Diotec FX2000D Superfast silicon rectifier diode Datasheet

FX2000A ... FX2000G
FX2000A ... FX2000G
Superfast Silicon Rectifier Diodes
Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-06-28
Nominal Current
Nennstrom
7.5±0.1
62.5±0.5
Ø 8±0.1
±0.05
Ø 1.6
Dimensions - Maße [mm]
20 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...400 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 8 x 7.5 [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
2.0 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings
Type
Typ
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
FX2000A
50
50
FX2000B
100
100
FX2000D
200
200
FX2000F
300
300
FX2000G
400
400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
20 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
130 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
650/715 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
2112 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Tj
Tj
-50...+150°C
+200°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
-50...+175°C
1
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
FX2000A ... FX2000G
Characteristics
Kennwerte
Forward Voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C
IF = 5 A
IF = 20 A
VF
VF
< 0.82 V
< 0.94 V
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C VR = VRRM
Tj = 100°C
IR
IR
< 5 µA
< 200 µA
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
trr
< 200 ns
Reverse recovery time
Sperrverzug
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 8 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL
< 1.5 K/W
120
10
3
[%]
[A]
100
Tj = 125°C
102
80
Tj = 25°C
10
60
40
1
20
IF
IFAV
0
10
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
1
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
2
400a-(5a-0,8v)
-1
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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