eupec BSM75GB170DN2 Igbt power module Datasheet

BSM 75 GB 170 DN2
IGBT Power Module
• Half-bridge
• Including fast free-wheeling diodes
• Package with insulated metal base plate
• RG on,min = 22 Ohm
Type
VCE
BSM 75 GB 170 DN2
1700V 110A
IC
Package
Ordering Code
HALF-BRIDGE 1
C67070-A2702-A67
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Collector-emitter voltage
VCE
Collector-gate voltage
VCGR
RGE = 20 kΩ
Values
1700
Unit
V
1700
Gate-emitter voltage
VGE
DC collector current
IC
± 20
A
TC = 25 °C
110
TC = 80 °C
75
Pulsed collector current, tp = 1 ms
ICpuls
TC = 25 °C
220
TC = 80 °C
150
Power dissipation per IGBT
W
Ptot
TC = 25 °C
625
Chip temperature
Tj
+ 150
Storage temperature
Tstg
Thermal resistance, chip case
RthJC
≤ 0.2
Diode thermal resistance, chip case
RthJCD
≤ 0.63
Insulation test voltage, t = 1min.
Vis
Creepage distance
°C
-40 ... + 125
K/W
4000
Vac
-
16
mm
Clearance
-
11
DIN humidity category, DIN 40 040
-
F
IEC climatic category, DIN IEC 68-1
-
1
sec
40 / 125 / 56
Oct-27-1997
BSM 75 GB 170 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
Unit
max.
Static Characteristics
Gate threshold voltage
V
VGE(th)
VGE = VCE, IC = 5 mA
4.8
5.5
6.2
VGE = 15 V, IC = 75 A, Tj = 25 °C
-
3.4
3.9
VGE = 15 V, IC = 75 A, Tj = 125 °C
-
4.6
5.3
Collector-emitter saturation voltage
Zero gate voltage collector current
VCE(sat)
mA
ICES
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tj = 25 °C
-
0.5
0.75
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tj = 125 °C
-
2
-
Gate-emitter leakage current
nA
IGES
VGE = 20 V, VCE = 0 V
-
-
400
AC Characteristics
Transconductance
VCE = 20 V, IC = 75 A
Input capacitance
27
nF
-
11
-
-
1
-
-
0.28
-
Coss
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
Reverse transfer capacitance
-
Ciss
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
Output capacitance
S
gfs
Crss
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz
2
Oct-27-1997
BSM 75 GB 170 DN2
Electrical Characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
min.
typ.
Unit
max.
Switching Characteristics, Inductive Load at Tj = 125 °C
Turn-on delay time
td(on)
ns
VCC = 1200 V, VGE = 15 V, IC = 75 A
RGon = 22 Ω
Rise time
-
400
800
-
150
300
-
650
1000
-
90
140
tr
VCC = 1200 V, VGE = 15 V, IC = 75 A
RGon = 22 Ω
Turn-off delay time
td(off)
VCC = 1200 V, VGE = -15 V, IC = 75 A
RGoff = 22 Ω
Fall time
tf
VCC = 1200 V, VGE = -15 V, IC = 75 A
RGoff = 22 Ω
Free-Wheel Diode
Diode forward voltage
V
VF
IF = 75 A, VGE = 0 V, Tj = 25 °C
-
2.3
2.8
IF = 75 A, VGE = 0 V, Tj = 125 °C
-
2.1
-
Reverse recovery time
µs
trr
IF = 75 A, VR = -1200 V, VGE = 0 V
diF/dt = -800 A/µs, Tj = 125 °C
Reverse recovery charge
-
0.3
µC
Qrr
IF = 75 A, VR = -1200 V, VGE = 0 V
diF/dt = -800 A/µs
Tj = 25 °C
-
7
-
Tj = 125 °C
-
21
-
3
Oct-27-1997
BSM 75 GB 170 DN2
Power dissipation
Ptot = ƒ(TC)
parameter: Tj ≤ 150 °C
Safe operating area
IC = ƒ(VCE)
parameter: D = 0, TC = 25°C , Tj ≤ 150 °C
10 3
650
W
A
t = 800.0ns
p
1 µs
550
Ptot
IC
500
10 2
450
10 µs
400
100 µs
350
10 1
300
1 ms
250
200
10 ms
10 0
150
100
DC
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
10 -1
0
10
160
10
1
10
2
10
3
TC
V
VCE
Collector current
IC = ƒ(TC)
parameter: VGE ≥ 15 V , Tj ≤ 150 °C
Transient thermal impedance
