SFH 303 SFH 303 FA SFH 303 SFH 303 FA feof6351 feo06351 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from Bereich von 450 nm bis 1100 nm (SFH 303) und bei 880 nm (SFH 303 FA) ● Hohe Linearität ● 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse ● Auch gegurtet und gruppiert lieferbar 450 nm to 1100 nm (SFH 303) and of 880 nm (SFH 303 FA) ● High linearity ● 5 mm LED plastic package ● Also available on tape and in groups Anwendungen Applications ● Lichtschranken für Gleich- und ● Photointerrupters ● Industrial electronics ● For control and drive circuits Wechsellichtbetrieb ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Semiconductor Group 1 07.96 SFH 303 SFH 303 FA Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Type (*formerly) SFH 303 Q62702-P957 SFH 303 FA (*SFH 303 F) Q62702-P958 SFH 303-2 Q62702-P228 SFH 303 FA-2) (*SFH 303 F) Q62702-P222 SFH 303-3 Q62702-P229 SFH 303 FA-3 (*SFH 303 F-3) Q62702-P223 SFH 303-41) Q62702-P230 SFH 303 FA-4 (*SFH 303 F-41)) Q62702-P224 1) 1) Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group. Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s TS 260 °C Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 3 s TS 300 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 50 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 100 mA Emitter-Basisspannung Emitter-base voltage VEB 7 V Semiconductor Group 2 SFH 303 SFH 303 FA Grenzwerte Maximum Ratings (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 200 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 375 K/W Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 303 SFH 303 FA 870 Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 450 ... 1000 720 ... 1100 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.2 0.2 mm2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L×B L×W 0.65 × 0.65 0.65 × 0.65 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 4.0 ... 4.6 4.0 ... 4.6 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 20 ± 20 Grad deg. IPCB IPCB – 15.8 4.5 – µA µA Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode Photocurrent of collector-base photodiode Ee = 0.5 mW/cm2, VCB = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCB = 5 V Semiconductor Group 3 nm SFH 303 SFH 303 FA Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics (cont’d) Bezeichnung Description Symbol Symbol Kapazität Capacitance VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 VCB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 VEB = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V, E = 0 Wert Value Einheit Unit SFH 303 SFH 303 FA CCE CCB CEB 10 15 21 10 15 21 pF pF pF ICEO 2 (≤ 50) 2 (≤ 50) nA Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit -2 -3 -4 IPCE 1.0 ... 2.0 1.6 ... 3.2 ≥ 2.5 mA IPCE 5.2 8.4 13.1 mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ tr, tf 11 13 15 µs Kollektor-EmitterSättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.3 Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 150 150 150 mV Stromverstärkung Current gain Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V IPCE IPCB 330 530 830 Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V SFH 303: Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V 1) 1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Semiconductor Group 4 SFH 303 SFH 303 FA Relative spectral sensitivity, SFH 303 Srel = f (λ) Relative spectral sensitivity, SFH 303 FA Srel = f (λ) Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Output characteristics IC = f (VCE), IB = Parameter Dark current ICEO = f (VCE), E = 0 Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0 Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 5