Siemens LSK389-FO Lc argus led low current 3 mm t1 led, non diffused Datasheet

LC ARGUS® LED
Low current 3 mm (T1) LED, Non Diffused
LS K389, LY K389, LG K389
Besondere Merkmale
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●
eingefärbtes, klares Gehäuse
Kunststoffgehäuse mit spezieller Formgebung
hohe Lichtstärke bei kleinen Strömen (typ. 2 mA)
bei Einsatz eines äußeren Reflectors zur Hintergrundbeleuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet.
zur Direkteinkopplung in Lichtleiterflächen geeignet
gleichmäßige
Ausleuchtung
einer
Streuscheibe
(Weißdruck) vor dem äußeren Reflektor
Lötspieße mit Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
Hinweis: Bei farbigen Streuscheiben muß die spektrale
Transmission an die, von der LED emittierte Wellenlänge
angepaßt werden.
VEX06712
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Features
● colored, clear package
● plasic package with a special design
● high light intensity at low currents (typ. 2 mA)
● in connection with an additional, custom built reflector suitable for backlighting of display panels
● for optical coupling into light pipes
● uniform illumination of a diffuser screen in front of the custom built reflector
● solder leads with stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
● Note: If the diffuser screen is tinted, the spectral transmission must be adjusted to the
wavelength emitted by the LED.
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstrom
Luminous Flux
IF = 2 mA
ΦV (mlm)
Bestellnummer
Ordering Code
LS K389-FO
super-red
red clear
≥1 (5.0 typ.)
Q62703-Q1771
LY K389-FO
yellow
yellow clear
≥1 (3.2 typ.)
Q62703-Q1772
LG K389-FO
green
green clear
≥1 (3.2 typ.)
Q62703-Q1773
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit ΦV max /ΦV min ≤ 2.0.
Luminous flux ratio in one packaging unit ΦV max /ΦV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
1
11.96
LS K389, LY K389, LG K389
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 … + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 … + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
7.5
mA
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
150
mA
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Ptot
20
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA
500
K/W
Semiconductor Group
2
LS K389, LY K389, LG K389
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LY
LG
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) λpeak
Wavelength at peak emission
(typ.)
IF = 7.5 mA
635
586
565
nm
(typ.) λdom
(typ.)
628
590
570
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Φrel max(typ.) ∆λ
Spectral bandwidth at 50 % Φrel max (typ.)
IF = 7.5 mA
45
45
25
nm
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 2 mA
(typ.) VF
(max.) VF
1.8
2.6
2.0
2.7
1.9
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µA
µA
(typ.) C0
3
3
15
pF
(typ.) tr
(typ.) tf
200
150
200
150
450
200
ns
ns
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 7.5 mA
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, ƒ = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
Semiconductor Group
3
LS K389, LY K389, LG K389
Relative spektrale Emission Φrel = ƒ (λ), TA = 25 ˚C, IF = 7.5 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Φrel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LS K389, LY K389, LG K389
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relativer Lichtstrom ΦV/ΦV (2
Relative luminous flux
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Semiconductor Group
5
mA)
= f (IF)
LS K389, LY K389, LG K389
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 7.5 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 7.5 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 2 mA
Relativer Lichtstrom ΦV/ΦV(25 °C) = ƒ (TA)
Relative luminous flux
IF = 2 mA
Semiconductor Group
6
LS K389, LY K389, LG K389
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GEX06712
Maßzeichnung
Package Outlines
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
Semiconductor Group
Kürzerer Lötspieß
Short solder lead
7
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