Siemens LD242-2 Gaas infrared emitter Datasheet

2.7
Chip position
ø4.3
ø4.1
14.5
12.5
1
1.1 .9
0
2.54 mm
spacing
ø0.45
LD 242
1
0.9 .1
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
ø5.5
ø5.2
3.6
3.0
GET06625
Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)
Cathode (SFH 483)
fet06625
Approx. weight 0.5 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im
● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a
Schmelzepitaxieverfahren
Kathode galvanisch mit Gehäuseboden
verbunden
Hohe Zuverlässigkeit
Großer Öffnungskegel
Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG
liquid phase epitaxy process
Cathode is electrically connected to the case
High reliability
Wide beam
Same package as BP 103, BPX 63,
SFH 464, SFH 483
DIN humidity category in acc. with
DIN 40 040 GQG
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
Anwendungen
Applications
● IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen
● Lichtschranken für Gleich- und
● IR remote control and sound transmission
● Photointerrupters
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
LD 242-2
Q62703-Q198
LD 242-3
Q62703-Q199
LD 242 E7800
Q62703-Q3509
Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares
Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster
(1/10’’)
Semiconductor Group
Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transparent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm
(1/10’’)
1
1998-07-15
LD 242
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 40 ... + 80
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Durchlaßstrom, TC = 25 °C
Forward current
IF
300
mA
Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0
Surge current
IFSM
3
A
Verlustleistung, TC = 25 °C
Power dissipation
Ptot
470
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
RthJA
RthJC
450
160
K/W
K/W
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
λpeak
950
nm
Spektraler Bandbreite bei 50 % von Imax
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
IF = 100 m A, tp = 20 ms
∆λ
55
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
ϕ
± 40
Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area
A
0.25
mm2
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
L×B
L×W
0.5 × 0.5
mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
H
0.3 ... 0.7
mm
Semiconductor Group
2
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
1998-07-15
LD 242
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr, tf
1
µs
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V
Co
40
pF
VF
VF
1.3 (≤ 1.5)
1.9 (≤ 2.5)
V
V
Sperrstrom, VR = 5 V
Reverse current
IR
0.01 (≤ 1)
µA
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe
16
mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI
– 0.55
%/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
TCV
– 1.5
mV/K
Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA
TCλ
0.3
nm/K
Semiconductor Group
3
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 100 mA
IF = 1 A, tp = 100 µs
1998-07-15
LD 242
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of radiant intensity Ie in axial direction
measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µs
Symbol
Ie
Ie typ.
Werte
Values
Einheit
Unit
-2
-3
78001)
4 ... 8
50
> 6.3
75
1 ... 3.2
–
mW/sr
mW/sr
1)
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser
der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird sichergestellt,
daß bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der
Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen
nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken
störend (z.B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen
ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meßverfahren ergibt sich
für die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den
Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.
1)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation.
Semiconductor Group
4
1998-07-15
LD 242
Relative spectral emission
Irel = f (λ)
Radiant intensity
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Single pulse, tp = 20 µs
OHR01938
100
OHR01037
10 2
Ιe
OHR00971
300
Ι F mA
Ι e (100 mA)
%
Ι rel
Ie
= f (IF)
Ie 100 mA
250
80
10 1
R thJL = 160 K/W
200
60
150
R thJA = 450 K/W
40
10 0
100
20
50
0
880
920
960
1000
nm
λ
10 -1
10 -2
1060
OHR01040
10 1
A
ΙF
A
ΙF
10 1
0
0
20
40
60
80 ˚C 100
T A, T L
OHR01937
10 4
mA
tP
D=
5
typ.
10 0
10 0
Permissible pulse handling capability
IF = f (τ), TC = 25 °C,
duty cycle D = parameter
Forward current
IF = f (VE)
ΙF
10 -1
tP
T
max.
10 3
ΙF
T
D=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
5
10 -1
DC
10 -2
1
1.5
2
2.5
3
3.5
10 2
10 -5
4 V 4.5
VF
10 -4
10 -3
10 -2
s
τ
10 0
Radiation characteristics Irel = f (ϕ)
40
30
20
10
0
ϕ
OHR01877
1.0
50
0.8
60
0.6
70
0.4
0.2
80
0
90
100
1.0
0.8
0.6
Semiconductor Group
0.4
0
20
40
60
80
5
100
120
1998-07-15
Similar pages