Infineon D1030N Netz-gleichrichterdiode rectifier diode Datasheet

Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1030N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kenndaten
Periodische
Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Elektrische Eigenschaften
VRRM
Tvj = -25°C... Tvj max
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
IFRMSM
2200
2400
2600
2040
V
V
V
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C
IFAVM
1030 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 55 °C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
IFAVM
1490 A
IFRMS
2340 A
17000 A
14500 A
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj =25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max tP = 10 ms
IFSM
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 4,0 kA
Tvj = Tvj max , iF = 1,0 kA
vF
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
0,82 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
0,28 mΩ
Durchlaßkennlinie
300 A ≤ iF ≤ 5000 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
v F = A + B ⋅ i F + C ⋅ ln ( i F + 1 ) + D ⋅
Sperrstrom
reverse current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
vj
vj max
R
RRM
max.
max.
A=
B=
C=
D=
iF
ThermischeT Eigenschaften
=T
,v =V
1445 10³A²s
1051 10³A²s
iR
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
2,05 V
1,11 V
3,973E-01
2,062E-04
3,005E-02
9,271E-03
max.
40 mA
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,038
0,035
0,064
0,061
0,085
0,082
max.
max.
0,005 °C/W
0,010 °C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
160 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Tvj max
Tc op
-40...+160 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+160 °C
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approved by: M.Leifeld
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2008-09-15
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1030N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
10...24 kN
typ.
285 g
25 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1030N
Maßbild
Maßbild
1
2
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1030N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
0,000170
0,003380
0,00429
0,01310
0,01406
-
-
τn [s]
0,000272
0,002610
0,04170
0,17300
0,99900
-
-
Rthn [°C/W]
0,000221
0,003179
0,00357
0,01713
0,03690
-
-
τn [s]
0,000330
0,002600
0,02970
0,18200
5,83000
-
-
Rthn [°C/W]
0,000218
0,003052
0,00216
0,01690
0,00537
0,0543
-
τn [s]
0,000328
0,002540
0,01790
0,14600
6,65000
6,8200
-
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC =
nmax
ΣR
n=1
thn
1− e
-t
τn
Z
thJC
[°C/W]
0,10
0,08
c
0,06
a
0,04
b
0,02
0,00
0,001
0,01
0,1
t [s] 1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1030N
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
Diagramme
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Diagramme
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00437
0,00762
0,01014
0,01377
0,01948
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00277
0,00429
0,00642
0,00983
0,01588
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00436
0,00756
0,01005
0,01364
0,01944
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00276
0,00424
0,00631
0,00963
0,01570
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00436
0,00749
0,01002
0,01360
0,01940
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00276
0,00423
0,00629
0,00960
0,01567
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
6.000
Durchlasskennlinie
5.000
T vj = T vj max
iF [A]
4.000
3.000
2.000
1.000
0
0,7
0,9
1,1
1,3
1,5
1,7
V F [V]
1,9
2,1
2,3
2,5
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1030N
3000
a
Durchlassverluste
2500
b
c
2000
d
PFAV [W]
e
f
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
1500
1000
500
0
0
500
1000
1500
IFAV [A]
2000
2500
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Tc beidseitig
180
160
140
T C [°C]
120
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
100
80
60
40
f
e
c
d
a
b
20
0
500
1000
I FAV [A]
1500
2000
2500
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1030N
10000
iFM =
1600A
800A
400A
200A
100A
50A
Qr [µAs]
Qr Diagramm
1000
100
0,1
1
10
-di/dt [A/µs]
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM
RC-Glied / RC-Network: R = 3,9Ω, C = 1µF
16
14
IF(OV)M [kA]
12
10
8
0-50V
0,33 VRRM
6
0,67 VRRM
4
2
0
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D1030N
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