Siemens BPY48 Silizium-fotoelement silicon photovoltaic cell Datasheet

BPY 48 P
BPY 48 P
fso06634
Silizium-Fotoelement
Silicon Photovoltaic Cell
Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im
● Especially suitable for applications from
Bereich von 420 nm bis 1060 nm
● Kathode = Chipunterseite
● Mit feuchtigkeitsabweisender Schutzschicht
überzogen
● Weiter Temperaturbereich
420 nm to 1060 nm
● Cathode = back contact
● Coated with a humidity-proof protective
layer
● Wide temperature range
Anwendungen
● für Meβ-, Steuer- und Regelzwecke
● zur Abtastung von Lichtimpulsen
● quantitative Lichtmessung im sichtbaren
Licht- und nahen Infrarotbereich
Applications
● For control and drive circuits
● Light pulse scanning
● Quantitative light measurements in the
visible light and near infrared range
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPY 48 P
Q60215-Y65
BPY 48 P
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 55 ... + 100
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
1
V
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit, VR = 0 V
Spectral sensitivity
S
0.5 (≥ 0.35)
µA/Ix
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
850
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ
420 ... 1060
nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
70
mm2
Abmessungen der
bestrahlungsempfindlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
5.78 × 12.18
mm
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
L×W
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 60
Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 1 V; E = 0
Dark current
IR
10 (≤ 180)
µA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Sλ
0.55
A/W
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
η
0.80
Electrons
Photon
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix
Open-circuit voltage
VO
460 (≥ 280)
mV
Kurzschluβstrom, Ev = 1000 Ix
Short-circuit current
ISC
0.5 (≥ 0.35)
mA
BPY 48 P
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL= 1 kΩ; VR = 1 V; λ = 850 nm; Ip = 50 µA
tr, tf
10
µs
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV
– 2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
TCI
0.2
%/K
Kapazität, VR = 1 V, f = 1 MHz, Ev = 0 Ix
Capacitance
C0
6
nF
Relative spectral sensitivity
Srel = f (λ)
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
Open-circuit voltage VO = f (Ev )
Short-circuit current ISC = f (Ev )
Capacitance
C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0
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