Infineon D2201N Full blocking capability 50/60hz over a wide temperature range Datasheet

Technische Information /
technical information
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
D2201N
Key Parameters
VRRM
4500 V
IFAVM
2060 A (TC=100 °C)
IFSM
VT0
38000 A
3570A (TC=55°C)
0,688 V
rT
0,205 mΩ
RthJC
10 K/kW
Clamping Force
27 … 45 kN
Max. Diameter
100 mm
Contact Diameter
62,8 mm
Height
26 mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features



Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten
Temperaturbereich
Hohe DC Sperrstabilität

Full blocking capability 50/60Hz over a wide
temperature range
High DC blocking stability


Hohe Stoßstrombelastbarkeit
Hoher Gehäusebruchstrom


High surge current capability
High case non-rupture current
Typische Anwendungen
Typical Applications


Rückschwing- Diode für
Spannungszwischenkreisumrichter
content of customer DMX code
serial number
SP material number
datecode (production day)
datecode (production year)
datecode (production month)
vT class (optional)
QR class (optional)
Date of Publication: 2014-06-01
DMX code
digit
1..7
8..16
17..18
19..20
21..22
23..26
27..30
Ringback diode for voltage source converter
DMX code
digit quantity
7
9
2
2
2
4
4
Revision: 7.1
1
2
www.ifbip.com
[email protected]
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Technische Information /
technical information
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
D2201N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Tvj = -40°C... Tvj max
ElektrischeT Eigenschaften
= 100 °C
C
VRRM
4500 V
IFRMSM
3240 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100 °C
TC = 85 °C
TC = 55 °C
IFAVM
2060 A
2510 A
3250 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM
38000 A
35000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 2500 A
vF
typ.
max.
1,17 V
1,20 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
typ.
max.
0,657 V
0,688 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
typ.
max.
0,206 mΩ
0,205 mΩ
Tvj = Tvj max
typ.
7220 10³ A²s
6125 10³ A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßkennlinie
O-state characteristic
300A  iF  3000A
A 0,7015
B 0,00000692
C -0,0473
D 0,0165
v F  A  B i F  C Ln ( i F  1)  D
iF
max.
A 0,699
B -0,000016
C -0,0441
D 0,01774
Rückwärts-Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max, vR = VRRM
prepared by:
TM
date of publication:
approved by:
JP
revision:
Date of Publication: 2014-06-01
Revision: 7.1
iR
max.
100 mA
2014-06-01
7.1
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Technische Information /
technical information
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
D2201N
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
/ cooling surface
ThermischeKühlfläche
Eigenschaften
beidseitig
/ two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode
/ anode, DC
Mechanische
Eigenschaften
Kathode / cathode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthJC
max.
max.
max.
max.
11,2
10
17,3
24
K/kW
K/kW
K/kW
K/kW
RthCH
max.
max.
3 K/kW
6 K/kW
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
-40...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+150 °C
140 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
Date of Publication: 2014-06-01
27...45 kN
typ.
850 g
30 mm
f = 50 Hz
Revision: 7.1
50 m/s²
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Technische Information /
technical information
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
D2201N
Maßbild
1
2
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
Date of Publication: 2014-06-01
Revision: 7.1
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Technische Information /
technical information
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
R,t – Werte
R
R,T-Werte
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
D2201N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n
1
2
3
4
5
Rthn [K/kW]
3,49
3,73
1,55
0,93
0,25
τn [s]
0,9
0,118
0,0282
0,00422
0,0013
Rthn [K/kW]
10,5
0,39
4,62
1,16
0,63
τn [s]
4,84
0,253
0,0883
0,00932
0,00185
Rthn [K/kW]
17,27
0,24
4,26
1,3
0,93
τn [s]
4,63
0,745
0,113
0,024
0,00359
Z thJC 
Analytische Funktion / Analytical function:
thJC
6
n max

7
R thn 1  e
-t
n
n=1
30
25
ai
ci
15
Zth JC [K/kW]
20
10
bi
5
0
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance Z thJC = f(t)
for DC
a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
Date of Publication: 2014-06-01
Revision: 7.1
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Technische Information /
technical information
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
D2201N
3500
Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
3000
2500
typ.
max.
iF [A]
2000
1500
1000
500
0
0
0,5
1
1,5
vF [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
Date of Publication: 2014-06-01
Revision: 7.1
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Technische Information /
technical information
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
D2201N
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Revision: 7.1
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