GSME GMBAS40-06 Schottky diode Datasheet

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBAS40-06
S40-06
SCHOTTKY DIODE 肖特基二極管(BA
(BAS40-06
S40-06))
▉FEATURES 特點
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Max 最大值
Unit 單位
Power dissipation 耗散功率
PD(Ta=25℃)
225
mW
Forward Current 正向電流
IF
100
mA
Reverse Voltage 反向電壓
VR
40
V
Junction and Storage Temperature
結溫和儲藏溫度
▉DEVICE MARKING 打標
S40-06
=L2
BAS40-06
BA
S40-06=
-55to+150℃
TJ,Tstg
▉ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃))
Characteristic
特性參數
Reverse Breakdown Voltage 反向擊穿電壓
(IR=10uA)
Reverse Leakage Current 反向漏電流
(VR=25V)
Symbol
符號
Min
最小值
Max
最大值
Unit
單位
V(BR)
40
—
V
IR
—
1
uA
—
380
500
1000
Forward Voltage(Test Condition)正向電壓
IF= 1mAdc
IF= 10mAdc
IF= 40mAdc
VF
Diode Capacitance 二極體電容
(VR=1V, f=1MHz)
CD
—
5
pF
Reverse Recovery Time 反向恢復時間
Trr
—
5
nS
▉SOT-23 内部结构
mV
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBAS40-06
■DIMENSION
外形封裝尺寸
Similar pages