eupec DT131N Eupec Datasheet

European PowerSemiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
Marketing Information
TT 131 N
for fillister head screw
M6x15 Z4-1
screwing depth
max. 12
plug
A 2,8 x 0,8
14
15
25
25
K2
G2
K1
G1
13,3 5
80
94
AK
K
A
K1 G1
K2
G2
VWK February 1996
TT 131 N, TD 131 N, DT 131 N
Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Electrical properties
Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und
repetitive peak forward off-state and
Rückwärts-Spitzensperrspannung
reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
voltage
non-repetitive peak reverse voltage
RückwärtsStoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
∫i2t-value
Kritische Stromsteilheit
current
Kritische Spannungssteilheit
voltage
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
Vorwärts- und RückwärtsSperrstrom
Zündverzug
Freiwerdezeit
Isolations-Prüfspannung
forward off-state and reverse
currents
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction
to case
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
tvj = -40°C...t vj max
VDRM, V RRM
600 800 1000
1200 1400
V
tvj = -40°C...t vj max
VDSM = V DRM
tvj = +25°C...t vj max
VRSM = V RRM
+ 100
V
ITRMSM
ITAVM
V
tc = 85°C
tc = 81°C
tvj = 25°C, t p = 10 ms
tvj = t vj max , tp = 10 ms
tvj = 25°C, t p = 10 ms
tvj = t vj max , tp = 10 ms
vD ≤ 67%, V DRM, fo = 50 Hz
vL =10V,i GM =0,6A,di G/dt =0,6A/µs
tvj = t vj max , vD = 0,67 V DRM
(di/dt) cr
220 A
131 A
140 A
3600 A
3200 A
64800 A2s
51200 A2s
150 A/µs
(dv/dt) cr
1000 V/µs
tvj = t vj max , iT = 350 A
tvj = t vj max
tvj = t vj max
tvj = 25 °C, v D = 6 V
tvj = 25 °C, v D = 6 V
tvj = t vj max , vD = 6 V
tvj = t vj max , vD = 0,5 V DRM
tvj = 25 °C, v D = 6 V, R A = 5 Ω
tvj = 25 °C,v D = 6 V, R GK > = 10 Ω
vT
VT(TO)
rT
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
IL
iGM = 0,6 A, di G/dt = 0,6 A/µs, t g = 20 µs
ITSM
∫i2dt
max.1,48
0,85
1,5
max. 150
max.1,4
max.5
max.0,2
max. 200
max. 620
V
V
mΩ
mA
V
mA
V
mA
mA
tvj = t vj max , vD=V DRM, vR=V RRM
i D, i R
max. 25 mA
tvj=25°C, i GM = 0,6 A, di G/dt = 0,6 A/µs
siehe Techn.Er./see Techn.Inf.
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
tgd
tq
VISOL
max.3 µs
typ.180 µs
3 kV
Θ =180°el,sinus: pro Modul/per module
R thJC
pro Zweig/per arm
DC: pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module
pro Zweig/per arm
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
R thCK
tvj max
tc op
tstg
max.0,115
max.0,23
max.0,107
max.0,214
max.0,03
max.0,06
125
-40...+125
-40...+130
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Gehäuse, siehe Seite
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment für
mechanische Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
Gewicht
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
case, see page
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
mounting torque
Toleranz/tolerance +/- 15%
M1
AlN
6 Nm
terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M2
6 Nm
weight
creepage distance
vibration resistance
1
G
f = 50 Hz
Diese Module können auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
These modules can also be supplied with common anode or common cathode.
