电压 Emitter-Base Voltage 集电极连续电流 Collector Current—Continuous 集电极耗散功率 Collector Power Dissipation 结温 Junction Temperature 储存温度 Storage Temperature Range 额定值 RATING 单位 UNIT VCEO 50 V VCBO 50 V VEBO 5 V IC 100 mA PC 200 mW Tj 150 ℃ Tstg -55～150 ℃ ■■ ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电特性 (Ta=25℃ unless otherwise noted 如无特殊说明，温度为25℃) 测试条件 特性参数 符号 TEST CONDITION CHARACTERISTIC SYMBOL 集电极-基极反向截止电流 VCB=50V, IE=0 ICBO Collector Cut-off Current 发射极-基极反向截止电流 Emitter Cut-off Current 集电极-发射极反向击穿电压 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集电极-基极反向击穿电压 Collector-Base Breakdown Voltage 发射极-基极反向击穿电压 Emitter-Base Breakdown Voltage 直流电流增益 DC Current Gain 集电极-发射极饱和压降 Collector-Emitter Saturation Voltage 输入电阻 Input Resistance 特征频率 Transition Frequency ■■ DEVICE MARKING Making Classification hFE 最小值 典型值 最大值 单位 MIN. TYPE MAX. UNIT — — 0.5 µA IEBO VEB=4V, IC=0 — — 0.5 µA V(BR)CEO IC=1.0mA 50 — — V V(BR)CBO IC=50µA 50 — — V V(BR)EBO IE=50µA 5 — — V hFE VCE=5V, IC=1mA 100 300 600 — VCE(sat) IC=10mA, IB=1mA — — 0.3 V R1 — 7 10 13 KΩ fT VCE=10V, IE=-5mA, f=100MHz — 250 — MHz 打标、分档 04 100-600 PDS-A-512