Siemens LYYT672-NO Super multi topled high-current led Datasheet

Super Multi TOPLED®
High-Current LED
LSS T672, LOO T672, LYY T672
LGG T672, LPP T672
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Gehäusebauform: P-LCC-4
Gehäusefarbe: weiß
als optischer Indikator einsetzbar
besonders geeignet bei hohem Umgebungslicht durch
erhöhten Betriebsstrom (≤ 50 mA DC)
zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
gegurtet (8-mm-Filmgurt)
Störimpulsfest nach DIN 4083
VPL06837
Besondere Merkmale
Features
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P-LCC-4 package
color of package: white
for use as optical indicator
appropriate for high ambient light because of the higher operation current (≤ 50 mA DC)
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
both chips can be controlled separately
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (8 mm tape)
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
LSS T672, LOO T672, LYY T672
LGG T672, LPP T672
Typ
Emissionsfarbe
Farbe der
Lichtaustrittsfläche
Color of the
Light Emitting
Area
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Type
Color of
Emission
Luminous
Intensity
IF = 50 mA
IV(mcd)
Luminous
Flux
IF = 50 mA
ΦV (mlm)
Ordering Code
colorless clear
≥ 25
(100 typ.)
300 (typ.)
Q62703-Q2881
colorless clear
≥ 16
(100 typ.)
300 (typ.)
Q62703-Q2536
yellow /
yellow
colorless clear
≥ 25
(100 typ.)
300 (typ.)
Q62703-Q2883
LGG T672-NO green /
green
colorless clear
≥ 25
(100 typ.)
300 (typ.)
Q62703-Q2884
≥ 16
(50 typ.)
150 (typ.)
Q62703-Q2885
■ LSS T672-NO
super-red /
super-red
■ LOO T672-MO orange /
orange
■ LYY T672-NO
LPP T672-MO
pure green / colorless clear
pure green
■ Not for new design / Nicht für Neuentwicklungen
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.1)
Streuung der Lichtstärke in einer LED IV max / IV min ≤ 2.0.
1)
Bei MULTILED® mit 2 gleichfarbigen Chips in einem Gehäuse wird die Helligkeitsgruppe aus dem Mittelwert
der Lichtstärken ermittelt.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.1)
Luminous intensity ratio in one LED IV max / IV min ≤ 2.0.
1)
In case of MULTILED® with two chips of the same color in one package, the mean of the brightness determines
the brightness group of the LED.
Semiconductor Group
2
LSS T672, LOO T672, LYY T672
LGG T672, LPP T672
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol Werte
Symbol Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
– 55 ... + 100
˚C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tstg
– 55 ... + 100
˚C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
+ 100
˚C
Durchlaßstrom
Forward current
IF
50
mA
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM
1
A
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot
160
mW
380
530
K/W
K/W
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-Board*) (Padgröße ≥ 16 mm 2) Rth JA1)
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm 2)
Rth JA2)
*) PC-board: FR4
1) nur ein Chip betrieben
2) beide Chips betrieben
1)
2)
one system on
both systems on simultaneously
Notes
Die angegebenen Grenzdaten gelten für einen Chip.
The stated maximum ratings refer to one chip.
Semiconductor Group
3
LSS T672, LOO T672, LYY T672
LGG T672, LPP T672
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
LS
LO
LY
LG
LP
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
λpeak
635
610
586
565
557
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
λdom
628
605
590
570
560
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 10 mA
(typ.)
(typ.)
∆λ
45
40
45
25
22
nm
2ϕ
120
120
120
120
120
deg.
2.1
3.8
2.2
3.8
2.6
3.8
2.6
3.8
V
V
Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % Iv
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 50 mA
(typ.)
(max.)
VF
VF
2.0
3.8
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
(typ.)
(max.)
IR
IR
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 µA
10
10
10
10
10
µA
(typ.)
C0
40
35
35
60
80
pF
(typ.)
(typ.)
tr
tf
350
200
500
250
350
200
500
250
500
250
ns
ns
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω
Semiconductor Group
4
LSS T672, LOO T672, LYY T672
LGG T672, LPP T672
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LSS T672, LOO T672, LYY T672
LGG T672, LPP T672
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV / IV(50 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (TA)
Max. permissible forward current
Semiconductor Group
6
LSS T672, LOO T672, LYY T672
LGG T672, LPP T672
Wellenlänge der Stahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominat wavelength
IF = 10 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 50 mA
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 50 mA
Semiconductor Group
7
LSS T672, LOO T672, LYY T672
LGG T672, LPP T672
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
GPL06837
Maßzeichnung
Package Outlines
Semiconductor Group
8
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