NPN 汕头华汕电子器件有限公司 SILICON 对应国外型号 BC547 H547 █ 主要用途 TRANSISTOR █ 外形图及引脚排列 开关和射频放大。 █ 极限值（Ta=25℃） TO-92 T stg ——贮存温度………………………………… -55~150℃ Tj——结温……………………………………………150℃ P C ——集电极耗散功率…………………………………500mW V CBO ——集电极—基极电压………………………………50V 1―集电极，C 2―基 极，B 3―发射极，E V CEO ——集电极—发射极电压……………………………45V V E B O ——发射极—基极电压………………………………6V I C ——集电极电流………………………………………100mA █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 ICBO HFE VCE(sat) 集电极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 VBE(sat) 基极—发射极饱和电压 VBE(on) 基极—发射极导通电压 fT 特征频率 300 NF 噪声系数 2 110 0.58 0.09 0.2 0.7 0.9 0.66 最大值 单 位 15 800 0.25 0.6 nA V V V V V V MHz 0.7 0.72 10 dB █ 分档及其标志 A B C 110—220 200—450 420—800 测 试 条 件 VCB=30V, IE=0 VCE=5V, IC=2mA IC=10mA, IB=0.5mA IC=100mA, IB=5mA IC=10mA, IB=0.5mA IC=100mA, IB=5mA VCE=5V, IC=2mA VCE=5V, IC=10mA VCE=5V, IC=10mA， f=100MHz VCE=5V,IC=200μA f=1KHz，Rg=2KΩ