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
typ.430 g
14 mm
5 . 9,81 m/s²
TT 131 N
200
120°
180
0
160
PTAV
140
[W]
120
130
180°
90°
θ
60°
θ
0
tC [°C]
100
θ = 30°
80
100
80
60
60
40
40
0
0
50
100
ITAV [A]
TT 131 N/1
20
0
150
120°
0
tC
90°
[W]
150
ITAVM [A]
150
130
DC
180°
θ
100
Bild / Fig. 2
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t C = f(ITAVM)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ
250
0
50
180°
120°
TT 131 N/2
Bild / Fig. 1
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
PTAV = f(ITAV)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ
200
PTAV
90°
60°
θ = 30°
20
θ
100
[°C]
60°
θ = 30°
80
100
60
50
40
0
0
100
50
150
TT 131 N/3
ITAV [A]
200
20
0
800
R-Last
R-load
600 0.12
150
200
ITAVM [A]
250
RthCA[°C/W]
1000 0.06
Ptot
[W]
0.08
L-Last
L-load
750 0.1
0.12
400 0.2
500
0.25
0.3
0.4
0.5
200
0.6
0.8
1.0
1.5
20
DC
0.05 0.04
0.15
TT 131 N/5
100
1250
0.10
0
0
50
180°
Bild / Fig. 4
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t C = f(ITAVM)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ
RthCA[°C/W]
0.08
Ptot
[W]
60° 90° 120°
TT 131 N/4
Bild / Fig. 3
Durchlaßverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
PTAV = f(ITAV)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ
0.06 0.05
θ = 30°
40
60
80 100
tA [°C]
0
100
200
300
Id [A]
Bild / Fig. 5
B2 - Zweiplus-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current Id
Gesamtverlustleist. der Schaltung / total power dissip. of the circuit Ptot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient R thCA
400
0.15
0.2
0.25
0.3
250 0.4
0.5
0.6
0.8
1.0
0
0
20
TT 131 N/6
40
60
80 100
tA [°C]
0
100
200
300
Id [A]
Bild / Fig. 6
B6 - Sechpuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current Id
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit Ptot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient RthCA
400
TT 131 N
400
0.15
0.12 0.1
1250
RthCA[°C/W]
0.06
1000
Ptot
0.08
[W]
0.2
Ptot
300
0.25
[W]
0.3
750 0.1
0.12
200 0.4
0.5
0.6
0.2
0.25
0.3
250 0.4
0.5
0.6
0.8
1.0
0
0
20
1.5
2.0
3.0
0
0.15
500
0.8
100 1.0
0
RthCA[°C/W]
0.05 0.04
20
40
TT 131 N/7
60
80 100
tA [°C]
100
0
200
300
IRMS [A]
400
40
60
TT 131 N/8
80 100
tA [°C]
0
100
200
300
IRMS [A]
400
Bild / Fig. 8
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Höchstzulässiger Effektivstrom je Phase / Maximum ratet RMS current per
phase IRMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. at the circuit Ptot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient RthCA
Bild / Fig. 7
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum ratet RMS current IRMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. at the
circuit Ptot
Parameter: Wärmewiderstand zwischen Gehäuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R thCA
104
2,5
8
Qr
2,0
IT(0V)M
[kA]
[µAs]
4
2
1,5
a
200 A
103
b
1,0
500 A
100 A
8
50 A
6
20 A
4
0,5
2
0
10
20
40
60 80 100
200
400
TT 131 N/9
600 800 1s
102
100
t [ms]
Bild / Fig. 9
Grenzstrom je Zweig IT(OV)M. Belastung aus Leerlauf, VRM = 0,8 VRRM
Maximum overload on- state per arm current IT(OV)M. Surge current under
no-load conditions, VR = 0,8 VRRM
a - tA = 35 °C, verstärkte Luftkühlung / forced cooling
b - tA = 45 °C, Luftselbstkühlung / natural cooling
4
5 6 7 8
101
2
3
4
5 6 7 8
-di/dt [A/µs]
10 2
100
60
10
5
b
a
c
tgd
[µs]20
d
10
6
4
2
b
2
1
a
1
0,5
0,6
0,4
0,2
0,1
3
Bild / Fig. 10
Sperrverzögerungsladung / Recovery charge Qr = f(-di/dt)
t vj = tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
30
20
vG
[V]
2
TT 131 N/10
0,2
5
10
TT 131 N/11
20
50 100 200
mA
500
1
2
5
A
10
20
50
iG
Bild / Fig. 11
Steuercharakteristik mit Zündbereichen / Gate characteristic with triggering
areas, vG = f(iG), vD = 6 V
Parameter:
a
b
c
d
________________________________________________________
Steuerimpulsdauer
/
Pulse
duration
t
[ms]
10
1
0,5
0,1
________________________________________________________
g
Höchstzulässige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power [W] 40
80
100 150
________________________________________________________
0,1
10
20
TT 131 N/12
40 60 100
mA
200
400 600
1
Bild / Fig. 12
Zündverzug / Gate controlled delay time t gd = f(iG)
t vj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs
a - äußerster Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
2
A
4
iG
6
10
TT 131 N
0,36
0,36
0,32
0,32
ZthJC
[°C/W]
0
ZthJC
0
[°C/W]
θ
0,24
0,24
0,20
0,20
0,16
0,16
θ=
30°
0,12
0,04
0
2
10-3
4 6 8
TT 121 N/13
10-2
2
θ=
30°
60°
0,12
60°
90°
120°
180°
0,08
θ
90°
120°
180°
0,08
0,04
4 6 8
2
10 -1
4 6 8
100
2
4 6 8
10 1
2
4 6 8
10 2
t [s]
Bild / Fig. 13
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z(th)JC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ
DC
0
10-3 2
4 6 8 10-2 2
4 6 8 10 -1 2
4 6 8 100 2
4 6 8 10 1 2
4 6 8 10 2
t [s]
TT 131 N/14
Bild / Fig. 14
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance
per arm Z(th)JC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle θ
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC per arm for DC
Pos. n
R thn [°C/W]
τ n [s]
1
2
3
nmax
ΣR
n=1
5
0,025
0,0763
0,0726
0,0305
0,00089
0,0078
0,086
0,412
2,45
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC =
4
0,00956
- τt
n)
thn (1-e
6
7
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