Infineon DD261N Pressure contact technology for high reliability Datasheet

Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD261N
Key Parameters
VDRM / VRRM
2200 V
ITAVM
260 A (TC=100 °C)
ITSM
9500 A
VT0
0,70 V
rT
0,68 mΩ
RthJC
0,164 K/W
Base plate
50 mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog
Merkmale
Features
 Druckkontakt-Technologie für hohe
Zuverlässigkeit

Pressure contact technology for high reliability
 Advanced Medium Power Technology (AMPT)

Advanced Medium Power Technology (AMPT)
 Industrie-Standard-Gehäuse
 Elektrisch isolierte Bodenplatte


Industrial standard package
Electrically insulated base plate
Typische Anwendungen
Typical Applications








Gleichrichter für Antriebsapplikationen
Kurzschließer-Applikationen
Gleichrichter für UPS
Batterieladegleichrichter
Rectifier for drives applications
Crowbar applications
Rectifiers for UBS
Battery chargers
1
content of customer DMX code
serial number
SAP material number
Internal production order number
datecode (production year)
datecode (production week)
Date of Publication 2014-02-17
DMX code
digit
1..5
6..12
13..20
21..22
23..24
DMX code
digit quantity
5
7
8
2
2
Revision 3.1
2
3
www.ifbip.com
[email protected]
Seite/page
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD261N
DD261N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = -40°C... Tvj max
VRRM
2000 V
2200 V
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
2100 V
2300 V
IFRMSM
410 A
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 100°C
IFAVM
260 A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
IFSM
9500 A
8300 A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25°C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
I²t
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 800A
vF
max.
1,42 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max
V(TO)
max.
0,70 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max
rT
max.
0,68 mΩ
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR
max.
40 mA
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50Hz, t = 1 min
VISOL
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin
RthJC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
RthCH
451000 A²s
344000 A²s
3,6 kV
3,0 kV
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,085
0,170
0,082
0,164
K/W
K/W
K/W
K/W
0,02 K/W
0,04 K/W
150 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op
- 40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
- 40...+150 °C
prepared by: HR
approved by: ML
Date of Publication 2014-02-17
date of publication: 2014-02-17
revision:
Revision 3.1
3.1
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD261N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN 61140)
Basic insulation (class 1, IEC 61140)
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse
mounting torque
Toleranz ±15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz ±10%
M2
12
Nm
Gewicht
weight
G
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
typ.
800 g
17 mm
f = 50Hz
file-No.
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AlN
Revision 3.1
50 m/s²
E 83335
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
1
2
DD261N
3
DD
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD261N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
Rthn [K/W]
0,0661
0,0552
0,0291
0,0097
0,0039
τn [s]
2,85
0,54
0,085
0,008
0,0008
Analytische Funktion / Analytical function:
Z thJC 
6
7
n max

–t
R thn 1 - e
n
n=1
0,18
0,16
Z thJC [°K/W]
0,14
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
0,00
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z thJC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD261N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
ΔZth Θ rec
[K/W]
0,01162
0,01916
0,02517
0,03524
0,05565
ΔZth Θ sin
[K/W]
0,17029
0,17451
0,18331
0,19404
0,21623
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD261N
450
DC
400
PFAV [W]
350
180 rec
180 sin
120 rec
300
250
Θ = 60 rec
200
150
100
50
0
0
100
200
300
400
500
IFAV [A]
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
160
140
120
TC [°C]
100
80
60
180 sin
40
Θ = 60 rec
120 rec
180 rec
DC
20
0
100
200
IFAVM [A]
300
400
500
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(IFAVM)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechungsgrundlage PTAV
Calculation base PTAV
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
1400
DD261N
P tot [W]
0,01
0,02
0,02
0,03
0,03
1200
R thCA [ K/W]
ID
+
R-Last
~
0,04
1000
B2
L-Last
-
0,06
800
0,08
0,10
600
0,15
0,20
400
0,30
200
0,60
0
0
20
40
60
T A [°C]
80
100
120
140 0
100
200
300
ID [A]
400
500
600
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R thCA
1800
P tot [W]
0,04
0,03
B6
R thCA [ K/W]
3~
0,06
1400
0,07
1200
0,08
1000
0,09
0,10
ID
+
0,05
1600
-
0,12
800
0,15
600
0,20
400
0,30
200
0,60
0
0
20
40
60
0,30
80
T A [°C]
100
120
140 0
100
200
300
400
500
600
700
800
ID [A]
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot
Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA
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Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD261N
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM
6.000
a
TA = 45 C
IF(OV)M [A]
5.000
4.000
b
3.000
TA = 35 C
2.000
1.000
0
0,01
0,1
1
t [s]
Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) = IFAVM
Ta = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650)
Ta = 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling
Date of Publication 2014-02-17
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (60W)
Revision 3.1
Seite/page
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Datenblatt / Data sheet
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
DD261N
Nutzungsbedingungen
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Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend
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Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.
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- the conclusion of Quality Agreements;
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the realization of any such measures.
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