SANYO 2SK3748

2SK3748
注文コード No. N 8 2 5 0
2SK3748
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
高耐圧、高速スイッチング
特長
・低オン抵抗、低入力容量、超高速スイッチング。
・高信頼性(HVP プロセス採用)。
・マイカレスパッケージで取り付け作業性が良い。
・アバランシェ耐量保証。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
項目
記号
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
ドレイン電流
(DC)
ドレイン電流
(パルス)
ID*
IDP
許容損失
PD
チャネル温度
保存周囲温度
アバランシェエネルギー(単発)*1
アバランシェ電流 *2
条件
定格値
unit
1500
± 20
V
V
4
8
A
A
3.0
65
W
W
Tch
Tstg
150
− 55 ∼+ 150
℃
℃
EAS
IAV
170
4
mJ
A
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
Tc=25℃
* チップ性能表記
*1. VDD=99V, L=20mH, IAV=4A
*2. L ≦ 20mH, 1 パルス
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
記号
ドレイン・ソース降伏電圧
ドレイン・ソースしゃ断電流
V(BR)DSS
IDSS
ID=1mA, VGS=0
VDS=1200V, VGS=0
ゲート・ソースもれ電流
ゲート・ソースしゃ断電圧
IGSS
VGS(off)
順伝達アドミタンス
ドレイン・ソース間オン抵抗
yfs
RDS(on)
VGS= ± 16V, VDS=0
VDS=10V, ID=1mA
VDS=20V, ID=2A
ID=2A, VGS=10V
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
VDS=30V, f=1MHz
VDS=30V, f=1MHz
790
140
pF
pF
帰還容量
Crss
VDS=30V, f=1MHz
70
pF
単体品名表示:K3748
条件
定格値
typ
項目
min
max
1500
2.5
1.7
unit
100
V
µA
± 10
3.5
µA
V
7
S
Ω
2.8
5
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本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途(生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途)に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥
について、弊社は責任を負いません。
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
31005QB TS IM ◎川浦 TB-00001272 No.8250-1/4
2SK3748
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項目
記号
定格値
条件
td(on)
tr
td(off)
指定回路において
立ち上がり時間
ターンオフ遅延時間
指定回路において
指定回路において
75
360
ns
ns
下降時間
総ゲート電荷量
tf
Qg
指定回路において
VDS=200V, VGS=10V, ID=4A
116
80
ns
nC
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
Qgs
Qgd
6.4
36
nC
nC
ダイオード順電圧
VSD
VDS=200V, VGS=10V, ID=4A
VDS=200V, VGS=10V, ID=4A
IS=4A, VGS=0
0.94
max
unit
typ
17
ターンオン遅延時間
min
ns
1.2
V
注)ゲート・ソース間に保護ダイオードが入っていますが、取扱いには充分御注意下さい。
外形図
unit : mm
2076B
16.0
3.4
5.6
2.0
21.0
22.0
5.0
8.0
3.1
2.0
20.4
4.0
2.8
2.0
1.0
0.6
2
1 : Gate
2 : Drain
3 : Source
3
3.5
1
5.45
SANYO : TO-3PML
5.45
スイッチングタイム測定回路図
アバランシェ耐量測定回路図
VDD
200V
VIN
10V
0V
≧50Ω
RG
ID=2A
RL=100Ω
VIN
D
VOUT
PW=10µs
D.C.≦0.5%
L
2SK3748
10V
0V
50Ω
VDD
G
2SK3748
P.G
RGS
50Ω
S
No.8250-2/4
2SK3748
ID -- VDS
8
Tc=25°C
6
5
5V
4
3
2
VGS=4V
5
25°C
4
3
75°C
2
1
0
0
20
30
40
50
60
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
70
RDS(on) -- VGS
14
ID=2A
12
10
Tc=75°C
8
6
25°C
4
--25°C
2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
18
20
Tc=
--25
°C
C
75°
7
5
14
16
2
20
18
IT09206
ID=2A
VGS=10V
14
12
10
8
6
4
2
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
IT09208
IF -- VSD
VGS=0
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
3
2
0.01
2
3
5
7
2
1.0
ドレイン電流, ID -- A
3
5
7
7
2
tf
7
5
tr
3
td(on)
2
3
5
7
1.5
IT09210
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
2
1000
7
5
Ciss
3
2
Coss
Crss
100
7
5
3
2
10
2
1.2
0.9
3
3
100
0.6
ダイオード順電圧, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- pF
5
0.3
10000
7
5
VDD=200V
VGS=10V
td(off)
0
IT09209
SW Time -- ID
1000
10
0.1
12
10
7
5
1.0
0.1
0.1
10
RDS(on) -- Tc
2
順電流, IF -- A
2
8
ケース温度, Tc -- °C
C
25°
3
6
16
IT09207
VDS=20V
5
4
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
yfs -- ID
7
2
Tc=
75°C
25°C
--25°C
0
0
IT09205
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
10
0
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- Ω
Tc= --25°C
6V
ドレイン電流, ID -- A
ドレイン電流, ID -- A
6
1
順伝達アドミタンス, yfs -- S
VDS=20V
8V
10V
7
スイッチングタイム, SW Time -- ns
ID -- VGS
7
1.0
ドレイン電流, ID -- A
2
3
IT09211
0
5
10
15
20
25
30
35
40
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
45
50
IT09212
No.8250-3/4
2SK3748
VGS -- Qg
10
VDS=200V
ID=4A
8
10
7
5
7
3
2
ドレイン電流, ID -- A
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
9
6
5
4
1
3
2
10
20
40
30
50
60
70
総ゲート電荷量, Qg -- nC
80
D
C
10
m
0m s
s
10
0µ
1m
s
s
op
er
at
io
n
Operation in this area
is limited by RDS(on).
Tc=25°C
1パルス
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
2
5 71000 2 3
IT09214
3
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT09213
PD -- Ta
3.5
ID=4A
0.01
1.0
90
<10µs
10
3
2
2
0
IDP=8A
1.0
7
5
0.1
7
5
3
0
ASO
2
PD -- Tc
80
70
3.0
60
2.5
許容損失, PD -- W
許容損失, PD -- W
65
2.0
1.5
1.0
50
40
30
20
0.5
10
0
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
160
IT09215
0
20
40
60
80
100
120
140
ケース温度, Tc -- °C
160
IT09216
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PS No.8250-4/4