Siemens LO3336-U Hyper 3 mm t1 led, non diffused hyper-bright led Datasheet

Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused
Hyper-Bright LED
LS 3336, LA 3336, LO 3336
LY 3336
Besondere Merkmale
nicht eingefärbtes, klares Gehäuse
zur Einkopplung in Lichtleiter
als optischer Indikator einsetzbar
Lötspieße mit Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
VEX06710
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Features
●
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●
●
●
colorless, clear package
optical coupling into light pipes
for use as optical indicator
solder leads with stand-off
available taped on reel
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
1998-09-18
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 20 mA
IV (mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LS 3336-QT
LS 3336-R
LS 3336-S
LS 3336-T
LS 3336-RU
super-red
colorless clear
63
100
160
250
100
...
...
...
...
...
500
200
320
500
800
Q62703-Q3482
Q62703-Q3484
Q62703-Q3485
Q62703-Q3813
Q62703-Q3486
LA 3336-RU
LA 3336-S
LA 3336-T
LA 3336-U
LA 3336-SV
amber
colorless clear
100
160
250
400
160
... 800
... 320
... 500
... 800
... 1250
Q62703-Q3554
Q62703-Q3551
Q62703-Q3552
Q62703-Q3553
Q62703-Q3555
LO 3336-RU
LO 3336-S
LO 3336-T
LO 3336-U
LO 3336-SV
orange
colorless clear
100
160
250
400
160
... 800
... 320
... 500
... 800
... 1250
Q62703-Q3144
Q62703-Q3176
Q62703-Q3170
Q62703-Q3307
Q62703-Q3177
LY 3336-RU
LY 3336-S
LY 3336-T
LY 3336-U
LY 3336-SV
yellow
colorless clear
100
160
250
400
160
... 800
... 320
... 500
... 800
... 1250
Q62703-Q3487
Q62703-Q3489
Q62703-Q3490
Q62703-Q3814
Q62703-Q3491
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
1998-09-18
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LA LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 ... + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 ... + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
20
mA
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
1
0.2
A
Sperrspanung1)
Reverse voltage1)
VR
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Ptot
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Rth JA
1)
1)
3
80
V
55
500
mW
K/W
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
Reverse biasing should be avoided.
Semiconductor Group
3
1998-09-18
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LA
LO
LY
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
645
622
610
591
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
632
615
605
587
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max
Spectral bandwidth at 50% Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
16
16
16
15
nm
2ϕ
50
50
50
50
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 20 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µA
µA
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% Iv
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA)
TCλ
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
Temperaturkoeffizient von λpeak,
IF = 20 mA
Temperature coefficient of λpeak,
IF = 20 mA
TCλ
0.14
0.13
0.13
nm/K
(typ.)
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
Semiconductor Group
0.13
(typ.)
4
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
1998-09-18
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
OHL00235
100
Ι rel
%
80
Vλ
60
yellow
orange
amber
super-red
40
20
0
400
450
500
550
600
650
nm
λ
700
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
40
30
20
0
10
φ
50
OHL01646
1.0
0.8
0.6
60
0.4
70
0.2
80
0
90
100
1.0
0.8
Semiconductor Group
0.6
0.4
0
20
5
40
60
80
100
120
1998-09-18
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
OHL00232
10 2
mA
ΙF 5
OHL00248
35
Ι F mA
30
25
10 1
yellow
20
5
15
10 0
10
5
5
10 -1
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
0
3.0 V 3.4
VF
Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25˚C
ΙV
20
40
60
80 C 100
ΤA
Relative Lichtstärke IV / IV(25˚C ) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 20 mA
OHL00233
10 1
0
OHL00238
Ι V 2.0
Ι V (25 C)
Ι V (20 mA)
1.6
10 0
orange
yellow
amber
super-red
5
1.2
10 -1
5
0.8
superred
yellow
orange/amber
10 -2
0.4
5
10 -3 -1
10
orange
yellow
amber
super-red
5 10 0
Semiconductor Group
5 10 1
0
-20
mA 10 2
ΙF
6
0
20
40
60
C
TA
100
1998-09-18
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
OHL00322
10 1
A
ΙF 5
tp
tp
D=
T
ΙF
ΙF
5
10 -1
0.2
5
0.5
0.5
ΙF
T
D=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
10 -1
tp
tp
D=
T
5
T
D=
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
10 0
OHL00316
10 0
A
5
10
-5
10
-4
10
-3
10
Maßzeichnung
Package Outlines
-2
10
-1
10
0
1
10 s 10
tp
10 -2
2
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
1.1
0.9
1.8
1.2
4.8
4.4
0.7
0.4
0.8
0.4
2.54mm
spacing
0.6
0.4
Area not flat
29.0
27.0
Cathode
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
3.7
3.5
6.1
5.7
3.4
3.1
0.6
0.4
Cathode
Approx. weight 0.15 g
Semiconductor Group
10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2
tp
ø2.9
ø2.7
10 -2
GEX06951
Kürzerer Lötspieß
Short solder lead
7
1998-09-18
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