Siemens LR3360-F 3 mm (t1) led, diffused Datasheet

3 mm (T1) LED, Diffused
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Besondere Merkmale
●
●
●
●
●
eingefärbtes, diffuses Gehäuse
als optischer Indikator einsetzbar
Lötspieße mit Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
●
●
●
●
●
VEX06710
Features
colored, diffused package
for use as optical indicator
solder leads with stand-off
available taped on reel
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
1998-07-13
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
LR 3360-DG
LR 3360-F
LR 3360-G
LR 3360-FJ
red
red diffused
LS 3360-HL
LS 3360-K
LS 3360-L
LS 3360-KN
super-red
LO 3360-HL
LO 3360-K
LO 3360-L
LO 3360-JM
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 10 mA
IV (mcd)
0.4 …
1.0 …
1.6 …
1.0 …
Bestellnummer
Ordering Code
3.2
2.0
3.2
8.0
Q62703-Q1316
Q62703-Q1317
Q62703-Q1318
Q62703-Q1319
red diffused
2.5 … 20.0
6.3 … 12.5
10.0 … 20.0
6.3 … 50.0
Q62703-Q1320
Q62703-Q1321
Q62703-Q1322
Q62703-Q1323
orange
orange diffused
2.5 ... 20.0
6.3 ... 12.5
10.0 ... 20.0
4.0 ... 32.0
Q62703-Q1887
Q62703-Q2400
Q62703-Q2596
Q62703-Q2410
LY 3360-HL
LY 3360-K
LY 3360-L
LY 3360-KN
yellow
yellow diffused
2.5 ... 20.0
6.3 ... 12.5
10.0 ... 20.0
6.3 ... 50.0
Q62703-Q1324
Q62703-Q1325
Q62703-Q1326
Q62703-Q1998
LG 3360-HL
LG 3360-J
LG 3360-K
LG 3360-L
LG 3360-KN
green
green diffused
2.5 ... 20.0
4.0 ... 8.0
6.3 ... 12.5
10.0 ... 20.0
6.3 ... 50.0
Q62703-Q3818
Q62703-Q1865
Q62703-Q2008
Q62703-Q3507
Q62703-Q3819
LP 3360-GK
LP 3360-H
LP 3360-J
LP 3360-HL
pure green
green diffused
1.6 ... 12.5
2.5 ... 5.0
4.0 ... 8.0
2.5 ... 20.0
Q62703-Q2467
Q62703-Q2914
Q62703-Q2915
Q62703-Q3213
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
1998-07-13
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
LS, LO, LY, LG LR
Einheit
Unit
LP
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 … + 100
°C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 … + 100
°C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
°C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
0.5
A
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 °C
Ptot
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA
Semiconductor Group
40
140
45
100
400
3
30
100
mA
mW
K/W
1998-07-13
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LR
LS
LO
LY
LG
LP
Wellenlänge des emittierten Lichtes(typ.) λpeak
Wavelength at peak emission(typ.)
IF = 20 mA
660
635
610
586
565
557
nm
λdom
645
628
605
590
570
560
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max(typ.) ∆λ
Spectral bandwidth at 50 % Irel max(typ.)
IF = 20 mA
35
45
40
45
25
22
nm
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
2ϕ
70
70
70
70
70
70
Grad
deg.
Durchlaßspannung(typ.)
Forward voltage(max.)
IF = 10 mA
VF
VF
1.6
2.0
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom(typ.)
Reverse current(max.)
VR = 5 V
IR
IR
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA
10
10
10
10
10
10
µA
Kapazität(typ.)
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
C0
25
12
8
10
15
15
pF
tr
tf
120
50
300
150
300
150
300
150
450
200
450
200
ns
ns
Dominantwellenlänge(typ.)
Dominant wavelength(typ.)
IF = 20 mA
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %(typ.)
IV from 90 % to 10 %(typ.)
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
Semiconductor Group
4
1998-07-13
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
OHL01698
100
%
Ι rel
80
Vλ
hyper-red
red
super-red
orange
blue
40
yellow
pure-green
green
60
20
0
400
450
500
550
600
650
nm
700
λ
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
1998-07-13
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 °C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 °C
OHL02146
10 1
ΙV
Ι V (10 mA)
10 0
5
10 -1
5
green
red
yellow
super-red
orange
pure-green
10 -2
5
10 -3
10
-1
5 10
0
5
10
1
mA 10
2
ΙF
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C
LS, LO, LY, LG
Semiconductor Group
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C
LR
6
1998-07-13
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C
LP
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
OHL01686
10 3
tP
ΙF
D=
mA
tP
ΙF
T
T
D = 0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
10 2 0.2
5
0.5
DC
10 1 -5
10
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0 s 10 1
tp
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
Semiconductor Group
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 20 mA
7
1998-07-13
LR 3360, LS 3360, LO 3360
LY 3360, LG 3360, LP 3360
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
4.8
4.4
2.7
2.1
0.7
0.4
0.8
0.4
1.1
0.9
2.54 mm
spacing
0.6
0.4
Area not flat
1.8
1.2
29.0
27.0
Semiconductor Group
3.4
3.1
0.6
0.4
Chip position
Collector/
Cathode
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
3.7
3.5
6.1
5.7
ø2.9
ø2.7
Maßzeichnung
Package Outlines
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
GEX06710
Kürzerer Lötspieß
Short solder lead
8
1998-07-13
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