INFINEON SFH203P

SFH 203 P
SFH 203 PFA
SFH 203 P
SFH 203 PFA
feof6644
feo06644
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Features
Wesentliche Merkmale
● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 203 P)
und bei 880 nm (SFH 203 PFA)
● Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 203 P) and of
880 nm (SFH 203 PFA)
● Short switching time (typ. 5 ns)
● 5 mm LED plastic package
Anwendungen
Applications
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
● Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
●
●
●
●
Wechsellichtbetrieb
Industrial electronics
For control and drive circuits
Photointerrupters
Fiber optic transmission systems
● LWL
Typ (*vorher)
Type (*formerly)
Bestellnummer
Ordering Code
SFH 203 P
(*SFH 217)
Q62702-P946
SFH 203 PFA
(*SFH 217 F)
Q62702-P947
Semiconductor Group
1
03.96
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg
– 55 ... + 100
°C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t ≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t ≤ 3 s)
TS
300
°C
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
50
V
Verlustleistung
Total power dissipation
Ptot
100
mW
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 203 P
SFH 203 PFA
S
9.5 (≥ 5)
–
nA/Ix
S
–
6.2 (≥ 3.6)
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
850
900
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ
400 ... 1100 750 ... 1100
nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
1
1
mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
1×1
1×1
mm × mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
H
0.4 ... 0.7
0.4 ... 0.7
mm
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
VR = 5 V, λ = 950 nm, Ee = 1 mW/cm2
Semiconductor Group
L×W
2
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Einheit
Unit
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 75
± 75
Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 20 V
Dark current
IR
1 (≤ 10)
1 (≤ 10)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity
Sλ
0.62
0.59
A/W
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
η
0.89
0.86
Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm
VO
350 (≥ 300)
–
mV
VO
–
300 (≥ 250)
mV
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 950 nm
ISC
9.3
–
µA
ISC
–
3.0
µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
tr, tf
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR = 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
5
5
ns
Durchlaßspannung, IF = 80 mA, E = 0
Forward voltage
VF
1.3
1.3
V
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
C0
11
11
pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV
– 2.6
– 2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Normlicht/standard light A
λ = 950 nm
TCI
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR = 20 V, λ = 850 nm
Nachweisgrenze, VR = 20 V, λ = 850 nm
Detection limit
Semiconductor Group
%/K
0.18
–
–
0.2
NEP
2.9 × 10– 14
2.9 × 10– 14
W
√Hz
D*
3.5 × 1012
3.5 × 1012
cm · √Hz
W
3
SFH 203 P
SFH 203 PFA
Relative spectral sensitivity SFH 203 P
Srel = f (λ)
Relative spectr. sensitivity SFH 203 PFA
Srel = f (λ)
Total power dissipation
Ptot = f (TA)
Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO = f (Ee)
SFH 203 PFA
Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO = f (Ev)
SFH 203 P
Dark current
IR = f (VR), E = 0
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
Semiconductor Group
Capacitance
C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0
4