GSME GM9012 Pnp low frequency amplifier transistor Datasheet

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM9012(销售型號 S9012)
■FEATURES
特點
PNP Low Frequency Amplifier Transistor
■MAXIMUM
RATINGS 最大額定值(Ta=25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Rating
額定值
Unit
單位
Collector-Base voltage
集電極-基極電壓
VCBO
-40
Vdc
-Collector-Emitter Voltage
集電極-發射極電壓
VCEO
-30
Vdc
Emitter-Base voltage
發射極-基極電壓
VEBO
-5.0
Vdc
Collector Current-Continuous
集電極電流-連續
Ic
-500
mAdc
Base-Current
基極電流
IB
-50
mAdc
Collector Power Dissipation
集電極耗散功率
PC
300
mW
Junction Temperature
結溫
Tj
150
℃
Storage Temperature Range
儲存溫度
Tstg
-55〜150
℃
■DEVICE
MARKING 打標
GM9012(销售型號 S9012)=2T1
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GM9012(销售型號 S9012)
■ELECTRICAL CHARACRTERISTICS
電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃)
Characteristic
特性參數
Symbol
符號
Test Condition
測試條件
Min
最小值
TYP
典型值
Max
最大值
Unit
單位
Collector Cutoff Current
集電極截止電流
ICBO
VCB= -35V,IE=0
—
—
-0.1
μA
Emitter Cutoff Current
發射極截止電流
IEBO
VEB= -5V,IC=0
—
—
-0.1
μA
V(BR)CBO
IC= -100μA
-40
—
—
V
V(BR)CEO
IC= -1.0mA
-30
—
—
V
V(BR)EBO
IE= -100μA
-5
—
—
V
hFE(1)
VCE= -1V,
IC= -50mA
70
—
400
hFE(2)
VCE= -6V,
IC= -400mA
25
—
—
VCE(sat)
IC= -500mA,
IB= -50mA
—
—
-0.6
V
VBE(sat)
IC=-500mA,
IB=-50mA
—
—
-1.2
V
Base-Emitter Voltage
基極-發射極電壓
VBE
VCE= -1V,
IC= -100mA
—
-0.8
-1.0
V
Transition Frequency
特徵頻率
fT
VCE= -6V,
IC= -20mA
150
300
—
MHz
Collector Output Capacitance
輸出電容
Cob
VCB= -6V,IE=0,
f=1MHz
—
7.0
10
pF
Collect-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
Collect-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓
DC Current Gain
直流電流增益
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
Base-Emitter Saturation Voltage
基極-發射極飽和壓降
—
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