Hyper TOPLED® RG Hyper-Bright LED LS T776, LA T776, LO T776 LY T776 Besondere Merkmale Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet gegurtet (12-mm-Filmgurt) Features ● ● ● ● ● color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (12 mm tape) Semiconductor Group 1 VPL06899 ● ● ● ● ● 11.96 LS T776, LA T776, LO T776, LY T776 Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 20 mA IV (mcd) Luminous Flux IF = 20 mA ΦV (mlm) Ordering Code colorless clear 25 … 40 … 63 … 100 … 40 … 200 80 125 200 320 180 (typ.) 300 (typ.) 450 (typ.) - Q62703-Q3270 Q62703-Q3271 Q62703-Q3272 Q62703-Q3273 Q62703-Q3274 amber colorless clear 40 … 63 … 100 … 160 … 63 … 320 125 200 320 500 300 (typ.) 450 (typ.) 700 (typ.) - Q62703-Q3914 Q62703-Q3915 Q62703-Q3916 Q62703-Q3917 Q62703-Q3918 LO T776-PS LO T776-Q LO T776-R LO T776-S LO T776-QT orange colorless clear 40 … 63 … 100 … 160 … 63 … 320 125 200 320 500 300 (typ.) 450 (typ.) 700 (typ.) - Q62703-Q3275 Q62703-Q3276 Q62703-Q3277 Q62703-Q3278 Q62703-Q3279 LY T776-PS LY T776-Q LY T776-R LY T776-S LY T776-QT yellow colorless clear 40 … 63 … 100 … 160 … 63 … 320 125 200 320 500 300 (typ.) 450 (typ.) 700 (typ.) - Q62703-Q3280 Q62703-Q3281 Q62703-Q3282 Q62703-Q3283 Q62703-Q3284 Typ Emissionsfarbe Type Color of Emission LS T776-NR LS T776-P LS T776-Q LS T776-R LS T776-PS super-red LA T776-PS LA T776-Q LA T776-R LA T776-S LA T776-QT Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I V max / I V min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit I V max / I V min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 LS T776, LA T776, LO T776, LY T776 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS, LO, LA LY Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 30 20 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 1 0.2 A Sperrspanung1) Reverse voltage1) VR Verlustleistung Power dissipation Ptot Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2) Rth JA 1) 1) Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden. Reverse biasing should be avoided. *) PC-board: FR4 Semiconductor Group 3 3 80 V 55 500 mW K/W LS T776, LA T776, LO T776, LY T776 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LA LO LY Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) λpeak (typ.) 645 622 610 591 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) λdom (typ.) 632 615 605 587 nm Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max Spectral bandwidth at 50% Irel max IF = 20 mA (typ.) ∆λ (typ.) 16 16 16 15 nm 2ϕ 120 120 120 120 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 20 mA (typ.) VF (max.) VF 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 3 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 10 0.01 10 0.01 10 0.01 10 µA µA Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA) Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA) TCλ 0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 20 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 20 mA TCλ 0.14 0.13 0.13 nm/K (typ.) Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.) Semiconductor Group 0.13 (typ.) 4 – 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K LS T776, LA T776, LO T776, LY T776 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 5 LS T776, LA T776, LO T776, LY T776 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25˚C Relative Lichtstärke IV / IV(25˚C ) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 20 mA Semiconductor Group 6 LS T776, LA T776, LO T776, LY T776 Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LS, LA, LO Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GPL06899 Maßzeichnung Package Outlines Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LY Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Kathodenkennung: Cathode mark: Semiconductor Group abgeschrägte Ecke bevelled edge 7