Zth JC = ƒ(tp)
parameter: D = tp / T
IGBT
10 0
120
A
K/W
100
IC
ZthJC
90
10 -1
80
70
60
D = 0.50
50
0.20
10
40
-2
0.10
0.05
30
0.02
20
10
0
0
0.01
single pulse
20
40
60
80
100
120
°C
160
TC
10 -3
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
tp
4
Oct-27-1997
BSM 75 GB 170 DN2
Typ. output characteristics
Typ. output characteristics
IC = f (VCE)
IC = f (VCE)
parameter: tp = 80 µs, Tj = 25 °C
parameter: tp = 80 µs, Tj = 125 °C
150
150
A
A
130
IC
120
110
100
130
17V
15V
13V
11V
9V
7V
IC
120
110
100
90
90
80
80
70
70
60
60
50
50
40
40
30
30
20
20
10
0
10
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
6.0
VCE
0.0
17V
15V
13V
11V
9V
7V
1.0
2.0
3.0
4.0
V
6.0
VCE
Typ. transfer characteristics
IC = f (VGE)
parameter: tp = 80 µs, VCE = 20 V
300
A
260
IC
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
2
4
6
8
10
V
14
VGE
5
Oct-27-1997
BSM 75 GB 170 DN2
Typ. gate charge
VGE = ƒ(QGate)
parameter: IC puls = 75 A
Typ. capacitances
C = f (VCE)
parameter: VGE = 0, f = 1 MHz
10 2
20
V
nF
VGE
16
C
14
800 V
1200 V
10 1
Ciss
12
10
8
10 0
Coss
6
4
Crss
2
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
µC
10 -1
0
1.1
5
10
15
20
25
30
V
VCE
QGate
40
Reverse biased safe operating area
Short circuit safe operating area
ICpuls = f(VCE) , Tj = 150°C
parameter: VGE = ± 15 V, tp ≤ 1 ms, L < 50 nH
ICsc = f(VCE) , Tj = 150°C
parameter: VGE = ± 15 V, tp ≤ 10 µs, L < 50 nH
2.5
12
ICpulsIC
ICsc/IC
1.5
di/dt = 700A/µs
1500A/µs
2600A/µs
8
di/dt = 700A/µs
1500A/µs
2600A/µs
6
1.0
4
° allowed numbers of
short circuit: <1000
° time between short
2 circuit: >1s
0.5
0.0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
V 1800
VCE
6
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
V 1800
VCE
Oct-27-1997
BSM 75 GB 170 DN2
Typ. switching time
Typ. switching time
I = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C
t = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 1200 V, VGE = ± 15 V, RG = 22 Ω
par.: VCE = 1200 V, VGE = ± 15 V, IC = 75 A
10 4
10 4
ns
ns
t
t
tdoff
10
3
10
3
tdoff
tdon
tdon
tr
tr
10 2
10 2
tf
tf
10 1
0
20
40
60
80
100 120 140
A
10 1
0
180
20
40
60
80
Ω
IC
120
RG
Typ. switching losses
Typ. switching losses
E = f (IC) , inductive load , Tj = 125°C
E = f (RG) , inductive load , Tj = 125°C
par.: VCE = 1200 V, VGE = ± 15 V, RG = 22 Ω
par.: VCE = 1200 V, VGE = ± 15 V, IC = 75 A
200
200
mWs
mWs
Eon
E
160
E
140
140
120
120
100
100
80
80
60
60
40
40
Eoff
20
0
0
Eon
160
Eoff
20
20
40
60
80
100 120 140
A
180
IC
7
0
0
20
40
60
80
Ω
120
RG
Oct-27-1997
BSM 75 GB 170 DN2
Transient thermal impedance
Zth JC = ƒ(tp)
parameter: D = tp / T
Forward characteristics of fast recovery
reverse diode IF = f(VF)
parameter: Tj
10 0
150
A
130
IF
Diode
Tj=125°C
120
K/W
Tj=25°C
ZthJC
110
10 -1
100
90
80
10 -2
70
D = 0.50
60
0.20
0.10
50
10 -3
40
0.05
single pulse
0.02
30
0.01
20
10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
VF
3.5
10 -4
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
tp
8
Oct-27-1997
BSM 75 GB 170 DN2
Circuit Diagram
Package Outlines
Dimensions in mm
Weight: 250 g
9
Oct-27-1997
Nutzungsbedingungen
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the realization of any such measures.
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