Siemens LOM776-NR Hyper mini topled rg hyper-bright led Datasheet

Hyper Mini TOPLED® RG
Hyper-Bright LED
LS M776, LA M776, LO M776
LY M776
Besondere Merkmale
Gehäusefarbe: weiß
als optischer Indikator einsetzbar
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
Features
●
●
●
●
●
color of package: white
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (8 mm tape)
Semiconductor Group
1
VPL06926
●
●
●
●
●
11.96
LS M776, LA M776, LO M776
LY M776
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Farbe der Lichtaustrittsfläche
Color of the Light
Emitting
Area
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
IF = 20 mA
IV (mcd)
Luminous
Flux
IF = 20 mA
ΦV (mlm)
Ordering Code
LS M776-MQ super-red
LS M776-N
LS M776-P
LS M776-Q
LS M776-NR
colorless clear
16 … 125
25 … 50
40 … 80
63 … 125
25 … 200
100 (typ.)
180 (typ.)
300 (typ.)
-
Q62703-Q3859
Q62703-Q3860
Q62703-Q3861
Q62703-Q3862
Q62703-Q3863
LA M776-NR
LA M776-P
LA M776-Q
LA M776-R
LA M776-PS
amber
colorless clear
25 … 200
40 … 80
63 … 125
100 … 200
40 … 320
180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)
-
Q62703-Q3864
Q62703-Q3865
Q62703-Q3866
Q62703-Q3867
Q62703-Q3868
LO M776-NR
LO M776-P
LO M776-Q
LO M776-R
LO M776-PS
orange
colorless clear
25 … 200
40 … 80
63 … 125
100 … 200
40 … 320
180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)
-
Q62703-Q3869
Q62703-Q3870
Q62703-Q3871
Q62703-Q3872
Q62703-Q3873
LY M776-NR
LY M776-P
LY M776-Q
LY M776-R
LY M776-PS
yellow
colorless clear
25 … 200
40 … 80
63 … 125
100 … 200
40 … 320
180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)
-
Q62703-Q3874
Q62703-Q3875
Q62703-Q3876
Q62703-Q3877
Q62703-Q3878
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
LS M776, LA M776, LO M776
LY M776
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LO, LA LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 ... + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 ... + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
to be defined
A
Sperrspannung1)
Reverse voltage1)
VR
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
Wärmewiderstand
Rth JA
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2)
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2)
1)
1)
2)
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
Reverse biasing should be avoided.
vorläufig/preliminary
*) PC-board: FR4
Semiconductor Group
3
30
20
mA
802)
552)
mW
6302)
500
K/W
LS M776, LA M776, LO M776
LY M776
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LA
LO
LY
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
645
622
610
591
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
632
615
605
587
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max
Spectral bandwidth at 50% Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
16
16
16
15
nm
2ϕ
120
120
120
120
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 20 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µA
µA
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% Iv
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA)
TCλ
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
Temperaturkoeffizient von λpeak,
IF = 20 mA
Temperature coefficient of λpeak,
IF = 20 mA
TCλ
0.14
0.13
0.13
nm/K
(typ.)
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
Semiconductor Group
0.13
(typ.)
4
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
LS M776, LA M776, LO M776
LY M776
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LS M776, LA M776, LO M776
LY M776
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV / IV(20 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
6
LS M776, LA M776, LO M776
LY M776
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GPL06926
Maßzeichnung
Package Outlines
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Kathodenkennung:
Cathode mark:
Semiconductor Group
abgeschrägte Ecke
bevelled edge
7
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