PANASONIC 2SC5946

トランジスタ
2SC5946
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形
高周波増幅・発振・混合用
Unit : mm
0.10+0.05
–0.02
0.33+0.05
–0.02
■ 特 長
5˚
0.80±0.05
0.80±0.05
1.20±0.05
■ 絶対最大定格 Ta = 25°C
定格
単位
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
30
V
コレクタ・エミッタ間電圧(B 開放時)
VCEO
20
V
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
5˚
VEBO
3
V
コレクタ電流
IC
50
mA
コレクタ損失
PC
100
mW
接合温度
Tj
125
°C
保存温度
Tstg
−55 ∼ +125
°C
0.15 max.
0 to 0.01
0.52±0.03
記号
1.20±0.05
2
0.15 min.
1
0.23+0.05
–0.02
(0.40) (0.40)
項目
0.15 min.
3
• トランジション周波数 fT が高い
• SSS ミニ型パッケージのため機器の小形化およびテーピ
ングによる自動挿入が可能
1 : Base
2 : Emitter
3 : Collector
SSSMini3-F1 Package
形名表示記号 : 9N
■ 電気的特性 Ta = 25°C ± 3°C
項目
記号
条件
最小
標準
最大
単位
コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)
VCBO
IC = 100 µA, IE = 0
30
V
エミッタ・ベース間電圧(C 開放時)
VEBO
IE = 10 µA, IC = 0
3
V
ベース・エミッタ間電圧
VBE
VCB = 10 V, IE = −2 mA
直流電流増幅率
hFE
VCB = 10 V, IE = −2 mA
25
800
720
fT
VCB = 10 V, IE = −15 mA, f = 200 MHz
Crb
VCE = 6 V, IC = 0, f = 1 MHz
0.8
帰還容量(エミッタ接地)
Cre
VCB = 10 V, IE = −1 mA, f = 10.7 MHz
1.0
電力利得
PG
VCB = 10 V, IE = −1 mA, f = 200 MHz
20
トランジション周波数
*
帰還容量( ベース接地)
mV
250

1 600
MHz
pF
1.5
pF
dB
注 ) 1. 測定方法は,日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。
2. * : パルス測定
発行年月 : 2004年6月
SJC00316AJD
1
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2003 SEP