SANYO MCH6617

注文コード No. N 6 9 6 9 A
MCH6617
No. N 6 9 6 9 A
D2002
半導体ニューズ No.N6969 とさしかえてください。
MCH6617
特長
P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ
超高速スイッチング用
・低オン抵抗。
・超高速スイッチング。
・2.5V 駆動。
・MOS 形電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり、高密度実装が可能で
ある。
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
unit
ドレイン・ソース電圧
ゲート・ソース電圧
VDSS
VGSS
− 20
± 10
V
V
ドレイン電流（DC）
ドレイン電流（パルス）
ID
IDP
− 1.0
− 4.0
A
A
許容損失
チャネル温度
PD
Tch
0.8
150
W
℃
保存周囲温度
Tstg
− 55 ∼＋ 150
℃
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%
セラミック基板(900mm2 × 0.8mm)装着時 1unit
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃
ドレイン・ソース降伏電圧
V(BR)DSS ID= − 1mA, VGS=0
min
− 20
typ
ドレイン・ソースしゃ断電流
ゲート・ソースもれ電流
IDSS
IGSS
VDS= − 20V, VGS=0
VGS= ± 8V, VDS=0
ゲート・ソースしゃ断電圧
順伝達アドミタンス
VGS(off)
yfs
VDS= − 10V, ID= − 1mA
VDS= − 10V, ID= − 500mA
ドレイン・ソース間オン抵抗
RDS(on)1
RDS(on)2
ID= − 500mA, VGS= − 4V
ID= − 300mA, VGS= − 2.5V
380
540
入力容量
出力容量
Ciss
Coss
VDS= − 10V, f=1MHz
VDS= − 10V, f=1MHz
115
23
帰還容量
Crss
VDS= − 10V, f=1MHz
15
− 0.4
0.84
max
unit
V
−1
± 10
µA
µA
− 1.3
V
S
1.2
500
760
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
次ページへ続く。
単体品名表示：FR
0.25
外形図 2173A
(unit : mm)
0.3
6
3 2
0.65
1
0.15
1.6
5
5
4
1
2
3
SANYO : MCPH6
0.07
6
1 : Source1
2 : Gate1
3 : Drain2
4 : Source2
5 : Gate2
6 : Drain1
2.0
0.85
本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲
等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果
発生した機器の欠陥について、弊社は責任
を負いません。
0.25
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を
要する用途（生命維持装置、航空機のコント
ロールシステム等、多大な人的・物的損害
を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様に
はなっておりません。そのような場合には、
あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下
さい。
2.1
4
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号
D2002 TS IM SW 図変 / 71001 TS IM ◎佐藤 TA-3263 No.6969-1/4
MCH6617
前ページより続く。
min
ターンオン遅延時間
立ち上がり時間
td(on)
tr
指定回路において
〃
ターンオフ遅延時間
下降時間
td(off)
tf
総ゲート電荷量
ゲート・ソース電荷量
ゲート・ドレイン電荷量
ダイオード順電圧
max
unit
8
6
ns
ns
〃
〃
15
7
ns
ns
Qg
Qgs
VDS= − 10V, VGS= − 4V, ID= − 1A
1.5
0.4
nC
nC
Qgd
VSD
IS= − 1A, VGS=0
スイッチングタイム測定回路図
0.3
− 0.9
− 1.5
nC
V
電気的接続図
VDD= --10V
VIN
typ
0V
--4V
D1
G2
S2
S1
G1
D2
ID= --500mA
RL=20Ω
VOUT
VIN
D
PW=10µs
D.C.≦1%
G
MCH6617
50Ω
S
--0.5
--0.4
--0.3
VGS= --1.5V
--0.6
--0.1
--0.2
Ta=25°C
900
800
ID= --0.3A --0.5A
700
600
500
400
300
200
100
0
0
--2
--4
--6
--8
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--10
IT03370
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
RDS(on) -- VGS
1000
0
--0.1 --0.2 --0.3 --0.4 --0.5 --0.6 --0.7 --0.8 --0.9 --1.0
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
IT03368
°C
--0.8
--0.4
0
°C
--1.0
--0.2
0
25
--1.2
=7
5°C
°C --25°
C
--0.6
--1.4
Ta
--2
25
ドレイン電流, ID -- A
--0.7
Ta
--1.6
.0V
75
25
°C
5V
V
ドレイン電流, ID -- A
VDS= --10V
--1.8
--0.8
ドレイン・ソース間オン抵抗, RDS(on) -- mΩ
ID -- VGS
--2.0
--2
.
--3.
--4.0
--0.9
0V
ID -- VDS
--1.0
= --
P.G
3.0
IT03369
RDS(on) -- Ta
1000
900
800
700
5V
,
--0.3A
I D=
600
500
= --2.
VGS
V
= --4.0
A, V GS
0.5
I D= --
400
300
200
100
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
周囲温度, Ta -- °C
100
120
140
160
IT03371
No.6969-2/4
MCH6617
yfs -- ID
3
2
VGS=0
3
2
--25
Ta=
°C
75°
5
C
3
2
3
2
--0.1
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5
7
2
--0.1
3
5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
--1.2
IT03373
f=1MHz
100
5
tr
3
2
td(off)
10
td(on)
7
tf
5
Ciss
Ciss, Coss, Crss -- pF
7
100
7
5
3
Coss
2
3
Crss
2
10
2
--0.1
3
5
7
2
--1.0
ドレイン電流, ID -- A
3
0
7
5
ドレイン電流, ID -- A
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--1.0
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
総ゲート電荷量, Qg -- nC
1.6
IT03376
PD -- Ta
1.0
0.8
--10
--12
--14
--16
--18
IDP= --4.0A
＜10µs
1m
s
10
ID= --1.0A
DC
ms
10
0m
op
s
er
3
2
ati
on
Operation in this
area is limited by RDS(on).
--0.1
7
5
--0.01
--20
IT03375
ASO
7
5
2
0
--8
3
2
3
--0.5
0.4
--6
--10
--3.0
0.2
--4
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
VDS= --10V
--3.5 ID= --1A
0
--2
IT03374
VGS -- Qg
--4.0
ゲート・ソース電圧, VGS -- V
--0.5
2
1.0
許容損失, PD -- W
--0.4
Ciss, Coss, Crss -- VDS
3
VDD= --10V
VGS= --4V
2
--0.3
ダイオード順電圧, VSD -- V
SW Time -- ID
3
スイッチングタイム, SW Time -- ns
--0.01
--0.2
7 --1.0
IT03372
ドレイン電流, ID -- A
25°C
--25°C
7
--1.0
7
5
C
C
Ta=
75°
25°
1.0
順電流, IF -- A
順伝達アドミタンス, yfs -- S
IF -- VSD
--10
7
5
VDS= --10V
Ta=25°C
1パルス
セラミック基板(900mm2×0.8mm)装着時 1unit
--0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7 --10
ドレイン・ソース電圧, VDS -- V
2
セ
ラ
ミ
ッ
ク
基
0.6
板
(9
00
0.4
m
m2
×
0.8
m
m
)装
着
0.2
時
1u
ni
t
0
0
20
40
60
80
100
周囲温度, Ta -- °C
120
140
3
IT03377
160
IT03378
No.6969-3/4
MCH6617
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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PS No.6969-4/4