Diotec FE6D Superfast switching silicon rectifier diode Datasheet

FE6A ... FE6G
FE6A ... FE6G
Superfast Switching Silicon Rectifier Diodes
Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2012-06-21
Nominal current
Nennstrom
±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Type
Ø 1.2
50...400 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
7,5 ±0.1
62.5 ±0.5
Ø8
6A
Ø 8 x 7.5 [mm]
P600 Style
Weight approx.
Gewicht ca.
1.3 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
±0.05
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF at/bei IF = 5 A
FE6A
50
50
< 0.98
FE6B
100
100
< 0.98
FE6D
200
200
< 0.98
FE6F
300
300
< 1.00
FE6G
400
400
< 1.30
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 25°C
IFAV
6 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
50 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
200/220 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
200 A2s
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
FE6A ... FE6G
Characteristics
Kennwerte
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
VR = VRRM
IR
< 5 µA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr
< 50 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 20 K/W 1)
Thermal resistance junction to lead
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL
< 6 K/W
102
120
[%]
FE6A...F
[A]
100
FE6G
10
80
Tj = 125°C
1
60
40
Tj = 25°C
10-1
20
IF
IFAV
0
10
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
2
200a-(5a-0.95/1.25v)
-2
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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