SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA fplf6867 fpl06867 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED-Package Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from ● ● ● ● Bereich von 380 nm bis 1150 nm (SFH 325) und bei 880 nm (SFH 325 FA) Hohe Linearität P-LCC-2 Gehäuse Gruppiert lieferbar nur für Reflow IR-Lötung geeignet. Bei Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns. ● ● ● ● Anwendungen ● Miniaturlichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb ● Lochstreifenleser ● Industrieelektronik ● “Messen/Steuern/Regeln” Semiconductor Group 380 nm to 1150 nm (SFH 325) and of 880 nm (SFH 325 FA) High linearity P-LCC-2 package Available in groups Suitable only for reflow IR soldering. In case of dip soldering, please contact us first. Applications ● Miniature photointerrupters ● punched tape readers ● Industrial electronics ● For control and drive circuits 1 01.97 SFH 325 SFH 325 FA Typ Type Bestellnummer Ordering Code Typ (*vorher) Type (*formerly) Bestellnummer Ordering Code SFH 325 Q62702-P1638 SFH 325 FA (*SFH 325 F) Q62702-P1639 SFH 325-3 Q62702-P1610 SFH 325 FA-3 (*SFH 325 F-3) Q62702-P1614 SFH 325-4 Q62702-P1611 SFH 325 FA-4 (*SFH 325 F-4) Q62702-P1615 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage VCE 35 V Kollektorstrom Collector current IC 15 mA Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs Collector surge current ICS 75 mA Verlustleistung, TA = 25 °C Total power dissipation Ptot 165 mW Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board Thermal resistance for mounting on pcb RthJA 450 K/W Semiconductor Group 2 SFH 325 SFH 325 FA Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value SFH 325 SFH 325 FA 900 Einheit Unit Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λS max 860 Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax λ 380 ... 1150 730 ... 1120 nm Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240 µm) A Radiant sensitive area nm 0.045 0.045 mm2 Abmessung der Chipfläche Dimensions of chip area L×B L×W 0.45 × 0.45 0.45 × 0.45 mm × mm Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche Distance chip front to case surface H 0.5 ... 0.7 0.5 ... 0.7 mm Halbwinkel Half angle ϕ ± 60 ± 60 Grad deg. Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance CCE 5.0 5.0 pF Dunkelstrom Dark current VCE = 25 V, E = 0 ICEO 1 (≤ 200) 1 (≤ 200) nA Semiconductor Group 3 SFH 325 SFH 325 FA Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Fotostrom, λ = 950 nm Photocurrent Ee = 0.1 mW/cm2, VCE = 5 V SFH 325: Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, VCE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ Symbol Symbol IPCE tr, tf 1) -2 ≥ 16 16 ... 32 25 ... 50 ≥ 40 µA 420 650 1000 µA 7 6 7 8 µs 150 150 150 150 mV IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group Directional characteristics Srel = f (ϕ) Semiconductor Group 4 -3 Einheit Unit SFH 325/FA IPCE Kollektor-EmitterVCEsat Sättigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) × 0.3, Ee = 0.1 mW/cm2 1) Wert Value -4 SFH 325 SFH 325 FA Relative spectral sensitivity, SFH 325 Srel = f (λ) Relative spectral sensitivity, SFH 325 FA Srel = f (λ) Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V Total power dissipation Ptot = f (TA) Photocurrent IPCE = f (VCE), Ee = Parameter Dark current ICEO = f (VCE), E = 0 Dark current ICEO = f (TA), VCE = 5 V, E = 0 Capacitance CCE = f (VCE), f = 1 MHz, E = 0 Photocurrent IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V Semiconductor Group 5