Siemens LYM676-NR Hyper mini topled hyper-bright led Datasheet

Hyper Mini TOPLED®
Hyper-Bright LED
LS M676, LA M676, LO M676
LY M676
Besondere Merkmale
Gehäusefarbe: weiß
als optischer Indikator einsetzbar
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
Features
●
●
●
●
●
color of package: white
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (8 mm tape)
Semiconductor Group
1
VPL06927
●
●
●
●
●
1998-11-12
LS M676, LA M676, LO M676
LY M676
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Farbe der Lichtaustrittsfläche
Color of the Light
Emitting
Area
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
IF = 20 mA
IV (mcd)
Luminous
Flux
IF = 20 mA
ΦV (mlm)
Ordering Code
LS M676-MQ super-red
LS M676-N
LS M676-P
LS M676-Q
LS M676-NR
colorless clear
16
25
40
63
25
... 125 ... 50 100 (typ.)
... 80 180 (typ.)
... 125 300 (typ.)
... 200 -
Q62703-Q3285
Q62703-Q3288
Q62703-Q3286
Q62703-Q3287
Q62703-Q3289
LA M676-NR
LA M676-P
LA M676-Q
LA M676-R
LA M676-PS
amber
colorless clear
25
40
63
100
40
...
...
...
...
...
200
80
125
200
320
180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)
Q62703-Q3536
Q62703-Q3537
Q62703-Q3538
Q62703-Q3539
Q62703-Q3540
LO M676-NR
LO M676-P
LO M676-Q
LO M676-R
LO M676-PS
orange
colorless clear
25
40
63
100
40
...
...
...
...
...
200
80
125
200
320
180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)
-
Q62703-Q3290
Q62703-Q3291
Q62703-Q3292
Q62703-Q3293
Q62703-Q3294
LY M676-NR
LY M676-P
LY M676-Q
LY M676-R
LY M676-PS
yellow
colorless clear
25
40
63
100
40
...
...
...
...
...
200
80
125
200
320
180 (typ.)
300 (typ.)
450 (typ.)
-
Q62703-Q3295
Q62703-Q3296
Q62703-Q3297
Q62703-Q3298
Q62703-Q3299
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
1998-11-12
LS M676, LA M676, LO M676
LY M676
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS, LA, LO LY
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 ... + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 ... + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
to be defined
A
Sperrspannung1)
Reverse voltage1)
VR
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
Wärmewiderstand
Rth JA
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2)
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2)
1)
1)
2)
30
20
mA
802)
552)
mW
5802)
500
K/W
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
Reverse biasing should be avoided.
vorläufig/preliminary
*) PC-board: FR4
Semiconductor Group
3
1998-11-12
LS M676, LA M676, LO M676
LY M676
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LA
LO
LY
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
645
622
610
591
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
632
615
605
587
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max
Spectral bandwidth at 50% Irel max
IF = 20 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
16
16
16
15
nm
2ϕ
120
120
120
120
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 20 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
2.0
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
0.01
10
0.01
10
0.01
10
µA
µA
Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50% Iv
Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA)
Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA)
TCλ
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
Temperaturkoeffizient von λpeak,
IF = 20 mA
Temperature coefficient of λpeak,
IF = 20 mA
TCλ
0.14
0.13
0.13
nm/K
(typ.)
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV
Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.)
Semiconductor Group
0.13
(typ.)
4
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
1998-11-12
LS M676, LA M676, LO M676
LY M676
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
OHL00235
100
Ι rel
%
80
Vλ
60
yellow
orange
amber
super-red
40
20
0
400
450
500
550
600
650
nm
λ
700
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
ϕ
50˚
OHL01660
1.0
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
0
90˚
100˚
1.0
0.8
Semiconductor Group
0.6
0.4
0˚
20˚
5
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
1998-11-12
LS M676, LA M676, LO M676
LY M676
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV / IV(20 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
OHL00232
10 2
mA
ΙF 5
ΙV
OHL00233
10 1
Ι V (20 mA)
10 0
10 1
5
5
10 -1
5
superred
yellow
orange/amber
10 0
10 -2
5
5
10 -1
1.0
1.4
1.8
2.2
2.6
10 -3 -1
10
3.0 V 3.4
VF
OHL00248
mA 10 2
ΙF
OHL00238
Ι V 2.0
Ι V (25 C)
Ι F mA
30
1.6
orange
yellow
amber
super-red
25
yellow
1.2
20
15
0.8
10
orange
yellow
amber
super-red
0.4
5
0
5 10 1
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 20 mA
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
35
5 10 0
0
20
40
Semiconductor Group
60
0
-20
80 C 100
TA
6
0
20
40
60
C
TA
100
1998-11-12
LS M676, LA M676, LO M676
LY M676
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LS, LA, LO
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Cathode
marking
0.5
0.3
2.3
2.1
2.1
1.9
0.15
0.05
1.5
1.3
Cathode marking
GPL06928
1.0
0.8
1.4
1.2
typ. 1.5 x 1.0
Maßzeichnung
Package Outlines
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
LY
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark:
bevelled edge
Semiconductor Group
7
1998-11-12
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