SFH 314 SFH 314 FA NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor Area not flat 6.9 6.1 5.7 5.5 5.9 5.5 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode (Diode) Collector (Transistor) ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 SFH 314 SFH 314 FA feo06652 .Neu: 4.0 3.4 0.6 0.4 Chip position GEX06630 feof6652 Approx. weight 0.4 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 314) und bei 880 nm (SFH 314 FA) ● Hohe Linearität ● 5 mm-Plastikbauform 460 nm to 1080 nm (SFH 314) and of 880 nm (SFH 314 FA) ● High linearity ● 5 mm plastic package Anwendungen Applications ● Computer-Blitzlichtgeräte ● Lichtschranken für Gleich- und ● ● ● ● Wechsellichtbetrieb ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Semiconductor Group 1 Computer-controlled flashes Photointerrupters Industrial electronics For control and drive circuits 1997-11-27 SFH 314 SFH 314 FA Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 314 SFH 314-2 SFH 314-3 Q62702-P1668 Q62702-P1755 Q62702-P1756 SFH 314 FA SFH 314 FA-2 SFH 314 FA-3 Q62702-P1675 Q62702-P1757 Q62702-P1758 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 5 s Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom, soldering time t ≤ 5 s TS 260 °C Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit t ≤ 3 s Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance from case bottom t ≤ 3 s TS 300 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 70 V Kollektorstrom Collector current IC 50 mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 100 mA Emitter-Kollektorspannung Emitter-collector voltage VEC 7 V Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 200 mW Wärmewiderstand Thermal resistance RthJA 375 K/W Semiconductor Group 2 1997-11-27 SFH 314 SFH 314 FA Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 314 SFH 314 FA 870 Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 850 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 460 ... 1080 740 ... 1080 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche Radiant sensitive area A 0.55 0.55 mm2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L×B L×W 1×1 1×1 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 3.4 ... 4.0 3.4 ... 4.0 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 40 ± 40 Grad deg. Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CCE 15 15 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 10 V, E = 0 ICEO 10 (≤ 200) 10 (≤ 200) nA IPCE IPCE ≥ 0.63 7 ≥ 0.63 – mA mA Fotostrom, Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V Semiconductor Group 3 nm 1997-11-27 SFH 314 SFH 314 FA Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value -1 Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V SFH 314: Ev = 1000 Ix, Normlicht/ standard light A, VCE = 5 V -2 Einheit Unit -3 -4 IPCE 0.63 ... 1.25 1 ... 2 1.6 ... 3.2 ≥ 2.5 mA IPCE 3.4 5.4 8.6 13.5 mA Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ tr, tf 8 10 12 14 µs Kollektor-EmitterSättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2 VCEsat 150 150 150 150 mV 1) 1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Directional characteristics Srel = f (ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF02329 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 Semiconductor Group 0 20 40 60 80 4 100 120 1997-11-27 SFH 314 SFH 314 FA TA = 25 °C, λ = 950 nm Rel. spectral sensitivity SFH 314 Srel = f (λ) Rel. spectr.sensitivity SFH 314 FA,Srel = f(λ) Dark current ICEO = f (VCE), E = 0 OHF02332 100 OHF02331 100 S rel % S rel % 80 80 70 70 60 60 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 Photocurrent IPCE = f (TA), VCE = 5 V, normalized to 25 oC Ι PCE 0 400 500 600 700 800 900 nm 1100 λ Ι CEO 10 1 10 0 10 -1 10 -2 400 500 600 700 800 900 nm 1100 λ Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V OHF01524 1.6 0 OHF02339 10 1 mA 20 30 40 50 V 70 V CE OHF02344 50 C CE pF 1.4 40 10 0 1.2 10 Collector-emitter capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz Ι PCE Ι PCE 25 OHF02341 10 2 nA 1.0 30 10 0.8 -1 20 0.6 10 -2 0.4 10 0.2 0 -25 0 25 50 75 C 100 TA Photocurrent IPCE = f (VCE), Ee = parameter 10 -3 -3 10 Ι PCE 1 mW/cm 2 Ee mW cm 2 Ptot mW 0.5 cm 2 0.25 mW cm 2 10 -1 10 0 10 1 V 10 2 VCE Dark current ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E = 0 OHF02340 250 mW 0 -2 10 10 0 Total power dissipation Ptot = f (TA) OHF02338 10 1 mA 10 -2 OHF02342 10 2 nA Ι CEO 200 10 1 150 10 0 10 0 mW 0.1 cm 2 100 10 -1 50 10 -1 0 10 20 30 40 50 Semiconductor Group V 70 VCE 0 0 20 40 5 60 80 ˚C 100 TA 10 -2 0 20 40 60 80 ˚C 100 TA 1997-11-27