Siemens LRZ180-CO Array led 2 mm led, diffused Datasheet

Array LED
2 mm LED, Diffused
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Besondere Merkmale
●
●
●
●
eingefärbtes, diffuses Gehäuse
als optischer Indikator einsetzbar
als Mehrfachzeile verfügbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
●
●
●
●
VEX06726
Features
colored, diffused package
for use as optical indicator
available as multiple array (LED)
load dump resistant acc. to DIN 40839
Typ
Type
Anzahl der Emissionsfarbe
Lichtpunkte Color of
Number of
Emission
Dots
Gehäusefarbe Lichtstärke Bestellnummer
Color of
Luminous Ordering Code
Package
Intensity
IF = 10 mA
IV (mcd)
LR Z181-CO
LR Z182-CO
LR Z183-CO
LR Z184-CO
LR Z185-CO
LR Z186-CO
LR Z187-CO
LR Z188-CO
LR Z189-CO
LR Z180-CO
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
red
red
red
red
red
red
red
red
red
red
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
red diffused
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
Q62703-Q1495
Q62703-Q1496
Q62703-Q1497
Q62703-Q1498
Q62703-Q1499
Q62703-Q1500
Q62703-Q1501
Q62703-Q1502
Q62703-Q1503
Q62703-Q1504
LY Z181-CO
1
yellow
yellow diffused ≥ 0.25
Q62703-Q1505
LG Z181-CO
LG Z182-CO
LG Z183-CO
LG Z184-CO
LG Z185-CO
LG Z186-CO
LG Z188-CO
LG Z180-CO
1
2
3
4
5
6
8
10
green
green
green
green
green
green
green
green
green diffused
green diffused
green diffused
green diffused
green diffused
green diffused
green diffused
green diffused
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
≥ 0.25
Q62703-Q1506
Q62703-Q1507
Q62703-Q1508
Q62703-Q1509
Q62703-Q1510
Q62703-Q1511
Q62703-Q1513
Q62703-Q1515
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
1
11.96
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 40 … + 80
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 40 … + 80
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
mA
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
0.5
A
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Ptot
80
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA
7501)
K/W
1)
1)
Auf Platine gelötet: Lötfläche ≥ 16 cm2.
Soldered on PC board: pad size ≥ 16 cm2.
Semiconductor Group
2
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LR
LY
LG
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
660
586
565
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
645
590
570
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
35
45
25
nm
2ϕ
100
100
100
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.) VF
(max.) VF
1.6
2.0
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µA
µA
(typ.) C0
25
10
15
pF
(typ.) tr
(typ.) tf
120
50
300
150
450
200
ns
ns
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
Semiconductor Group
3
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Semiconductor Group
5
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
λpeak = f (TA), IF = 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
λdom = f (TA), IF = 20 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
6
LR Z18 x, LY Z181, LG Z18 x
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GEX06726
Maßzeichnung
Package Outlines
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
Semiconductor Group
Breiterer Lötspieß
Broad solder lead
7
Zeile mit 4 Dioden (z. B. LR Z184)
Row with 4 diodes (e. g. LR Z184)
Similar pages