Siemens LYT672-N Super topled high-current led Datasheet

Super TOPLED®
High-Current LED
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
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Gehäusebauform: P-LCC-2
Gehäusefarbe: weiß
als optischer Indikator einsetzbar
besonders geeignet bei hohem Umgebungslicht durch
erhöhten Betriebsstrom (≤ 50 mA DC)
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
Störimpulsfest nach DIN 40839
VPL06724
Besondere Merkmale
Features
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P-LCC-2 package
color of package: white
for use as optical indicator
appropriate for high ambient light because of the higher
operating current (≤ 50 mA DC)
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (8 mm tape)
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Typ
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous
Intensity
IF = 50 mA
IV (mcd)
Luminous
Flux
IF = 50 mA
ΦV (mlm)
Ordering Code
... 80
... 50
... 80
... 200
100 (typ.)
180 (typ.)
-
Q62703-Q2334
Q62703-Q2513
Q62703-Q2514
Q62703-Q2331
16
25
4
25
... 125
... 50
... 80
... 200
100 (typ.)
180 (typ.)
-
Q62703-Q2623
Q62703-Q2494
Q62703-Q2493
Q62703-Q2330
colorless clear
10
25
40
25
... 80
... 50
... 80
... 200
100 (typ.)
180 (typ.)
-
Q62703-Q2624
Q62703-Q2515
Q62703-Q2516
Q62703-Q2332
green
colorless clear
16
25
40
63
25
... 125
... 50
... 80
... 125
... 200
100 (typ.)
180 (typ.)
300 (typ.)
-
Q62703-Q2625
Q62703-Q2517
Q62703-Q2518
Q62703-Q3081
Q62703-Q3854
pure green
colorless clear
6.3 ...
10.0 ...
16.0 ...
25.0 ...
10.0 ...
45 (typ.)
75 (typ.)
100 (typ.)
-
Q62703-Q2626
Q62703-Q2627
Q62703-Q2289
Q62703-Q2290
Q62703-Q2334
Farbe der Lichtaustrittsfläche
Color of the
Light Emitting
Area
LS T672-LP
LS T672-N
LS T672-P
LS T672-NR
super-red
colorless clear
10
25
40
25
LO T672-MQ
LO T672-N
LO T672-P
LO T672-NR
orange
colorless clear
LY T672-LP
LY T672-N
LY T672-P
LY T672-NR
yellow
LG T672-MQ
LG T672-N
LG T672-P
LG T672-Q
LG T672-NR
LP T672-KN
LP T672-L
LP T672-M
LP T672-N
LP T672-LP
Type
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
Lichtstärke
Emissionsfarbe
Color of
Emission
50
20
32
50
80
■ Nicht für Neuentwicklungen/Not for new design
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
2
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 ... + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 ... + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
50
mA
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
1
A
Sperrspanung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
190
mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2)
mounted on PC board*) (pad size 16 mm 2)
Rth JA
300
K/W
*) PC-board: FR4
Semiconductor Group
3
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LO
LY
LG
LP
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
λpeak
635
610
586
565
557
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
λdom
628
605
590
570
560
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
∆λ
45
40
45
25
22
nm
2ϕ
120
120
120
120
120
deg.
2.1
3.8
2.2
3.8
2.6
3.8
2.6 V
3.8*) V
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % Iv
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 50 mA
(typ.)
(max.)
VF
VF
2.0
3.8
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.)
(max.)
IR
IR
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA
10
10
10
10
10
µA
(typ.)
C0
40
35
35
60
80
pF
(typ.)
(typ.)
tr
tf
350
200
500
250
350
200
500
250
500
250
ns
ns
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω
*) VF max = 3.2 V as of Febr. 97
Semiconductor Group
4
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA
Relative Spectral Emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(50 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Semiconductor Group
6
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominat wavelength
IF = 10 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 50 mA
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 50 mA
Semiconductor Group
7
LS T672, LO T672, LY T672
LG T672, LP T672
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GPL06724
Maßzeichnung
Package Outlines
Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke
Cathode mark:
bevelled edge
Semiconductor Group
8
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