Siemens LS3369-H Lc 3 mm t1 led, diffused low current led Datasheet

LS 3369, LY 3369, LG 3369
LC 3 mm (T1) LED, Diffused
Low Current LED
Besondere Merkmale
eingefärbtes, diffuses Gehäuse
als optischer Indikator einsetzbar
hohe Lichtstärke bei kleinen Strömen (typ. 2 mA)
Lötspieße mit Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
VEX06710
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Features
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colored, diffused package
for use as optical indicator
high luminous intensity at low currents (typ. 2 mA)
solder leads with stand-off
available taped on reel
load dump resistant acc. to DIN 40839
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 2 mA
IV (mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LS 3369-EH
LS 3369-G
LS 3369-H
LS 3369-GK
super-red
red diffused
0.63 … 5.0
1.60 … 3.2
2.50 … 5.0
1.60 … 12.5
Q62703-Q1748
Q62703-Q2068
Q62703-Q3820
Q62703-Q3821
LY 3369-EH
LY 3369-F
LY 3369-G
LY 3369-H
LY 3369-FJ
yellow
yellow diffused
0.63 …
1.00 …
1.60 …
2.50 …
1.00 …
5.0
2.0
3.2
5.0
8.0
Q62703-Q1749
Q62703-Q2030
Q62703-Q2029
Q62703-Q1906
Q62703-Q3822
LG 3369-EH
LG 3369-F
LG 3369-G
LG 3369-FJ
green
green diffused
0.63 …
1.00 …
1.60 …
1.00 …
5.0
2.0
3.2
8.0
Q62703-Q1750
Q62703-Q2069
Q62703-Q2070
Q62703-Q3823
Streuung der Lichterstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
1
1998-07-13
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 … + 100
°C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 … + 100
°C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
°C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
7.5
mA
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
0.15
A
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 °C
Ptot
20
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA
500
K/W
Semiconductor Group
2
1998-07-13
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LY
LG
Wellenlänge des emittierten Lichtes(typ.)
Wavelength at peak emission(typ.)
IF = 7.5 mA
λpeak
635
586
565
nm
Dominantwellenlänge(typ.)
Dominant wavelength(typ.)
IF = 7.5 mA
λdom
628
590
570
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max(typ.) ∆λ
Spectral bandwidth at 50 % Irel max(typ.)
IF = 7.5 mA
45
45
25
nm
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
2ϕ
60
60
60
Grad
deg.
Durchlaßspannung(typ.)
Forward voltage(max.)
IF = 2 mA
VF
VF
1.8
2.6
2.0
2.7
1.9
2.6
V
V
Sperrstrom(typ.)
Reverse current(max.)
VR = 5 V
IR
IR
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µA
µA
Kapazität(typ.)
Capacitance
VR = 0 V, ƒ = 1 MHz
C0
3
3
15
pF
tr
tf
200
150
200
150
450
200
ns
ns
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %(typ.)
IV from 90 % to 10 %(typ.)
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
Semiconductor Group
3
1998-07-13
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 7.5 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
1998-07-13
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 °C
Relative Lichtstärke IV/IV(2 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 °C
OHL01207
10 1
OHL01208
10 2
ΙV
Ι F mA
Ι V(2mA)
10 0
5
10 1
super-red
green
5
yellow
10 -1
green
yellow
super-red
5
10 0
10 -2
5
5
10 -1
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
10 -3
10
3.0 V 3.4
VF
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C
t
D= P
T
ΙF
ΙF
5
5
10
1
mA 10
ΙF
2
OHL01193
mA
T
6
D = 0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
10 2
0
8
tP
Ι F mA
5 10
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
OHL01278
10 3
-1
5
0.2
4
0.5
10 1
3
DC
2
5
1
10 0
10 -5
10 -4
10 -3
Semiconductor Group
10 -2
10 -1
0
10 0 s 10 1
tp
5
0
20
40
60
80 ˚C 100
TA
1998-07-13
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 7.5 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 7.5 mA
OHL01672
690
OHL01673
690
λ dom
λ peak
nm
nm
650
650
super-red
630
630
610
610
590
yellow
590
570
green
570
550
0
20
40
60
550
80 ˚C 100
TA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 2 mA
VF
yellow
green
0
20
40
60
80 ˚C 100
TA
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 2 mA
OHL01750
2.4
super-red
OHL01675
2.0
ΙV
V
Ι V(25 ˚C)
1.6
2.2
2.0
1.2
yellow
green
yellow
green
1.8
0.8
super-red
super-red
1.6
1.4
0.4
0
20
40
Semiconductor Group
60
0.0
80 ˚C 100
TA
6
0
20
40
60
80 ˚C 100
TA
1998-07-13
LS 3369, LY 3369, LG 3369
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
4.8
4.4
2.7
2.1
0.7
0.4
0.8
0.4
1.1
0.9
2.54 mm
spacing
0.6
0.4
Area not flat
1.8
1.2
29.0
27.0
Semiconductor Group
3.4
3.1
0.6
0.4
Chip position
Collector/
Cathode
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
3.7
3.5
6.1
5.7
ø2.9
ø2.7
Maßzeichnung
Package Outlines
GEX06710
Kürzerer Lötspieß
Short solder lead
7
1998-07-13
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