Infineon D5807N Netz-gleichrichterdiode rectifier diode Datasheet

Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D5807N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
Tvj = -40°C... Tvj max
Elektrische Eigenschaften
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
VRRM
400 V
600 V
IFRMSM
9100 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 108 °C
TC = 130 °C
IFAVM
5800 A
4470 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM
81000 A
70000 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
32800 10³A²s
24500 10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 18,0 kA
Tvj = Tvj max , iF = 6,0 kA
vF
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
Durchlaßkennlinie
1500 A ≤ iF ≤ 29000 A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
v F = A + B ⋅ i F + C ⋅ ln ( i F + 1 ) + D ⋅
Sperrstrom
reverse current
max.
max.
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
0,7 V
0,04 mΩ
A=
B=
C=
D=
iF
1,47 V
0,92 V
iR
4,617E-01
2,002E-05
7,441E-03
4,190E-03
max.
100 mA
Thermische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
RthJC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0098
0,0092
0,0171
0,0165
0,0214
0,0208
max.
max.
0,0025 °C/W
0,0050 °C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
180 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Tvj max
Tc op
-40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40...+150 °C
prepared by: H.Sandmann
date of publication:
revision:
approved by: J.Przybilla
MA2-BE / 27 May 1994 , R.Jörke
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2007-10-22
1
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N
Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D5807N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F
Gewicht
weight
G
40...60 kN
typ.
180 g
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
5,5 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D5807N
Maßbild
Maßbild
x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)
1
2
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D5807N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
0,000016
0,000121
0,000939
0,000474
0,00116
0,00167
0,00482
τn [s]
0,000018
0,000254
0,001110
0,007520
0,02270
0,10700
0,32400
Rthn [°C/W]
0,000024
0,000685
0,000971
0,001060
0,00212
0,00316
0,00848
τn [s]
0,000025
0,000642
0,004430
0,034400
0,09600
0,54000
1,64000
Rthn [°C/W]
0,000024
0,000634
0,000782
0,002050
0,00143
0,00238
0,01350
τn [s]
0,000025
0,000621
0,003150
0,031600
0,24300
0,84600
1,42000
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC =
nmax
ΣR
n=1
thn
1− e
-t
τn
0,025
c
Z thJC [°C/W]
0,020
a
0,015
0,010
b
0,005
0,000
0,001
0,01
0,1
t [s] 1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D5807N
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
Diagramme
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Diagramme
Kühlung / Cooling
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00176
0,00312
0,00434
0,00645
0,01087
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00052
0,00100
0,00175
0,00336
0,00747
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00179
0,00316
0,00430
0,00622
0,01053
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00067
0,00115
0,00184
0,00318
0,00701
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00179
0,00315
0,00433
0,00629
0,01062
∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00063
0,00112
0,00184
0,00324
0,00711
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
40.000
Durchlasskennlinie
iF [A]
30.000
Tvj = Tvj max
20.000
10.000
0
0,7
0,9
1,1
1,3
VF [V]
1,5
1,7
1,9
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Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D5807N
12000
Durchlassverluste
10000
a
PFAV [W]
8000
b
c
6000
d
e
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f
4000
2000
0
0
1000
2000
3000
4000
5000
IFAV [A]
6000
7000
8000
9000
10000
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Tc beidseitig
180
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
160
140
T C [°C]
120
100
80
60
40
f
e
d
c
a
b
20
0
1000
2000
3000
4000
5000
I FAV [A]
6000
7000
8000
9000
10000
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D5807N
10000
iFM =
6200A
800A
400A
200A
Qr [µAs]
Qr Diagramm
1000
100
0,1
1
10
-di/dt [A/µs]
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
Qr =f(-di/dt)
Tvj= Tvjmax , vR ≤ 0,5 VRRM , vRM = 0,8 VRRM
RC-Glied / RC-Network: R = 2,7Ω, C = 1,5µF
80
70
60
IF(OV)M [kA]
50
40
0-50V
30
0,33 VRRM
0,67 VRRM
20
10
0
1
3
5
7
9
11
13
15
17
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
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Rectifier Diode
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